[发明专利]可编程增益MOS放大器有效
| 申请号： | 200910169505.X | 申请日： | 2009-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101908863A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 李亦斌;曾柏森 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/16 | 分类号： | H03F3/16;H03G1/00 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 葛强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种可编程增益MOS放大器。所述可编程增益MOS放大器用于根据增益级别数据，于负载的第一端以可编程增益输出放大信号，可编程增益MOS放大器包含：多个增益供应器，每一增益供应器提供预设增益；以及多个增益调谐器，每一增益调谐器调整来自于多个增益供应器之中相应的增益供应器的预设增益，每一增益调谐器包含增益使能模块；当相应增益调谐器的增益使能模块的MOS晶体管由译码自增益级别数据的相应控制信号开启时，由多个增益供应器中之一提供的预设增益被加至可编程增益MOS放大器的可编程增益中。藉此，本发明可通过线性地调整控制数据而在dB域内线性地调整增益，用于高增益调整时，提供一种简单的机制，可节约所需的元件而增加了极大的便利。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 增益 mos 放大器 | ||
【主权项】：
一种可编程增益MOS放大器，用于于负载的第一端以可编程增益输出放大信号，所述可编程增益MOS放大器包含：第一增益供应器，用于提供第一预设增益，所述第一增益供应器包含：MOS晶体管，具有对应于所述第一预设增益的第一预设长宽比，所述MOS晶体管包含：控制端，耦接于所述可编程增益MOS放大器的输入端，其中所述输入端用于接收输入信号；偏置端，耦接于偏压源；以及输出端；以及第一增益调谐器，用于调整所述第一预设增益，所述第一增益调谐器包含：增益使能模块，包含：MOS晶体管，所述MOS晶体管包含：控制端，用于接收第一控制信号；第一端，耦接于所述负载的第一端；以及第二端，耦接于所述第一增益供应器的所述MOS晶体管的所述输出端；以及增益降低模块，包含：第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管包含：控制端，用于接收第二控制信号；第一端，耦接于所述负载的第二端；以及第二端，耦接于所述第一增益供应器的所述MOS晶体管的所述输出端；其中，当所述第一控制信号将所述第一增益调谐器的所述增益使能模块的所述MOS晶体管开启时，所述可编程增益等于G1；当所述第一控制信号将所述第一增益调谐器的所述增益使能模块的所述MOS晶体管开启，而所述第二控制信号将所述第一增益调谐器的所述增益降低模块的所述第一MOS晶体管开启时，所述可编程增益等于[M1/(M1+M2)]×G1；其中，M1表示所述第一增益调谐器的所述增益使能模块的所述MOS晶体管的长宽比，M2表示所述第一增益调谐器的所述增益降低模块的所述第一MOS晶体管的长宽比，G1表示所述第一预设增益。
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