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- [发明专利]半导体装置-CN200910118762.0有效
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水村章;安茂博章;大石哲也
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索尼株式会社
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2009-03-11
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2009-09-16
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H01L27/088
- 本发明公开了一种半导体装置，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管各由多个鳍式晶体管形成，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被并联连接从而在电气方面共用源极，其中所述多个鳍式晶体管各自包括鳍式活性层，所述鳍式活性层从半导体基板上突出，在所述鳍式活性层的一端上形成有用作所述源极的源极层且在所述鳍式活性层的另一端上形成有漏极层，从而形成沟道区域，所述鳍式活性层被配置为平行地彼此相邻，并且所述漏极层被布置为使电流在所述第一晶体管与所述第二晶体管中以相反的方向流过所述多个鳍式晶体管该半导体装置提供了集成的鳍式场效应晶体管之间的窄间距宽度和极好匹配。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201210114943.8有效
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水村章;安茂博章;大石哲也
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索尼株式会社
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2009-03-11
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2012-09-12
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H01L27/02
- 本发明公开了一种半导体装置，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管各由多个鳍式晶体管形成，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被并联连接从而在电气方面共用源极，其中所述多个鳍式晶体管各自包括鳍式活性层，所述鳍式活性层从半导体基板上突出，在所述鳍式活性层的一端上形成有用作所述源极的源极层且在所述鳍式活性层的另一端上形成有漏极层，从而形成沟道区域，所述鳍式活性层被配置为平行地彼此相邻，并且所述漏极层被布置为使电流在所述第一晶体管与所述第二晶体管中以相反的方向流过所述多个鳍式晶体管该半导体装置提供了集成的鳍式场效应晶体管之间的窄间距宽度和极好匹配。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201610900624.8在审
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江国诚;蔡庆威;王志豪;梁英强
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2016-10-17
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2017-04-26
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H01L27/088
- 一种半导体装置，包含第一鳍式场效晶体管及第二鳍式场效晶体管。第一鳍式场效晶体管包含第一栅极、第一源极及第一漏极，且具有源极/漏极间的第一距离。第二鳍式场效晶体管包含第二栅极、第二源极及第二漏极，且具有小于第一鳍式场效晶体管源极/漏极间距离的第二距离。在一些实施例中，第一鳍式场效晶体管装置为一种输入/输出装置，而第二鳍式场效晶体管装置为诸如一核心装置的非输入/输出装置。在一些实施例中，第一鳍式场效晶体管源极/漏极之间具有较大的距离，是因为第一鳍式场效晶体管装置的一附加间隔层而第二鳍式场效晶体管装置没有。其功效在于可减少短通道效应。
- 半导体装置
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