[实用新型]薄型半导体芯片封装用基板

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片封装，特别是关于一种供薄型半导体芯片封装使用的基板。

背景技术

目前在半导体芯片的封装上，大部分均采用以纤维补强塑料制成的硬质基板，由于该等基板必须具备一定的厚度来承受封装时的各种加工程序，例如形成电路图样，冲设或钻设导电通孔等，因此整体芯片封装的厚度无法减小，再者该等基板亦无法承受200℃以上的高温。

实用新型内容

本实用新型的主要目的即在提供一种半导体芯片封装用基板，其可有效减少整体芯片封装的厚度。

本实用新型的另一目的则在提供一种半导体芯片封装用基板，其可承受200℃以上的高温。

本实用新型的再一目的则在提供一种半导体芯片封装用基板，其尺寸可长久保持稳定。

缘是，为达成前揭目的，本实用新型的薄型半导体芯片封装用基板，包含有一基层，一蚀刻止挡层以及一作用层。该基层是一具预定厚度的金属材质制成，供封装制程的承载。该蚀刻止挡层是以金属材质制成，具有一上表面及下表面，该下表面是附着于该基层的一表面上。该作用层是以导电金属材质制成，且是以具预定电路迹线的方式布置于该蚀刻止挡层的上表面上。该蚀刻隔离层的金属材质是不同于与该作用层的金属材质。

本实用新型的有益效果是，克服了现有技术的整体芯片封装的厚度无法减小，基板亦无法承受200℃以上的高温，提供一种薄型半导体芯片封装用基板，且可以承受200℃以上的高温。

以下兹举若干较佳实施例并配合图式对本实用新型做进丨步的说明，其中：

附图说明

图1为本实用新型一较佳实施例的立体图；

图2为沿图12-2方向上的剖视图；

图3为以图1所示实施例为基板的半导体芯片封装的断面示意图；

图4为本实用新型第二较实施例与图2相同方向的剖视图；以及

图5为本实用新型第三较实施例与图2相同方向的剖视图。

【主要组件符号说明】

基板10

基层12

蚀刻止挡层14

作用层16

半导体芯片20

包覆层22

基板30

作用层32

防焊层34

蚀刻止挡层42

作用层44

基层46

具体实施方式

首先请参阅图1及图2，本实用新型依较佳实施例的基板如图号10所示，包含有一基层12，一蚀刻止挡层14以及一作用层16。

该基层12是以具适当厚度(例如15μm～50μm)的铜箔所制成，在进行封装加工程序时，该基层12是作为承载支撑之用，封装完成后可以适当的方法将之去除。该蚀刻止挡层14是以一适当厚度(例如0.2μm～1μm)的镍薄板或镍箔所制成，其是附着于该基层12的上表面，当该作用层16进行蚀刻加工时，可防止该基层12被蚀刻，当封装完成后，该蚀刻止挡层14同样的可以适当的加工方式予以去除。该作用层16是以具适当厚度(例如99μm～18μm)的铜箔所制成，是以具预定电路迹线的方式布置于该蚀刻止挡层14的上表面，在实际制造上该基层12的厚度最好大于该作用层16。

请再参阅图3，以该基板10进行半导体芯片20的封装时，其是以现有的加工方式将该芯片20贴置于该作用层16上，然后进行打线作业以及灌填胶体包覆层22，最后则是将该蚀刻止挡层14以及该基层12去除，完成后即如该图所示的薄型半导体芯片封装。

最后请参阅图4与图5，其中图4图号30所示为本实用新型第二较佳实施例的基板，其与图1所示基板10的不同处在于其作用层32的各相邻电路迹线间分别充填一防焊层34。图5图号40所示则为本实用新型第三较佳实施例的基板，其与图1所示基板10的不同处在于其蚀刻止挡层42是与对应于作用层44电路迹线的方式布置于基层46上。