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[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201610642822.9有效
发明人：李广宁;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底中形成沟槽；在所述沟槽中填充金属形成第一插塞，且所述第一插塞的上表面高于所述第一衬底的一表面；提供第二衬底，所述第二衬底中具有第二插塞及与所述第二插塞的一端连接的器件层，所述第二插塞的另一端在所述第二衬底的一表面处暴露；以及将所述第一衬底的一表面与所述第二衬底的一表面键合，且所述第一插塞与所述第二插塞电性连接，所述第一插塞和所述第二插塞形成通孔。本发明中，形成的通孔的深宽比更大，节省通孔占用的器件的面积，降低成本。
半导体器件制备方法

[发明专利]检测晶圆中铁含量异常的装置及其方法-CN201510564059.8有效
发明人：李广宁;陈林;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种检测晶圆中铁(Fe)含量异常的装置及其方法，包括晶圆承载台、注入腔体、光照腔体、热处理腔体和少子寿命测量腔体，晶圆可以在各个腔体之间进行传递。本发明中，在基准晶圆和待测晶圆表面形成第一掺杂层和第二掺杂层，掺杂离子与Fe离子在光照下形成第一复合体和第二复合体，使晶圆的少子寿命降低，对晶圆进行热处理之后，第一复合体和第二复合体分解，晶圆的少子寿命又恢复为初始值。因此，通过测量不同时刻晶圆的少子寿命，将待测晶圆与基准晶圆的少子寿命下降的数值进行对比，从而判断待测晶圆中铁含量是否异常。此外，铁含量越高，形成的第一复合体和第二复合体越多，晶圆的少子寿命越小，半定量得出不同晶圆之间铁含量的差异。
检测晶圆中铁含量异常装置及其方法

[发明专利]EUV光源和曝光装置-CN201410549374.9有效
发明人：伍强;岳力挽;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种EUV光源和曝光装置，其中所述EUV光源，包括液滴阵列，包括沿扫描方向排布的若干喷嘴，适于依次向下方的辐射位置喷吐液滴；激光源，适于产生第一激光束和第二激光束，并使第一激光束和第二激光束分别沿扫描方向扫描，交替的轰击到达辐射位置的不同排的液滴，形成辐射极紫外光；聚光镜和第一驱动装置，第一驱动装置驱动所述聚光镜旋转扫描，收集的极紫外光汇聚于中心焦点，聚光镜包括上部分聚光镜和下部分聚光镜，上部分聚光镜包括至少两个第一子聚光镜，下部分聚光镜包括至少两个第二子聚光镜，每个第一子驱动装置与一个第一子聚光镜连接，每个第二子驱动装置与一个第二子聚光镜连接。本发明的EUV光源输出的极紫外光的功率增加。
euv 光源曝光装置

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201210454774.2有效
发明人： 徐依协;金兰;涂火金 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括提供具有栅极结构的半导体衬底；在栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；在所述开口内形成第一应力层；对所述第一应力层进行离子注入；形成填充满所述开口的第二应力层。本发明的晶体管形成方法形成的晶体管性能佳。
晶体管形成方法

[发明专利]MOS晶体管及其形成方法-CN201210477234.6有效
发明人：韩秋华;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种MOS晶体管及其形成方法，其中，所述MOS晶体管的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构，位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源区和漏区；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅极结构、所述源区和漏区；形成覆盖第一介质层的第二介质层，并化学机械研磨所述第二介质层和第一介质层，直至暴露出所述栅极结构表面；刻蚀所述第一介质层，形成第一开口；在所述第一开口内填充第三介质层，所述第三介质层材料的介电常数小于第一介质层材料；形成第四介质层；形成暴露所述源区和漏区的接触孔；形成填充所述接触孔的导电插塞。本发明MOS晶体管的形成方法降低了导电插塞和栅极结构之间的寄生电容。
mos 晶体管及其形成方法

[发明专利]极紫外光刻机光源系统及极紫外曝光方法-CN201310315161.5有效
发明人： 徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明描述一种低污染的极紫外光刻机光源系统及避免源污染的极紫外曝光方法，其中极紫外光刻机光源系统包括激光辐射装置，适于提供激光辐射；极紫外光激发源，适于接受激光辐射产生极紫外光；收集器，用于收集极紫外光；其中，所述收集器包括若干反射镜，所述反射镜在收集极紫外光时配置成反射态和非反射态，其中，所述反射态适于反射极紫外光；非反射态适于躲避凝聚态颗粒污染。本发明提供的极紫外光刻机光源系统和极紫外曝光方法对光源系统的污染低。
紫外光刻光源系统曝光方法

[发明专利]极紫外光刻机光源系统及极紫外曝光方法-CN201310315299.5有效
发明人： 徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明描述一种低污染的极紫外光刻机光源系统及避免源污染的极紫外曝光方法，其中极紫外光刻机光源系统包括极紫外光激发源，适于接受激光辐射或高压等离子体而产生极紫外光，在激光辐射中产生凝聚态颗粒飞出极紫外光激发源；收集器，用于汇聚极紫外光；冷凝器，用于冷凝飞出的凝聚态颗粒，其中，所述冷凝器环绕构成外墙，所述外墙包覆预定空间，所述空间适于极紫外光汇聚。本发明提供的极紫外光刻机光源系统和极紫外曝光方法对光源系统的污染低。
紫外光刻光源系统曝光方法

[发明专利]双嵌套铜互连结构及其制作方法-CN201310136117.8有效
发明人：肖德元;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种双嵌套铜互连结构及其制作方法，所述双嵌套铜互连结构中，金属连线表面的金属扩散阻挡层被一掺氮层所包围，或金属连线及导电插塞位于层间介质层中的部分表面的金属扩散阻挡层被一掺氮层所包围。所述掺氮层通过氮气或氨气等离子体处理得到。所述掺氮层提高了层间介质层与金属之间的粘附力，并且所述掺氮层与第二帽层之间连接的机械强度也更高，从而进一步提高了铜与第二帽层之间的粘附力，改善了器件的抗电迁移能力，并且所述掺氮层还可以在金属扩散阻挡层的基础上进一步阻止铜扩散到层间介质中，防止器件出现短路的现象。
嵌套互连结构及其制作方法

[发明专利]半导体散热结构及其形成方法、半导体芯片-CN201210312996.0有效
发明人：甘正浩;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体散热结构及其形成方法、半导体芯片，其中所述半导体散热结构包括贯穿半导体衬底的通孔，所述通孔内填充有导热材料，且所述通孔周围形成有器件结构。所述半导体芯片包括至少两个层叠设置的衬底，每一衬底内均形成有器件结构，相邻设置的两个衬底之间具有焊垫结构，所述焊垫结构位于其中一衬底的表面上，与该衬底内的器件结构电连接，另一衬底内具有穿透硅通孔，与所述焊垫结构电连接；以及至少有一个衬底中形成有通孔，所述通孔贯穿其所在的衬底，且所述通孔内填充有导热材料，用于散热。所述半导体散热结构和半导体芯片中的通孔能够减少热量在芯片内部的横向传递，及其减小热量的导出路径，从而提高散热效率。
半导体散热结构及其形成方法芯片

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置-CN201510086614.0在审
发明人：肖德元;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述半导体器件，包括：半导体衬底；后部栅极，位于所述半导体衬底上；第一栅极介电层，位于所述后部栅极上；沟道层，位于所述第一栅极介电层上，其中所述沟道层包括至少一层硅烯；第二栅极介电层，位于所述沟道层上；前部栅极，位于所述第二栅极介电层上。在所述半导体器件中所述硅烯具有单层二维蜂窝状网格结构，和石墨烯类似的结构和性质，由于所述硅烯极薄因此制备得到的硅烯场效应晶体管尺寸更小，具有更短的沟道长度以及更高速度，避免遭遇短沟道效用的不利影响。
一种半导体器件及其制备方法电子装置

[发明专利]货物运输管理方法和系统-CN201510051707.X在审
发明人：伍强;孔德平;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： G06Q10/08 文献下载
摘要：一种货物运输管理方法和系统，其中，所述方法包括：在运输中继站点读取待运输货物的物流属性信息；读取途经所述运输中继站点的交通工具的运输请求信息；匹配所述货物的物流属性信息和所述交通工具的运输请求信息；当所述待运输货物的物流属性信息和所述交通工具的运输请求信息相匹配时，通过所述运输中继站点的机械传送装置向所述交通工具分发相匹配的待运输货物。通过所述方法和系统可以对货物运输系统进行管理控制以改善交通拥堵，减少尾气污染。
货物运输管理方法系统

[实用新型]研磨头及研磨装置-CN201420330213.6有效
发明人：唐强;马智勇;肖德元;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本实用新型公开一种研磨头及研磨装置，通过在所述限位环的底部设置若干第一槽和若干第二槽；第一槽的分布方向与研磨头旋转的方向保持一致，第二槽的分布方向与研磨头旋转的方向相反，在进行化学机械研磨时，研磨残渣大部分可由所述第一槽排出去，少部分由所述第二槽排出去，进而避免了所有研磨残渣均由方便研磨液流通的第二槽排出，容易沉积研磨残渣，造成研磨液流通不畅、晶圆出现损伤的现象，提高了产品良率。
研磨装置

[实用新型]研磨头及研磨装置-CN201420330454.0有效
发明人：唐强;马智勇;肖德元;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本实用新型公开一种研磨头及研磨装置，所述研磨头包括：本体、设置于所述本体上的限位环；其中，所述限位环的底部设置有若干第一槽和若干第二槽；所述第一槽为弧形槽。通过在所述限位环的底部设置若干第一槽和若干第二槽，将所述第一槽设计为弧形槽，在进行化学机械研磨时，研磨残渣大部分可由所述第一槽排出去，少部分由所述第二槽排出去，进而避免了所有研磨残渣均由方便研磨液流通的第二槽排出，容易沉积研磨残渣，造成研磨液流通不畅、晶圆出现损伤的现象，提高了产品良率。
研磨装置

[发明专利]电熔丝结构及其形成方法-CN201310113259.2有效
发明人：甘正浩;徐依协;朱志炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种电熔丝结构及其形成方法，所述电熔丝结构包括：基底，位于所述基底表面的第一导电层，覆盖所述第一导电层和基底的层间介质层，位于所述第一导电层表面且贯穿层间介质层的第一导电插塞，位于所述第一导电插塞和层间介质层表面的第二导电层，其中，所述第一导电层与第一导电插塞的底部表面部分接触或者所述第二导电层与第一导电插塞的顶部表面部分接触。由于所述第一导电插塞与第一导电层、第二导电层部分接触，所述部分接触的位置电阻更大，电场强度更大，电迁移的速率更快，使得所述部分接触的位置更容易被熔断，熔断时间变短，更容易控制。
电熔丝结构及其形成方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201210492206.1有效
发明人：肖德元;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管及其制造方法，所述晶体管的制造方法，包括：在半导体基底上形成银层；在所述银层上形成至少一层具有类石墨烯结构的硅层；对与所述硅层相接触的银层表面进行氧化，形成位于硅层和银层之间的氧化银层，以形成由所述半导体基底、银层、氧化银层构成的背栅结构；在硅层上形成与所述硅层相接触的源极和漏极，以形成以所述硅层为沟道的晶体管。所述晶体管，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的银层；位于所述银层上的氧化银层；位于所述氧化银层上的至少一层具有类石墨烯结构的硅层。位于硅层上且与所述硅层相接触的源极和漏极。本发明晶体管具有较高载流子迁移率的沟道，因而具有优良的性能。
晶体管及其制造方法

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