[发明专利]半导体装置、散热片、半导体芯片、内插式基板和玻璃板

权利要求书

1.一种半导体装置(10、30、40、50、60、70、80、90)，包括具有半导体芯片(3)的叠层结构，该叠层结构的一部分被树脂(5)密封，该半导体装置(10、30、40、50、60、70、80、90)的特征在于：

上述叠层结构的最上部具有用于减轻在进行树脂密封时产生的应力的应力减轻部(9)，该应力减轻部(9)形成为具有平坦的顶面的凸部；

在上述叠层结构的最上部的外缘区域，上述应力减轻部(9)形成为环状并且与密封树脂(5)接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置(30、40、50、60、70、80)，其特征在于：

上述叠层结构的最上部的外缘被上述密封树脂(5)密封。

3.根据权利要求1所述的半导体装置(30、40、50、60、70、80)，其特征在于：

在上述叠层结构的最上部的外缘区域形成有上述应力减轻部(9)，在该应力减轻部(9)的更内侧进一步形成有另外的应力减轻部(9)。

4.根据权利要求2所述的半导体装置(30、40、50、60、70、80)，其特征在于：

在上述叠层结构的最上部的外缘区域形成有上述应力减轻部(9)，在该应力减轻部(9)的更内侧进一步形成有另外的应力减轻部(9)。

5.根据权利要求1所述的半导体装置(10、30、40、50、60、70、80、90)，其特征在于：

上述应力减轻部(9)由缓冲材料形成。

6.根据权利要求2所述的半导体装置(30、40、50、60、70、80)，其特征在于：

上述应力减轻部(9)由缓冲材料形成。

7.根据权利要求3所述的半导体装置(30、40、50、60、70、80)，其特征在于：

上述应力减轻部(9)由缓冲材料形成。

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置(10、30、40、50、60、70、80、90)，其特征在于：

构成上述叠层结构的最上部的构件是散热片(11)，半导体芯片(3)发出的热量经由上述散热片(11)进行散热。

9.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置(10、30、40、50、60、70、80、90)，其特征在于：

构成上述叠层结构的最上部的构件是形成于上述半导体芯片(3)上的配线层，该配线层具有外部连接端子(43)。

10.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置(10、30、40、50、60、70、80、90)，其特征在于：

构成上述叠层结构的最上部的构件是内插式基板(51)，该内插式基板(51)具有外部连接端子(43)。

11.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置(10、30、40、50、60、70、80、90)，其特征在于：

构成上述叠层结构的最上部的构件是形成于上述半导体芯片(3)上的透明板(61)。

12.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置(10、30、40、50、60、70、80、90)，其特征在于：

构成上述叠层结构的最上部的构件是上述半导体芯片(3)。

13.一种散热片(11)，构成具有半导体芯片(3)的叠层结构的最上部，对上述半导体芯片(3)发出的热量进行散热，该散热片(11)的特征在于：

在该散热片(11)的顶面的外缘区域形成有环状的凸部，该凸部具有平坦的顶面。

14.一种半导体芯片(3)，构成叠层结构的最上部，其特征在于：

在该半导体芯片(3)的顶面的外缘区域形成有环状的凸部，该凸部具有平坦的顶面。

15.一种内插式基板(51)，构成具有半导体芯片(3)的叠层结构的最上部，并具有外部连接端子(43)，该内插式基板(51)的特征在于：

在该内插式基板(51)的顶面的外缘区域形成有环状的凸部，该凸部具有平坦的顶面。