[发明专利]半导体装置、散热片、半导体芯片、内插式基板和玻璃板

说明书

技术领域

本发明涉及一种树脂密封的半导体装置，尤其涉及一种通过转移成型法(Transfer Molding)实施树脂密封的半导体装置。

背景技术

近年来，随着电子设备的小型化和高性能化，对半导体装置的小型化和高密度化的要求也不断提高。在实现半导体装置的小型化和高密度化的情况下，由于在半导体装置的动作时，半导体芯片将产生大量的热量，所以，要使经小型化和高密度化后的半导体装置具有稳定的动作，则要求提高其散热性。

现有技术的半导体装置可以举出例如，日本国专利申请公开特开2004-172157号公报(公开日：2004年6月17日，以下称为“专利文献1”)所揭示的以高密度化为目的的半导体封装等。在专利文献1所揭示的半导体封装中，利用粘合剂，将具有外部连接端子的中继用配线基板贴装在半导体芯片上。另外，专利文献1所揭示的半导体封装被树脂密封，并使得上述中继用配线基板顶面的外部连接端子从密封树脂露出。

以下利用图9说明外部连接端子的顶面从密封树脂露出的现有半导体装置的结构。

如图9所示，在基板103上通过粘合层117搭载有半导体芯片101，半导体芯片101通过引线113连接基板103。另外，在基板103的底面上设有外部连接端子119，外部连接端子119通过形成于基板103上的配线和引线113，与半导体芯片101电连接。

在半导体芯片101上形成有配线图形111，通过配线图形111，半导体芯片101与引线113连接，半导体芯片101与外部连接。配线图形111除了要与外部连接的部分以外都被阻焊剂层109覆盖。另外，在使多个外部连接端子115露出的情况下，利用密封树脂105对通过引线113进行连接的连接部周围进行密封，该连接部是配线图形111连接在基板103上形成的配线的连接部。

根据上述结构，由于能够层叠多个半导体装置，所以能够实现半导体装置的小型化和高密度化。

现有技术的半导体装置可以举出例如，日本国专利申请公开特开2004-207307号公报(公开日：2004年7月22日，以下称为“专利文献2”)、日本国专利申请公开特开平2-181956号公报(公开日：1990年7月6日，以下称为“专利文献3”)和日本国专利申请公开特开平5-63113号公报(公开日：1993年3月12日，以下称为“专利文献4”)所揭示的以提高散热性为目的的半导体封装等。专利文献2～4所述的任意一个半导体装置都是在使散热片的顶面露出的状态下实施密封的半导体装置，其中，散热片通过粘合层被搭载于半导体芯片上。

以下，根据图10对专利文献4所揭示的半导体装置的结构进行说明，该半导体装置具有其散热片顶面从密封树脂露出的结构。

如图10所示，半导体芯片101通过粘合层117搭载于晶圆模垫(diepad)121上，并且通过引线113连接内引线123和外引线125。

在半导体芯片101上，介于粘合层117设置有散热片107。散热片107的内面中央具有突起面，该突起面通过粘合层117与半导体芯片101连接。

上述结构通过密封树脂105进行密封，而晶圆模垫121的与半导体芯片101的粘合面的相反一面、以及散热片107的与半导体芯片101的粘合面的相反一面则从密封树脂105露出。

根据上述结构，由于图10所述的半导体装置能够提高散热片的散热效率，所以能够提高半导体装置内部的半导体芯片的散热性。

但在如图9和图10所代表的其顶面露出的半导体装置的制造过程中，会产生以下问题。

即，在利用转移成型法进行树脂密封时，利用模具抵压从密封树脂露出的最上部(阻焊剂层109或者散热片107)。

在此，当利用模具抵压最上部的顶面的力较小时，密封树脂105将渗入最上部的顶面。在图9所示的半导体装置的外部连接端子115上一旦被密封树脂105渗入，在层叠其它半导体装置时，将造成接触不良。另外，在图10所示的半导体装置中，当树脂105渗入至散热片107顶面时，使得散热片107的露出面积减少，从而导致散热效率降低。

另一方面，如果利用模具抵压最上部的顶面的力过大时，由于将对模具内部的整个叠层结构施加过大的力，将导致包括半导体芯片101在内的各构件的形变或破损。

树脂是否渗入散热片107的最上部，是由模具向最上部所施加的压强(单位面积上的力)的大小来决定的。如果上述压强大于等于预定压强，密封树脂将不会渗入至最上部的顶面。