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[发明专利]键合层消失的间接键合-CN200480028279.9无效
发明人： N·达瓦尔;B·吉斯兰;C·奥内特;O·雷萨克;I·凯勒富克 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种制备包含支撑衬底(20)上的半导体材料薄层(2”)的结构的方法，所述薄层(2”)是由包含半导体材料上层(2)的施予衬底(10)而获得，所述方法的特征在于其包括：在所述上层(2)上形成键合层(3)，所述键合层(3)的材料接受上层(2)材料的元素的扩散；清洗所述键合层(3)以控制其键合粘附；将施予衬底(10)，从先前形成在上层(2)上并清洗过的键合层(3)的一侧，键合到支撑衬底(20)；以及将所述元素从上层扩散到键合层中，以使键合层及所述上层中所述元素的浓度均匀化，以便构成具有所述键合层及所述上层的所述结构的薄层(2”)。
键合层消失间接

[发明专利]垂直结构LED芯片的制造方法-CN202110650877.5有效
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫;石时曼 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：公开了一种垂直结构LED芯片的制造方法，包括在第一晶圆表面形成第一键合层，第一晶圆包括第一衬底以及外延层；在第二衬底表面形成第二键合层；在第一键合层和/或第二键合层表面上形成第三键合层；通过第一键合层、第二键合层及第三键合层将第一晶圆与第二衬底键合；将第一衬底剥离；第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层。在衬底转移过程中，通过第一键合层、第二键合层、第三键合层将外延层和第二衬底键合，第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层，在键合温度略高于第三键合层的熔点温度的环境下将外延层和第二衬底键合，以降低因材料晶格常数和热膨胀系统差异所导致的键合后翘曲问题。
垂直结构 led 芯片制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202310649974.1在审
发明人：陈珍;谢冬;姜玉丽 -专利权人：湖北江城实验室科技服务有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一半导体结构，包括：具有多个第一键合触点的第一键合层；合围多个第一键合触点的第一密封环；第一密封环贯穿至少部分第一键合层；第二半导体结构，包括：具有多个第二键合触点的第二键合层，具有多个第三键合触点的第三键合层；合围多个第二键合触点的第二密封环，第二密封环贯穿至少部分第二键合层；合围多个第三键合触点的第三密封环，第三密封环贯穿至少部分第三键合层；第三半导体结构，包括：具有多个第四键合触点的第四键合层；合围多个第四键合触点的第四密封环，第四密封环贯穿至少部分第四键合层；第一键合层与第二键合层键合；第三键合层与第四键合层键合。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]Mini LED/Micro LED灯珠的键合工艺和装置-CN202211152326.7在审
发明人：黄良斌;耿婷;黄良辉;王文磊 -专利权人：领先光学技术（江苏）有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mini LED/Micro LED灯珠的键合工艺和装置，属于显示器制造领域，所述工艺包括：检测第一键合层的完整性；在第一键合层和第二键合层连接处制造物理黏附层，并对第二键合层进行固定；分别以第一键合层和第二键合层相对应的一个基准位置作为原点建立两个平面坐标系；获取第一键合层的区域特征值和第二键合层的区域特征值；判断所述第一键合层的区域特征值是否匀称的覆盖在第二键合层的区域特征值上；利用压合模具对所述第一键合层和第二键合层进行物理键合本发明通过获取第一键合层和第二键合层的进行数学模型化，预先进行模拟键合，保证了第一键合层和第二键合层之间的位置准确性，降低了因为尺寸原因或错位安装，而导致的返工。
mini led micro 工艺装置

[发明专利]运动传感器及其制造方法-CN202211440551.0在审
发明人：赵波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种运动传感器及其制造方法，由于在MEMS晶圆上的第一键合层上又形成第二键合层，并使形成第二键合层的材料与形成在CMOS上的第三键合层的材料相同，如此以使通过执行光刻和刻蚀工艺形成第一键合层和第二键合层时，第二键合层能够保护第一键合层以避免第一键合层在光刻或刻蚀工艺中出现厚度损失的问题，从而保证了相互键合的第二键合层和第三键合层的总厚度与第一键合层的厚度的比值保持稳定，进而提升键合效果，避免器件失效。
运动传感器及其制造方法

[发明专利]具有可编程逻辑器件和异构存储器的统一半导体器件及其形成方法-CN201980002585.1有效
发明人：刘峻;程卫华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一半导体结构，第一半导体结构包括NAND存储器单元和第一键合层，第一键合层包括第一键合触点。半导体器件还包括第二半导体结构，第二半导体结构包括DRAM单元和第二键合层，第二键合层包括第二键合触点。半导体器件还包括第三半导体结构，第三半导体结构包括可编程逻辑器件和第三键合层，第三键合层包括第三键合触点。半导体器件还包括在第一键合层和第三键合层之间的第一键合界面、以及在第二键合层和第三键合层之间的第二键合界面。第一键合触点在第一键合界面处与第三键合触点的第一集合接触。第二键合触点在第二键合界面处与第三键合触点的第二集合接触。第一键合界面和第二键合界面在相同的平面中。
具有可编程逻辑器件存储器统一半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种倒装Micro LED芯片与基板的键合方法-CN202110096248.2有效
发明人：张建华;殷录桥;嵇啸啸 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装Micro LED芯片与基板的键合方法，依次在倒装Micro LED芯片表面制备粘附层、种子层、第一键合层、催化层和第二键合层，然后将Micro LED芯片的第一键合层、催化层和第二键合层基板的键合，本发明在不影响键合强度和键合稳定性的前提下，能够降低成本，同时可以实现低温键合。
一种倒装 micro led 芯片方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110361111.5在审
发明人：杜杨;林永丰;林琮翔;周钰杰;周政道;卢奕均;陈俊旭 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括陶瓷基底、第一键合层、第二键合层、空腔、及半导体层。其中，陶瓷基底包括位于其表面的孔洞。第一键合层设置于陶瓷基底的表面之上，且第二键合层键合至第一键合层。空腔设置于孔洞的上方且被第一键合层及第二键合层围封。半导体层延伸跨越空腔的上方且沿着第二键合层的表面而设置。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]键合结构及其形成方法-CN201410199435.3有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请公开了一种键合结构及其形成方法，该键合结构包括：键合层，键合层包括键合金属和晶粒细化材料，晶粒细化材料用于细化键合金属的晶粒。本申请为了解决现有技术中的键合层的机械强度较差的问题，使键合层包括键合金属和用于细化键合金属晶粒的晶粒细化材料，这样，便可以使键合金属的晶粒细化，进而可以提高键合层的机械强度，使得键合层的结构更加稳固，有效地避免了出现键合结构的键合层容易松动、脱落的问题。
结构及其形成方法

[发明专利]堆叠三维异质存储器件及其形成方法-CN201980002601.7在审
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：例如，3D存储器件包括：NAND存储单元和包括第一键合触点的第一键合层。3D存储器件还包括第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：DRAM单元和包括第二键合触点的第二键合层。3D存储器件还包括第三半导体结构，所述第三半导体结构包括：SRAM单元、包括第三键合触点的第三键合层、和包括第四键合触点的第四键合层。第三键合层和第四键合层处于SRAM单元的两侧。半导体器件还包括在第一键合层和第三键合层之间的第一键合界面。第一键合触点在第一键合界面处与第三键合触点相接触。3D存储器件还包括在第二键合层和第四键合层之间的第二键合界面。第二键合触点在第二键合界面处与第四键合触点相接触。
堆叠三维存储器件及其形成方法

[实用新型]三维封装结构-CN201420155463.0有效
发明人：王文斌;王之奇;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种三维封装结构，包括：第一衬底，第一衬底上具有第一焊盘；位于第一焊盘上的第一键合层；位于第一键合层周围形成保护墙，所述保护墙的顶部表面高于第一键合层的表面；倒装在第一衬底上的第二衬底，所述第二衬底上具有第二焊盘，所述第二焊盘的表面上具有第二键合层，第二衬底上的第二键合层与第一衬底上的第一键合层键合连接，所述保护墙围绕所述第一键合层和第二键合层。本实用新型的三维封装结构具有保护墙，在进行第一键合层和第二键合层的键合时，防止第一键合层或第二键合层材料向键合面两侧的溢出。
三维封装结构

[发明专利]堆叠三维异质存储器件及其形成方法-CN202210433957.X在审
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：例如，3D存储器件包括：SRAM单元和包括第一键合触点的第一键合层。3D存储器件还包括第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：包括DRAM单元的多个DRAM堆叠体和包括第二键合触点的第二键合层。3D存储器件还包括第三半导体结构，所述第三半导体结构包括：NAND存储单元、包括第三键合触点的第三键合层、和包括第四键合触点的第四键合层。第三键合层和第四键合层处于NAND存储单元的两侧。半导体器件还包括在第一键合层和第三键合层之间的第一键合界面。第一键合触点在第一键合界面处与第三键合触点相接触。3D存储器件还包括在第二键合层和第四键合层之间的第二键合界面。第二键合触点在第二键合界面处与第四键合触点相接触。
堆叠三维存储器件及其形成方法

[发明专利]一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构-CN202111575188.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构。所述键合结构包括第一键合金属层、第二键合金属层和第三键合金属层；所述第三键合金属层设置于所述声表面滤波器的盖板下表面的键合面上；所述第一键合金属层设置于所述第三键合金属层非盖板一侧的表面上；所述第二键合金属层设置于所述声表面滤波器的基体上表面与所述盖板进行键合的键合面上；所述第一键合金属层上设有多组键合凹槽；所述第二键合金属层上设置有与所述键合凹槽形状和数量相同，但高度与所述键合凹槽深度尺寸不同的多组键合凸起。
一种表面滤波器方法及其结构

[发明专利]CIS器件键合的方法-CN202310521533.3在审
发明人：闫业玲;盛利航;高原 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CIS器件键合的方法，提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有待键合的上衬底，第二晶圆具有待键合的下衬底；在第一晶圆的上衬底上形成第一键合层，第一键合层上形成有多个孔洞，使得第一键合层为网格空心结构；在第二晶圆的下衬底上形成第二键合层，第二键合层上形成有多个孔洞，使得第二键合层为网格空心结构；将第一晶圆的第一键合层与第二晶圆的第二键合层进行键合。本发明的键合方法发生键合层凹陷的风险更低，更易形成接触良好的键合界面，因而晶圆在电性测试的过程中，能保证更高的准确性。
cis 器件方法

[发明专利]三维封装结构及其形成方法-CN201410128591.0有效
发明人：王文斌;王之奇;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种三维封装结构及其形成方法，所述三维封装结构的形成方法，包括提供第一衬底，第一衬底上具有第一焊盘；在第一焊盘上形成第一键合层；在第一键合层周围形成保护墙，所述保护墙的顶部表面高于第一键合层的表面；提供第二衬底，所述第二衬底上具有第二焊盘；在所述第二焊盘上形成第二键合层；将第二衬底倒装在第一衬底上，将第二衬底上的第二键合层与第一衬底上的第一键合层键合连接，使得所述保护墙围绕所述第一键合层和第二键合层。本发明通过形成保护墙，在进行第一键合层和第二键合层的键合时，防止第一键合层或第二键合层材料向键合面两侧的溢出。
三维封装结构及其形成方法

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