[发明专利]半导体封装构造及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装构造及其制造方法，更具体地说，涉及一种半导体封装构造，其中导电金属层设置于封胶体的表面，并电连接于电性接点。

背景技术

参考图1，凹槽向下(cavity down)型的封装构造(如wBGA(窗型闸球阵列封装)封装构造10)已被大量应用于高速内存组件的封装上。wBGA封装构造10包括基板20。芯片30设置于基板20的表面。多个焊线12用以将芯片30电连接于基板20。封胶体14用以包封焊线12。基于成本的考虑，wBGA封装构造10的基板20都是采用单层板。阻抗匹配(Impedance matching)是微波电子学中的一部分技术内容，主要应用于传输线内，来达成所有高速的信号都能传至负载点的目的，不会有信号反射回来源点，从而提升能源效益。在高速信号传输的设计中，阻抗的匹配与否关系到信号的质量优劣。然而，当wBGA封装构造10被焊接在印刷电路板(PCB)50后，wBGA封装构造10的焊线12内所传递的信号与印刷电路板50表面的接地参考面52之间具有较远的距离D1，因此难以对在wBGA封装构造10的焊线12内所传递的高速信号布线(layout)进行阻抗匹配。

发明内容

有鉴于此，便有需要提出一种半导体封装构造，以解决上述问题。

本发明提供一种半导体封装构造，该半导体封装构造包括基板、芯片、多个焊线、封胶体和导电金属层。基板具有第一表面和第二表面，该第二表面与所述第一表面相对设置，所述基板包括多个电性接点，该多个电性接点位于所述第一表面。所述芯片设置于所述基板的第二表面。多个焊线用以将所述芯片电连接于所述基板。所述封胶体用以包封所述焊线，覆盖所述基板的第一表面，并裸露所述电性接点。所述导电金属层设置于所述封胶体的表面，并电连接于所述电性接点。

本发明还提供一种半导体封装构造制造方法，包括下列步骤：提供基板，其中所述基板具有第一表面和第二表面，并包含贯穿开口和多个第一接垫和第二接垫，所述贯穿开口由所述第一表面延伸至所述第二表面，所述第一接垫和第二接垫设置于所述基板的第一表面；将芯片设置于所述基板的第二表面，其中所述芯片具有主动表面，该主动表面位于所述基板的第二表面；通过多个焊线将所述芯片电连接于所述基板的第一接垫；通过第一封胶体包封所述焊线；将多个焊球形成于所述第二接垫的表面，从而使所述焊球和第二接垫组合成电性接点；通过第二封胶体覆盖所述基板的第一表面、所述第一封胶体和所述电性接点；将所述电性接点和所述第二封胶体减少厚度，从而使所述第二封胶体裸露所述电性接点，且所述电性接点与所述第二封胶体齐平；以及将导电金属层形成于所述第二封胶体的表面，并使所述导电金属层电连接于所述电性接点。

本发明还提供一种半导体封装构造制造方法，包括下列步骤：提供基板，其中所述基板具有第一表面和第二表面，并包含贯穿开口和多个第一接垫和第二接垫，所述贯穿开口由所述第一表面延伸至所述第二表面，所述第一接垫和第二接垫设置于所述基板的第一表面；将芯片设置于所述基板的第二表面，其中所述芯片具有主动表面，该主动表面位于所述基板的第二表面；通过多个焊线将所述芯片电连接于所述基板的第一接垫；将多个焊球形成于所述第二接垫的表面，从而使所述焊球和第二接垫组合成电性接点；通过封胶体包封所述焊线，并覆盖所述基板的第一表面和所述电性接点；将所述电性接点和所述封胶体减少厚度，从而使所述封胶体裸露所述电性接点，且所述电性接点与所述封胶体齐平；以及将导电金属层形成于所述封胶体的表面，并使所述导电金属层电连接于所述电性接点。

本发明还提供一种半导体封装构造制造方法，包括下列步骤：提供基板，其中所述基板具有第一表面和第二表面，并包含贯穿开口和多个第一接垫和第二接垫，所述贯穿开口由所述第一表面延伸至所述第二表面，所述第一接垫和第二接垫设置于所述基板的第一表面；将芯片设置于所述基板的第二表面，其中所述芯片具有主动表面，该主动表面位于所述基板的第二表面；通过多个焊线将所述芯片电连接于所述基板的第一接垫；通过封胶体包封所述焊线，并覆盖所述基板的第一表面；将所述封胶体形成有多个开孔，该多个开孔对应于所述基板的第二接垫，并裸露所述基板的第二接垫；将多个焊球形成于所述第二接垫的表面，并位于所述封胶体的开口内，从而使所述焊球和第二接垫组合成电性接点，该电性接点突出于所述封胶体之外；以及将导电金属层形成于所述封胶体的表面，并使所述导电金属层电连接于所述电性接点。