[发明专利]半导体承载件暨封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体承载件，包括：

第一封装层，具有多个贯穿的顶宽底窄的锥形孔；

电性接点，形成于各该锥形孔中而呈锥形；以及

多路线路，形成于该第一封装层的顶面上，各该线路的一端连接各该电性接点，各该线路的另一端形成有焊指垫，该等焊指垫以围绕方式配置，以于该第一封装层的顶面上定义出一置晶区。

2.根据权利要求1所述的半导体承载件，其特征在于，该半导体承载件还包括承载板，其设于该第一封装层的底面上。

3.根据权利要求1所述的半导体承载件，其特征在于，该电性接点为金/钯/镍/钯、金/镍/铜/镍/金、金/镍/铜/镍/银、金/镍/铜/银、钯/镍/钯、金/镍/金、或钯/镍/金的自底部依序构成的多层金属。

4.根据权利要求1所述的半导体承载件，其特征在于，该电性接点与线路为一体成型或分别成型。

5.一种半导体封装件，其包括：

第一封装层，具有多个贯穿的顶宽底窄的锥形孔；

电性接点，形成于各该锥形孔中而呈锥形；

多路线路，形成于该第一封装层的顶面上，各该线路的一端连接各该电性接点，各该线路的另一端形成有焊指垫，该等焊指垫以围绕方式配置，以于该第一封装层的顶面上定义出一置晶区；

半导体芯片，设置于该置晶区中的该第一封装层的顶面上；

多个导电组件，用于将该半导体芯片电性连接至各该焊指垫；以及

第二封装层，其覆盖该半导体芯片、导电组件、线路与第一封装层。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括焊球，其形成于该第一封装层底面的各该电性接点上。

7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，于该半导体芯片与该第一封装层之间还包括粘着层。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，该粘着层的材质为玻璃粉、环氧树脂、或干膜。

9.根据权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该电性接点为金/钯/镍/钯、金/镍/铜/镍/金、金/镍/铜/镍/银、金/镍/铜/银、钯/镍/钯、金/镍/金、或钯/镍/金的自底部依序构成的多层金属。

10.根据权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该电性接点与线路为一体成型或分别成型。

11.一种半导体承载件的制法，包括：

于一承载板上形成第一封装层；

于该第一封装层中形成多个顶宽底窄的锥形孔，以外露该承载板；以及

于各该锥形孔中形成锥形的电性接点，并于该第一封装层上形成多路线路，各该线路的一端连接各该电性接点，各该线路的另一端形成有焊指垫，该等焊指垫以围绕方式配置，以于该第一封装层上定义出一置晶区。

12.根据权利要求11所述的半导体承载件的制法，其特征在于，该半导体承载件还包括移除该承载板。

13.根据权利要求11所述的半导体承载件的制法，其特征在于，该电性接点与线路的形成步骤包括：

于该具有锥形孔的第一封装层上形成阻层，该阻层具有多个外露该锥形孔与第一封装层的阻层开口区；

于该阻层开口区中形成该电性接点与线路；以及

移除该阻层。

14.根据权利要求11所述的半导体承载件的制法，其特征在于，该电性接点为金/钯/镍/钯、金/镍/铜/镍/金、金/镍/铜/镍/银、金/镍/铜/银、钯/镍/钯、金/镍/金、或钯/镍/金的自底部依序构成的多层金属。

15.根据权利要求11所述的半导体承载件的制法，其特征在于，形成该锥形孔的方式为雷射钻孔或机械钻孔。

16.根据权利要求11所述的半导体承载件的制法，其特征在于，该电性接点与线路为一体成型或分别成型。