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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件和电平移位电路-CN202310779468.4在审
发明人：黄禹轩;蔡庆威;邱奕勋;陈豪育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种半导体器件和电平移位电路，半导体器件包括形成在衬底中的多个晶体管、设置在衬底前侧上的前侧电源轨和设置在衬底背侧上的背侧电源轨。晶体管形成至少在第一电源电压下工作的第一单元和在不同于第一电源电压的第二电源电压下工作的第二单元。前侧电源轨向第一单元提供第一电源电压，背侧电源轨向第二单元提供第二电源电压。
半导体器件电平移位电路

[发明专利]封装半导体器件及其形成方法-CN202110255868.6有效
发明人：庄其毅;陈豪育;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了用于形成包括背侧电源轨的封装半导体器件的方法以及由其形成的封装半导体器件。在实施例中，器件包括第一集成电路器件，该第一集成电路器件包括位于第一器件层中的第一晶体管结构；位于第一器件层的前侧上的前侧互连结构；以及位于第一器件层的背侧上的背侧互连结构，背侧互连结构包括位于第一器件层的背侧上的第一介电层；以及穿过第一介电层延伸至第一晶体管结构的源极/漏极区域的第一接触件；以及第二集成电路器件，该第二集成电路器件包括位于第二器件层中的第二晶体管结构；以及位于第二器件层上的第一互连结构，第一互连结构通过电介质至电介质接合和金属至金属接合而接合至前侧互连结构。
封装半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210911538.2在审
发明人：黄禹轩;陈豪育;蔡劲;林志昌;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：器件包括半导体纳米结构的垂直堆叠件、栅极结构、第一外延区域和介电结构。栅极结构包裹半导体纳米结构。第一外延区域横向邻接半导体纳米结构的第一半导体纳米结构。介电结构横向邻接半导体纳米结构的第二半导体纳米结构并且垂直邻接第一外延区域。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210955460.4在审
发明人：廖翊博;黄禹轩;陈豪育;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置具有前侧至背侧的电路径以穿过源极/漏极结构。在一些实施例中，前侧至背侧的导电路径穿过标准单元中的源极/漏极结构。在其他实施例中，前侧至背侧的导电路径穿过填充单元中的源极/漏极结构。前侧至背侧的导电路径使局部连接、背侧信号连接及/或背侧电源轨连接所用的弹性绕线可行。
半导体装置

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202210505912.9在审
发明人：黄禹轩;彭士玮;邱德馨;陈豪育;程冠伦;曾健庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种集成电路(IC)器件及其制造方法，该集成电路器件包括在第一方向上延伸并在垂直于第一方向的第二方向上具有第一节距的第一多个有源区，以及在第一方向上延伸的、从所述第一方向偏移的第二多个有源区。第一多个有源区在第一方向上，并且在第二方向上具有第二节距。第二节距与第一节距之比为3:2。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210058376.2在审
发明人：黄旺骏;陈豪育;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的半导体结构包括：至少一个第一半导体元件和至少一个第二半导体元件，位于衬底上方；介电鳍，设置在至少一个第一半导体元件和至少一个第二半导体元件之间；第一功函金属层，包裹至少一个第一半导体元件的每个并且从至少一个第一半导体元件连续延伸至介电鳍的顶面；以及第二功函金属层；设置在至少一个第二半导体元件和第一功函金属层上方。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210065856.1在审
发明人：黄旺骏;黄禹轩;陈豪育;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法包括经由基板的背侧移除栅极结构的一部分，以形成沟槽而将栅极结构隔离成两个部分。该方法还包括沉积牺牲材料于沟槽中，且牺牲材料顺应性地沿着沟槽的侧壁；将第一介电材料填入沟槽的其余部分；部分地移除牺牲材料，以保留开口于第一介电材料与栅极结构之间；以及将功函数金属填入开口。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202210184159.8在审
发明人：庄其毅;钟政庭;陈豪育;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包括第一及第二源极/漏极外延特征、设置于第一与第二源极/漏极外延特征间的第一栅极电极层、第三及第四源极/漏极外延特征、设置于第三与第四源极/漏极外延特征间的第二栅极电极层、设置于第一及第二源极/漏极外延特征上的第五及第六源极/漏极外延特征以及设置于第五与第六源极/漏极外延特征间的第三栅极电极层。第三栅极电极层电性连接至第二源极/漏极外延特征。上述结构包括设置于第三及第四源极/漏极外延特征上的第七及第八源极/漏极外延特征。第二栅极电极层设置于第七与第八源极/漏极外延特征间。
半导体装置结构

[发明专利]具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构-CN202210118439.9在审
发明人：钟政庭;陈建宏;马哈维;陈豪育;蔡劲;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构。提供了半导体器件及其形成方法。一种方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方淀积二维(2D)材料层；形成与半导体结构和2D材料层电连接的源极特征和漏极特征，其中源极特征和漏极特征包括半导体材料；并且在二维材料层上方形成栅极结构，该栅极结构介于源极特征和漏极特征之间。栅极结构、源极特征、漏极特征、半导体结构和2D材料层被配置为形成场效应晶体管。半导体结构和2D材料层分别充当源极特征和漏极特征之间的第一沟道和第二沟道。
具有对称衬底接触沟道晶体管结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110931296.9在审
发明人：黄禹轩;蔡庆威;邱奕勋;廖翊博;程冠伦;林威呈;赖韦安;蔡铭谦;曾健庭;陈豪育;谌俊元;苏焕杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体结构包括具有第一源极/漏极(S/D)部件和第一栅极的第一晶体管；具有第二S/D部件和第二栅极的第二晶体管；设置在第一晶体管和第二晶体管上方的多层互连件；位于第一晶体管和第二晶体管下方的信号互连件；以及位于信号互连件下方并且与信号互连件电隔离的电源轨，其中，信号互连件将第一S/D部件和第一栅极的一个电连接至第二S/D部件和第二栅极的一个。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]多栅极器件及其制造方法-CN202110932053.7在审
发明人：程冠伦;黄禹轩;陈豪育;蔡庆威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本文公开了多栅极器件及其制造方法。示例性多栅极器件包括设置在第一区域中的第一FET；以及设置在衬底的第二区域中的第二FET。第一FET包括设置在衬底上方的第一沟道层，以及设置在第一沟道层上并且延伸以包裹第一沟道层的每个的第一栅极堆叠件。第二FET包括设置在衬底上方的第二沟道层，以及设置在第二沟道层上并且延伸以包裹第二沟道层的每个的第二栅极堆叠件。第一沟道层的数量大于第二沟道层的数量。第一沟道层的最底部一个位于第二沟道层的最底部一个下方。
栅极器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110158373.1在审
发明人：庄其毅;陈豪育;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的半导体器件包括第一晶体管和设置在第一晶体管上方的第二晶体管。第一晶体管包括彼此竖直堆叠的多个沟道构件以及邻接多个沟道构件的第一源极/漏极部件。第二晶体管包括鳍结构和邻接鳍结构的第二源极/漏极部件。半导体器件还包括电连接第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件的导电部件。本申请的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110859420.5在审
发明人：钟政庭;陈豪育;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括第一沟道层的堆叠件以及分别与第一沟道层的至少部分的相对侧相邻的第一源极/漏极(S/D)外延部件和第二源极/漏极外延部件。第一源极/漏极外延部件和第二源极/漏极外延部件具有第一导电类型。半导体器件也包括堆叠在第一沟道层上方的第二沟道层的堆叠件以及分别与第二沟道层的至少部分的相对侧相邻的第三源极/漏极(S/D)外延部件和第四源极/漏极外延部件。第三源极/漏极外延部件和第四源极/漏极外延部件具有第二导电类型。第一沟道层的总有源沟道层数量与第二沟道层的总有源沟道层数量不同。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110185540.1在审
发明人：钟政庭;陈豪育;蔡庆威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括半导体层、栅极结构、源极/漏极外延结构、后侧介电盖和内部间隔件。该栅极结构包围半导体层。源极/漏极外延结构与该栅极结构相邻，并电连接到半导体层。后侧介电盖位于该栅极结构下方并与该栅极结构直接接触。内部间隔件与栅极结构和后侧介电盖直接接触。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110480240.6在审
发明人：廖翊博;黄禹轩;李韦儒;陈豪育;郑存甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括第一互连结构、在第一互连结构上方的第一晶体管、在第一晶体管上方的第二晶体管以及在第二晶体管上方的第二互连结构。该第一晶体管包括第一纳米结构和与第一纳米结构邻接的第一源极区。该第二晶体管包括第二纳米结构和与第二纳米结构邻接的第二源极区。该第一源极区耦接到第一互连结构中的第一电源轨，并且该第二源极区耦接到第二互连结构中的第二电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

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