专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种STT-MRAM相关电路的磁性工艺设计方法-CN202110295434.9有效
  • 王佑;侯正义;赵巍胜 - 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
  • 2021-03-19 - 2023-10-24 - G06F30/367
  • 本发明的一种STT‑MRAM相关电路的磁性工艺设计方法,用于STT‑MRAM相关电路的设计,包括通过计算机工具配置设计系统,所述设计系统包括STT‑MTJ单元库、标准单元库、工艺文件及物理验证规则文件,所述STT‑MTJ单元库包含以下文件:SPICE仿真模型veriloga,符号symbol,版图layout和auCdl;所述标准单元库中包含基于MTJ设计的1T1R基本存储单元、与非门、或非门、读写电路基本单元的电路图、符号和版图,可用于设计过程中直接调用。本发明的磁性工艺设计包囊括了STT‑MRAM相关电路设计所必需的各种文件,可辅助完成STT‑MRAM的全流程设计;本发明的设计规则可根据工艺厂商流片的数据灵活地进行配置,具有高可靠性和实用性;本发明的磁性工艺设计包具有很高的灵活性,可通过简单的修改与不同工艺节点的传统工艺设计包兼容。
  • 一种sttmram相关电路磁性工艺设计方法
  • [发明专利]基于STT-MRAM的可重构物理不可克隆函数的生成方法及装置-CN202010391874.X有效
  • 王佑;侯正义;张德明;赵巍胜 - 北京航空航天大学合肥创新研究院
  • 2020-05-11 - 2023-03-14 - G11C11/16
  • 本发明的一种基于STT‑MRAM的可重构物理不可克隆函数的生成方法及装置,基于两个译码器,一个STT‑MRAM存储阵列,两个多路选择器,以及一个传感放大电路;其中所述译码器与STT‑MRAM存储阵列相连,STT‑MRAM分为两部分,每部分接一个多路选择器。译码器根据输入激励对STT‑MRAM存储阵列中对应每部分的磁性隧道结MTJ位元进行寻址,寻址选定的MTJ位元通过所述两个多路选择器与传感放大电路相连,两两比较所选MTJ位元的电阻值大小,传感放大电路的输出即为该PUF电路的输出响应。通过对STT‑MRAM存储阵列中的部分磁性隧道结MTJ位元写入不同的初始状态实现可重构PUF。本发明通过选取任意数量的磁性隧道结MTJ比较组合,利用组合中的磁性隧道结MTJ两两比较来产生PUF输出,可大大提高响应速度,降低电路功耗。
  • 基于sttmram可重构物理不可克隆函数生成方法装置
  • [发明专利]一种非易失性存储器及其数据处理方法-CN202111050031.4在审
  • 侯正义;王昭昊;王朝;王旻;赵巍胜 - 北京航空航天大学
  • 2021-09-08 - 2021-12-10 - G06F3/06
  • 本发明提供一种非易失性存储器及其数据处理方法,所述非易失性存储器包括控制器、译码器和存储器阵列,其中:控制器分别与所述译码器和所述存储器阵列相连;存储器阵列包括真随机数发生单元和物理不可克隆函数单元,真随机数发生单元用于产生随机数序列,控制器根据所述随机数序列和预设算法生成随机字符串,并将生成的随机字符串存储到物理不可克隆函数单元形成物理不可克隆函数。所述数据处理方法应用于上述非易失性存储器。本发明实施例提供的非易失性存储器及其数据处理方法,利用存储器阵列实现随机字符串的生成和存储,从而实现PUF与存储器的复用以及PUF的刷新,无需使用外部独立的TRNG,减少了硬件安全电路的体积。
  • 一种非易失性存储器及其数据处理方法

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