[发明专利]具散热增益的半导体装置

权利要求书

1.一种具散热增益的半导体装置，至少包括一具完整线路面与完整接脚面的金属基板、一半导体芯片及一成型材料所组成，其特征在于：

该金属基板包含一金属板材、一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中该金属板材包含一上部及一相对于上部的下部，并且在该金属板材的上部包括一置晶接垫区域及多数个图案化线路区域，而该第二绝缘层则设置在该些图案化线路区域与该置晶接垫区域之间；在该金属板材的下部则包括有一与置晶接垫区域相连的电性接垫区域，以及含指定数目的接脚区域，而该第一绝缘层则设置在该些电性接垫区域与该些接脚区域之间；

该半导体芯片含有多数个输入/输出接垫，且该半导体芯片黏结于该金属基板的置晶接垫区域表面，并由该些输入/输出接垫电性连接至该些图案化线路区域；以及

该成型材料用以封装该半导体芯片以及该金属基板的上部。

2.根据权利要求1所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该成型材料并无连接于该第一绝缘层。

3.根据权利要求1所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该第一、二绝缘层的材料为防焊绿漆、玻璃纤维与环氧树脂所组成材料、双马来亚酰胺-三氮杂苯树脂及环氧树脂。

4.根据权利要求1所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该接脚区域与该电性接垫区域及该第一绝缘层在同一层次。

5.根据权利要求1所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该些图案化线路区域与该置晶接垫区域及该第二绝缘层在同一层次。

6.根据权利要求1所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该些图案化线路区域、置晶接垫区域、电性接垫区域及接脚区域的表面接合层经由一具选择性的电镀沉积过程所达成。

7.根据权利要求6所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该接合层的材料包括镍、金、钯、锡、银及其组合。

8.根据权利要求1所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该金属板材为铜及其合金、铝、合金42、钢、镍。

9.根据权利要求1所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该金属板材的厚度为0.05毫米～0.5毫米。

10.一种具散热增益的半导体装置，至少包括一具完整线路面与完整接脚面的金属基板、一半导体芯片及一成型材料所组成，其特征在于：

该金属基板包含一金属板材及一绝缘层，其中该金属板材包含一上部及一相对于上部的下部，并且在该金属板材的上部包括一置晶接垫区域及多数个图案化线路区域；在该金属板材的下部则包括有一与置晶接垫区域相连的电性接垫区域，以及含指定数目的接脚区域，而该绝缘层则设置在该些电性接垫区域与该些接脚区域之间；

该半导体芯片含有多数个输入/输出接垫，且该半导体芯片黏结于该金属基板的置晶接垫区域表面，并由该些输入/输出接垫电性连接至该些图案化线路区域；以及

该成型材料用以封装该半导体芯片以及该金属基板的上部。

11.根据权利要求10所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该成型材料系与该些电性接垫区域与该些接脚区域间的绝缘层连接。

12.根据权利要求10所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该绝缘层的材料为防焊绿漆、玻璃纤维与环氧树脂所组成材料、双马来亚酰胺三氮杂苯树脂及环氧树脂。

13.根据权利要求10所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该接脚区域与该电性接垫区域及该绝缘层在同一层次。

14.根据权利要求10所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该些图案化线路区域、置晶接垫区域、电性接垫区域及接脚区域的表面接合层经由一具选择性的电镀沉积过程所达成。

15.根据权利要求13所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该接合层的材料包括镍、金、钯、锡、银及其组合。

16.根据权利要求10所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该金属板材为铜及其合金、铝、合金42、钢、镍。

17.根据权利要求10所述的具散热增益的半导体装置，其特征在于，该金属板材的厚度为0.05毫米～0.5毫米。