[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，包含：

一芯片，包含一保护层及至少一衬垫，该保护层形成该芯片的一主动面，该保护层对应该至少一衬垫形成有至少一开口；

一导电部，形成于该芯片上，该导电部通过该开口，与该至少一衬垫电性连接，使该半导体封装结构藉由该导电部与该一电路板电性连接；以及

一缓冲层，形成并包覆于该芯片的一主动面上，且至少局部包覆于该导电部。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该缓冲层为一可靠度增进层(reliability enhanced layer，REL)。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其中该可靠度增进层的材料选自下列群组：B阶段胶(B-stage gel)、底部填充剂(underfill)、不导电胶(Non conductive paste，NCP)及聚酰亚胺(polyimide)。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其中该芯片更包含一重新分配层(Redistribution Layer，RDL)，与该至少一衬垫电性连接，且通过该至少一开口与该导电部电性连接，该重新分配层具有一阻抗值，该阻抗值具有阻抗匹配。

5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其中该重新分配层的材料可选自下列群组：铝、金及铜。

6.如权利要求4所述的半导体封装结构，其中该芯片更包含一凸块下金属层(under bump metal，UBM)，至少形成于该重新分配层与该导电部间，以电性连接该导电部与该重新分配层，其中该凸块下金属层的材料可选自下列组合：钛化钨(TiW)、钛铜镍(Ti-Cu-Ni)、铬铜镍(Cr-Cu-Ni)、钛金铂(Ti-Au-Pt)及铬金钯(Cr-Au-Pd)。

7.一种制造半导体封装结构的方法，包含下列步骤：

检测一芯片的一主动面；以及

形成一缓冲层，该缓冲层包覆于该芯片上且至少局部包覆于该芯片的一导电部，其中，该缓冲层为一可靠度增进层，而导电部为一锡块；

回焊(reflow)该芯片，以部份固化(partially cure)该缓冲层，且将该导电部所具的锡块转化为锡球。

8.如权利要求7所述的方法，其中该检测步骤，包含下列步骤：

辨识该芯片的主动面上的一受损部位；以及

修补该受损部位。

9.如权利要求8所述的方法，其中该修补步骤，通过一激光修补。

10.如权利要求9所述的方法，其中该形成一缓冲层的步骤，适可使该缓冲层至少局部填充该激光修补所产生的一激光窗。