[发明专利]半导体晶片封装体及其封装方法

说明书

本申请是申请日为2004年3月2日、申请号为200410007387.X、发明名称为“半导体晶片封装体及其封装方法”的发明专利申请的分案申请。

[技术领域]

本发明是有关于一种半导体晶片封装体及其封装方法。

[背景技术]

早期，半导体晶片的封装方式大多利用导线架作为晶片的内部电路与外部电路的电气连接的媒介。然而，以这种方式封装出来的集成电路在体积上是较大，且讯号的传输速度会较慢。后来，球形栅状阵列(BGA)封装方式是出现。如美国专利第5,384,689号案中所揭露般。利用BGA封装方式所封装出来的集成电路在体积上是较小，且讯号的传输速度会较快。然而，在如上所述的美国专利中所揭露的方式是需要使用一基板来载装该半导体晶片，因此，在尺寸或功能上有所不同的半导体晶片是需要不同的基板，因此，在成本及封装程序上有改善的必要。

[发明内容]

有鉴于此，本发明的目的是提供一种能够克服以上所述的问题的半导体晶片封装体及其封装方法，具有封装程序简化、封装体体积小、封装成本低等优点。

基于上述目的，本发明提供一种半导体晶片封装体，其特征在于：包含：

一半导体晶片，其具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；

数个导电体，每一导电体具有一在该晶片的焊垫安装表面上延伸作为电路轨迹的延伸部及一延伸连接对应的焊垫的导电连接部；

一对分隔的隔壁，其是形成于该晶片的该焊垫的两侧，该导电体的导电连接部是位于该对隔壁之间；

一覆盖层，其是形成于该对隔壁之间；

一保护层，其是形成于该晶片的整个焊垫安装表面上并覆盖该覆盖层及该导电体，于该保护层上形成有数个连通到对应的导电体的通孔；及数个导电球，每一导电球是形成于对应的通孔内并且是与对应的导电体电气连接。

较佳地，该半导体晶片是从一晶圆切割出来的单一晶片或一未切割的晶圆。

较佳地，于该晶片的每一焊垫上形成有一电镀层。

较佳地，该导电体是由导电金属胶制成。

较佳地，该导电金属胶为掺杂有导电金属的导电金属胶。

较佳地，该覆盖层是由环氧树脂制成。

较佳地，该覆盖层是由感光油墨制成。

较佳地，该覆盖层是由聚酰亚胺制成。

较佳地，更包含数个导电层，每一导电层至少形成于对应的导电体的延伸部上并且是与对应的导电球电气连接。

较佳地，每一导电层包含一利用电镀方式以镍为材料形成的镍层。

较佳地，每一导电层包含一利用电镀方式以金为材料形成的金层。

较佳地，该对隔壁具有一个比该导电体的高度高的高度。

较佳地，该对隔壁具有一个与该导电体的高度相同的高度，且该导电体的导电连接部的顶端部分自该覆盖层暴露出来。

较佳地，该导电层是形成于整个对应的导电体上。

较佳地，更包含数个被形成于该晶片的对应的焊垫上的凸块，每一凸块是与对应的导电体的导电连接部接触。

本发明还提供一种半导体晶片封装体，其特征在于：包含：

一半导体晶片，其具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；

数个导电体，每一导电体具有一在该晶片的焊垫安装表面上延伸作为电路轨迹的延伸部及一延伸连接到一对应的焊垫的导电连接部；

一保护层，其是形成于该晶片的整个焊垫安装表面上且覆盖该导电体，于该保护层上形成有数个连通到对应的导电体的通孔；及

数个导电球，每一导电球是形成于对应的通孔内并且是与对应的导电体电气连接。

较佳地，该半导体晶片为从一晶圆切割出来的单一晶片。

较佳地，该半导体晶片为未从一晶圆切割出来的晶片。

较佳地，于该晶片的每一焊垫上形成有一电镀层。

较佳地，该导电体是由导电金属胶制成。

较佳地，该导电金属胶为掺杂有导电金属的导电金属胶。

较佳地，该保护层对应于该晶片的焊垫形成有数个被填注有覆盖材料的覆盖材料容置空间。

较佳地，该覆盖材料为环氧树脂。

较佳地，更包含数个导电层，每一导电层至少形成于对应的导电体的延伸部上并且是与对应的导电球电气连接。

较佳地，每一导电层包含一利用电镀方式以镍为材料形成的镍层。

较佳地，每一导电层包含一利用电镀方式以金为材料形成的金层。

较佳地，更包含数个被形成于该晶片的对应的焊垫上的凸块，每一凸块是与对应的导电体的导电连接部接触。