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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种瞬态电压抑制器（TVS）芯片及制造方法-CN201610294942.4在审
发明人：朱世良;余挺 -专利权人：杭州东沃电子科技有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：增加P型区耗尽层结构，改变了P型扩散区的浓度结构曲线，利用P型扩散区耗尽层宽度的附加耐压，将器件的最高反向耐压值提高到800伏特以上；增加了N+区宽度；增宽了高导电率区域，增强了N+区对N基区发射电子的能力
一种瞬态电压抑制器 tvs 芯片制造方法

[发明专利]一种逐次逼近型模拟数字转换器-CN201610919653.9在审
发明人：赵辉;曹英帅 -专利权人：国民技术股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种逐次逼近型模拟数字转换器，包括如下采样开关与全差分电荷再分配型数字模拟转换器并联；并联后与动态比较器、异步转换逻辑电路依次串联；所述的全差分电荷再分配型数字模拟转换器包括P端电容阵列、N端电容阵列和基准驱动反向器；P端电容阵列与N端电容阵列对称，P端电容阵列与第一类基准驱动反向器串联，串联后第一类基准驱动反向器输出端部分与异步转换逻辑电路相连；N端电容阵列输出与第二类基准驱动反向器串联，串联后第二类基准驱动反向器输出端部分与异步转换逻辑电路相连
一种逐次逼近模拟数字转换器

[发明专利]基于由P系统进化的可编辑样本集的K最近邻分类算法-CN201710642135.1在审
发明人：彭宏;胡娟;陈光春;张国洲;黄文成;王军 -专利权人：西华大学
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明提供的基于由P系统进化的可编辑样本集的K最近邻分类算法包括：组织型P系统设计：系统包括q个细胞，每个细胞中包括m个对象，细胞中的对象为n维二进向量，用于指示原始样本集中的哪些样本被包含在可编辑样本集中；P系统的q个细胞协同地搜索最优指示向量Z：每个细胞中包含一个最好对象，每个细胞使用转运规则将其最好对象转运到环境中，更新环境中所对应的最好对象，并将自己的最好对象转运给下一个细胞；可编辑样本集生成：采用离散二进制
基于系统进化编辑样本近邻分类算法

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制作方法-CN201711364985.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：所述金属氧化物半导体晶体管包括P型阱区、形成于所述P型阱区表面的源区与漏区、形成于所述源区与漏区上及所述P型阱区上的栅极氧化层、形成于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅，所述栅极多晶硅包括至少部分位于所述源区的栅极氧化层上方的第一部分
金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

[发明专利]连续倾斜脉冲波面泵浦铌酸锂产生太赫兹波的方法及装置-CN201710599158.9在审
发明人：柴路;宋琦;胡明列;栗岩锋;王清月 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明，连续倾斜脉冲波面泵浦铌酸锂产生太赫兹波的装置，由飞秒激光光源、扩束镜、聚焦透镜、倾斜F‑P腔、限束光阑、成像透镜、铌酸锂晶体构成，倾斜F‑P腔由一片对泵浦激光波段的全反镜和一片薄膜部分反射镜平行放置构成；飞秒激光光源产生的激光脉冲经过所述的扩束镜后脉冲波面为平面，将焦点投射到倾斜F‑P腔的薄膜部分反射镜上，反射光再经成像透镜投射到铌酸锂晶体。
连续倾斜脉冲波面泵浦铌酸锂产生赫兹方法装置

[发明专利]集成超高压电阻的集成电路器件及其制作方法-CN201610389667.4在审
发明人：石金成;马万里;高振杰;李杰英;崔永军 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L29/8605 文献下载
摘要：本发明公开了集成超高压电阻的集成电路器件及其制作方法，方法包括在衬底中形成N型阱区和P型阱区，在N型阱区及P型阱区表面部分区域形成场氧化层；在场氧化层上预制作高压电阻的区域形成氮化硅层和覆盖该氮化硅层的氧化硅层；在衬底未被场氧化层覆盖区域形成栅氧化层；在氧化硅层、N型阱区上的栅氧化层及P型阱区上的栅氧化层上分别形成无掺杂多晶硅；对氧化硅层上的无掺杂多晶硅进行掺杂，形成高阻多晶硅，并对栅氧化层上的无掺杂多晶硅进行掺杂
集成超高压电阻集成电路器件及其制作方法

[发明专利]一种带电能计量和电器识别的1P导轨双闸智能断路器-CN201710865791.8在审
发明人：周华 -专利权人：周华
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H05K7/02 文献下载
摘要：一种带电能计量和电器识别的1P导轨双闸智能断路器，是一种采用ARM‑SoC系统级芯片的智能家居物联网用品。通过选用集成度高、功耗低、体积小的ARM‑SoC系统级芯片，配合级联直流电源供电方法——避免电源转换电路空间占用和电能转换损耗，以及特别设计的简易可靠小体积机械开关，在受限的1P导轨空间内按国家计量法规和4级EMC电磁兼容性能完成1P导轨断路器的多功能智能化改造。
一种电能计量器识别的导轨智能断路器

[发明专利]一种电机及压缩机-CN201710778275.1在审
发明人：徐飞;乔正忠;邱小华 -专利权人：广东美芝制冷设备有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H02K1/16 文献下载
摘要：所述线圈组绕制于所述定子凸齿上且包括多个线圈组，每个所述线圈组具有至少两个接头；两个电机引线组，每个所述电机引线组具有多根用于连接所述线圈组的接头和电机控制电路的电机引线；其中，所述定子槽隙的数量为Z个，所述转子极数的一半为P个，当所述线圈组的线圈仅跨过一个定子凸齿时，Z/P＝3或2.4；当所述线圈组的线圈跨过至少三个定子凸齿时，Z/P＝6或12。
一种电机压缩机

[发明专利]一种具有半球光子晶体复周期结构的高出光效率二极管-CN201710614758.8在审
发明人：葛道晗;黄修康;张立强;张金花;卢乐;程广贵;丁建宁 -专利权人：江苏大学
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有半球光子晶体复周期结构的高出光效率二极管，包括至下而上依次连接的蓝宝石衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；所述P型半导体层上设有正方晶格的半球光子晶体复周期结构阵列；本发明利用有限时域差分法，在P型半导体层上设计一种简单的大小半球复周期光子晶体结构，使LED的出光率大幅度提高，是普通LED的8.3倍左右。
一种具有半球光子晶体周期结构高出光效率二极管

[发明专利]一种太阳电池铝背场结构-CN201811598236.4在审
发明人：蒋建宝 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：胶膜甲的下端面安装有减反射涂层，所述减反射涂层的下端面安装有电池片，所述电池片的下端面安装有EVA胶膜乙，所述EVA胶膜乙的上方安装有电极，所述EVA胶膜乙的下端面安装有N型硅，所述N型硅的下端面安装有P型硅本发明通过波纹结构可以增大与P型硅的接触面，从而通过接触面获得更多面积的P++，增加电流的效益，且通过对铝背板进行覆盖耐磨层、抗腐蚀层和抗氧化涂层，减少风化，从而增加使用寿命。
下端面太阳能电池板钢化透明玻璃减反射涂层铝背场结构铝制框架电池片内壁覆盖耐磨层抗氧化涂层波纹结构导电铜带端面安装抗腐蚀层使用寿命铝背板电极风化

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法-CN201910185910.4在审
发明人：石峰;王洪占;王涛 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，其中，该芯片包括：永久衬底，位于所述永久衬底下的P型电极层，依次位于所述永久衬底上的键合层、镜面反射层、P型层、有源层、N型层和N型电极层；所述N型层包括与所述N型电极层接触的欧姆接触层和N型粗化层，所述N型粗化层包括与所述欧姆接触层和所述N型电极层接触的第一接触层和位于所述欧姆接触层之下且暴露于所述N型电极层之外的第一粗化层；所述P型层和所述镜面反射层的接触处包括位于所述
粗化层欧姆接触层永久衬发光二极管芯片镜面反射层制备发光二极管发光效率反极性键合层接触层接触处源层申请芯片暴露

[发明专利]用于麻醉呼吸机R值C值监测的通用算法-CN201711110905.4在审
发明人：刁俊 -专利权人：北京航天长峰股份有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G16H40/63 文献下载
摘要：一种用于麻醉呼吸机R值C值监测的通用算法，在病人的每一个呼吸周期的吸气阶段，每隔一定时间间隔，实时采集该时刻的供气容量V、压力P、流速F的值，并将采集的数据传送到控制器CPU；根据某一时刻t采集的容量V(t)、压力P(t)、流速F(t)的值，及下一时刻t+1采集的容量V(t+1)、压力P(t+1)、流速F(t+1)的值，通过控制器CPU计算出近似R值C值，将计算出的近似R值C值传入Kalman预估控制器进行估算
正态分布麻醉呼吸机控制器CPU 通用算法吸气阶段采集近似估算每隔一定时间间隔预估控制器存储单元呼吸周期实时采集数据传送控制器监测供气样本存储分类

[发明专利]开关元件及其制造方法-CN201811332301.9在审
发明人：旦野克典;山本建策;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：SiC基板具有：n型的源极区；p型的接触区；p型的体区，其在源极区的下侧处与栅极绝缘膜相接，并且与接触区相比p型杂质浓度较低；n型的漂移区，其在体区的下侧处与栅极绝缘膜相接；多个低寿命区，其被配置在源极区和接触区中的至少一方与漂移区之间
体区栅极绝缘膜开关元件接触区源极区低寿命区漂移区配置偏离隔开间隔栅极电极点缺陷面缺陷上表面偏角俯视制造延伸

[发明专利]高压电和高介电低温共烧压电陶瓷及其制备方法-CN201811577986.3在审
发明人：赵婉男;柳帅;龙康倩;王五松;褚涛;杨桂;李庆 -专利权人：贵州振华红云电子有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：该高压电和高介电低温共烧压电陶瓷化学通式为：(Pb_1‑qLa_q(Zr_1‑_xTi_x)_1‑p(Zn_yNi_zNb_1‑y‑z)_pO₃)，其中，x＝0.4‑0.6、y＝0.1‑0.2、z＝0.1‑0.2、P＝0.3‑0.5、q＝0‑0.1。
压电陶瓷高压电低温共烧高介电制备烧结烘干过筛球磨压电和介电性能氧化物原料化学通式极化处理聚乙烯醇陶瓷表面制备工艺电陶瓷被银成坯排胶烧银预烧造粒压制配方测试

[发明专利]一种冲击防护高分子测量杆制备方法及制备的测量杆-CN201811485460.2在审
发明人：郭云松;戴明;詹佳;彭勇晟;倪昔东;李平 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七0四研究所
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B29C39/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种冲击防护高分子测量杆制备方法及制备的测量杆，包括：准备浇注原料；所述浇注原料包括A料及P料；测量杆金属件包覆部位浇注前喷砂；粘接剂涂覆施工；设定A料和P料的计量泵转速，调节A、P料配比至指定比例
测量杆浇注制备熟化防护弹性体防护层高分子弹性体计量泵转速平板硫化机粘接剂涂覆烘箱包覆部位冲击响应多次冲击浇注模具平板硫化后熟化浇注孔金属件预热出模配比喷砂性状固化模具溢出测量取出组装施工

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