[发明专利]半导体晶片封装体及其封装方法无效
申请号: | 200710104200.1 | 申请日: | 2004-03-02 |
公开(公告)号: | CN101064291A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 沈育浓 | 申请(专利权)人: | 沈育浓 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 李树明 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 晶片 封装 及其 方法 | ||
1.一种半导体晶片封装体,其特征在于:包含:
一半导体晶片,其具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫;
数个导电体,每一导电体具有一在该晶片的焊垫安装表面上延伸作为电路轨迹的延伸部及一延伸连接到一对应的焊垫的导电连接部;
一保护层,其是形成于该晶片的整个焊垫安装表面上且覆盖该导电体,于该保护层上形成有数个连通到对应的导电体的通孔;及
数个导电球,每一导电球是形成于对应的通孔内并且是与对应的导电体电气连接。
2.如权利要求1所述的半导体晶片封装体,其特征在于:该半导体晶片为从一晶圆切割出来的单一晶片。
3.如权利要求1所述的半导体晶片封装体,其特征在于:该半导体晶片为未从一晶圆切割出来的晶片。
4.如权利要求1所述的半导体晶片封装体,其特征在于:于该晶片的每一焊垫上形成有一电镀层。
5.如权利要求1所述的半导体晶片封装体,其特征在于:该导电体是由导电金属胶制成。
6.如权利要求5所述的半导体晶片封装体,其特征在于:该导电金属胶为掺杂有导电金属的导电金属胶。
7.如权利要求1所述的半导体晶片封装体,其特征在于:该保护层对应于该晶片的焊垫形成有数个被填注有覆盖材料的覆盖材料容置空间。
8.如权利要求7所述的半导体晶片封装体,其特征在于:该覆盖材料为环氧树脂。
9.如权利要求1所述的半导体晶片封装体,其特征在于:更包含数个导电层,每一导电层至少形成于对应的导电体的延伸部上并且是与对应的导电球电气连接。
10.如权利要求9所述的半导体晶片封装体,其特征在于:每一导电层包含一利用电镀方式以镍为材料形成的镍层。
11.如权利要求9所述的半导体晶片封装体,其特征在于:每一导电层包含一利用电镀方式以金为材料形成的金层。
12.如权利要求1所述的半导体晶片封装体,其特征在于:更包含数个被形成于该晶片的对应的焊垫上的凸块,每一凸块是与对应的导电体的导电连接部接触。
13.一种半导体晶片封装体,其特征在于:包含:
一半导体晶片,其具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫;
数个导电接脚,该导电接脚是被设置于该晶片的焊垫安装表面上;
数个导电体,每一导电体电气连接对应的导电接脚和该晶片的对应的焊垫;
一保护层,其是形成于该晶片的整个焊垫安装表面上且覆盖该导电接脚和该导电体,于该保护层上形成有数个连通到对应的导电接脚的通孔;及
数个导电球,每一导电球是形成于对应的通孔内并且是与对应的导电接脚电气连接。
14.如权利要求13所述的半导体晶片封装体,其特征在于:该导电体为导线。
15.如权利要求13所述的半导体晶片封装体,其特征在于:该导电体为导电金属胶。
16.一种半导体晶片封装体,其特征在于:包含:
一半导体晶片,其具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫;
一薄膜基体,该薄膜基体具有一电路轨迹设置表面和数个设置于该表面上的电路轨迹,该薄膜基体的电路轨迹设置表面是与该晶片的焊垫安装表面粘接以使该电路轨迹与对应的焊垫电气连接,该薄膜基体更形成有数个用于暴露对应的电路轨迹的一部分的通孔;及
数个导电球,每一导电球是形成于对应的通孔并且是与对应的电路轨迹电气连接。
17.一种半导体晶片封装体,其特征在于:包含:
一半导体晶片,其具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫;
一薄膜基体,该薄膜基体具有一电路轨迹设置表面和数个设置于该表面上的电路轨迹,该薄膜基体的与该电路轨迹设置表面相对的表面是与该晶片的焊垫安装表面粘接,该薄膜基体更形成有数个将对应的电路轨迹与对应的焊垫电气连接的电镀贯孔;及
数个导电球,该导电球是被形成于对应的电路轨迹上。
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