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[发明专利]二极管结构-CN201910924245.6在审
发明人： F·拉努瓦 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本文描述了二极管结构。本发明涉及一种结构，该结构在衬底的沟槽中包括：第一传导区域，其与衬底分离第一距离，第一距离短于约10nm；以及第二传导区域，其比第一区域更深地延伸。
二极管结构

[实用新型]二极管结构-CN201621092544.6有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种二极管结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离鳍区域与鳍阵列区域，在所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域上分别形成有多个第一鳍和第二鳍；第一浅沟槽，隔离所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域；多个相间隔排列的第一接触件和第一虚拟件，位于多个所述第一鳍的上方；多个相间隔排列的第二接触件和第二虚拟件，位于多个所述第二鳍的上方；多个第二浅沟槽，位于所述第一虚拟件底部的半导体衬底内；第一虚拟件与第二虚拟件的设置，能够提高后续化学机械平坦化步骤中介质层的均一性，并且隔离层填充满所述第二浅沟槽，用于减少栅极侧壁的寄生电容，从而提高半导体器件的电学性能。
二极管结构

[实用新型]二极管结构-CN201721073674.X有效
发明人：徐涵 -专利权人：英属开曼群岛商虹扬发展科技股份有限公司台湾分公司;扬州虹扬科技发展有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种二极管结构，通过于二极管本体上的第一凹部中形成更深的第二凹部，以产生深浅不同的至少两凹部，借此降低二极管外加反向偏压下结接面的表面电场强度，进而降低漏电。另通过深浅不同两凹部及第一及第二绝缘层厚度的搭配调整反向偏压下电场分布切线为多峰结构，借此进一步提升同一原材料下的制作的二极管反向耐崩电压表现。进一步提升相同反向冲击电流下的二极管抗雷击能力。
二极管结构

[实用新型]二极管结构-CN202020914638.7有效
发明人：罗国丰;林仲汉;吴丞恩;朱煜;庄豪仁;许延有 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种二极管结构，包含基板、柱体堆叠、以及第一阻障层。柱体堆叠设于基板上，其中柱体堆叠包含第一半导体层、硅层、以及第二半导体。第二半导体层与第一半导体层分别掺杂不同的掺质，第二半导体层与第一半导体层的电性不同。
二极管结构

[发明专利]二极管结构-CN200680012734.5无效
发明人：拉塞尔·杜安 -专利权人：考克大学－爱尔兰国立大学;考克
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：开基极半导体二极管器件具有发射极层、基极层和集电极层。所述器件可以具有双基极结构，并且掺杂度较低的基极区的宽度可以被最小化，以使得在由雪崩引起的电导调制出现处的电流密度J_crit增加。在一个例子中，所述器件包括N－N+或P－P+双发射极。N－层或P－层的厚度可以被最小化，使得载流能力被最大化，并且该层的掺杂不影响所述器件的载流能力。
二极管结构

[发明专利]发光二极管元件以及发光二极管电路-CN202210392697.6在审
发明人：李俊雨;吴仰恩;苏松宇;王贤军;王雅榕;谢嘉定;黄建富;林欣莹 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开内容提供一种发光二极管元件以及发光二极管电路，发光二极管元件包含基体以及多个P‑N二极管结构。P‑N二极管结构彼此串联耦接并整合在基体上。P‑N二极管结构包含多个P型掺杂层以及多个N型掺杂层。P‑N二极管结构中第一P‑N二极管结构的P型掺杂层电性耦接P‑N二极管结构中相邻第一P‑N二极管结构的第二P‑N二极管结构的N型掺杂层。
发光二极管元件以及电路

[发明专利]发光二极管芯片及发光装置-CN202111272060.5在审
发明人：杨人龙;左锋;张丽明;林维鹏;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片及发光装置，包括发光二极管、保护二极管、绝缘层、第一焊盘和第二焊盘，保护二极管是通过反向并联的方式连接于发光二极管，每个发光二极管都包括外延结构，外延结构包括依次层叠的N半导体层、发光层和P半导体层，绝缘层覆盖二极管的外延结构并具有多个开口，第一焊盘通过开口电连接到发光二极管的N半导体层与保护二极管的P半导体层，第二焊盘通过开口电连接到发光二极管的P半导体层与保护二极管的N半导体层，保护二极管的外延结构位于发光二极管的第一外延结构的外侧，保护二极管的外延结构的长度介于发光二极管的外延结构的长度的50％至110％。借此，可大幅提升发光二极管芯片的抗ESD能力。
发光二极管芯片发光装置

[发明专利]用于控制二极管中的电导率调制的集成防护结构-CN202280009947.1在审
发明人： A·C·艾帕斯瓦梅 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种微电子器件(100)包括位于衬底(104)上的集成防护结构二极管(102)。集成防护结构二极管(102)包括二极管的第一端子(134)、二极管的第二端子(136)以及防护结构(138)。防护结构(138)位于二极管的第一端子(134)与二极管的第二端子(136)之间。二极管的第一端子(134)和防护结构(138)彼此电连接。可选的开关元件(154)可以在二极管的第一端子(134)和防护结构(138)之间提供选择性电连接。添加与二极管的第一端子(134)电连接的防护结构(138)并且防护结构(138)位于二极管的第一端子(134)与二极管的第二端子(136)之间提供比没有防护结构(138)的二极管更高的击穿电压。
用于控制二极管中的电导率调制集成防护结构

[发明专利]发光二极管封装结构检测装置及检测方法-CN201010612272.9无效
发明人：孔维江;江宗瀚 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种发光二极管封装结构检测装置，包括：发光二极管支架，该发光二极管支架用于装设发光二极管封装结构，该发光二极管封装结构具有N极与P极；加热组件，用于夹持发光二极管支架并对发光二极管支架进行加热，该加热组件包括上盖板和托板，该上盖板和托板将发光二极管支架夹持在中间；以及测试板，该测试板具有探针，用于供给发光二极管封装结构预定的电压和电流并对发光二极管封装结构进行检测。由此可实现对所有发光二极管封装结构的检测，避免随机检测的遗漏和不确定性的缺失。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的检测方法。
发光二极管封装结构检测装置方法

[发明专利]微型发光二极管显示设备-CN202110339783.6在审
发明人：孙圣渊;邱柏崴;穆鲁根·骆那登 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：提供一种微型发光二极管显示设备。微型发光二极管显示设备包含基板。微型发光二极管显示设备也包含第一微型发光二极管，第一微型发光二极管设置于基板之上。微型发光二极管显示设备还包含至少一第一屈光结构，第一屈光结构对应设置于第一微型发光二极管之上。此外，微型发光二极管显示设备包含第二微型发光二极管，第二微型发光二极管设置于基板之上并与第一微型发光二极管相邻。微型发光二极管显示设备也包含至少一第二屈光结构，第二屈光结构对应设置于第二微型发光二极管之上。
微型发光二极管显示设备

[发明专利]覆晶式发光二极管封装结构-CN200410033728.0有效
发明人：许世昌;许进恭 -专利权人：元砷光电科技股份有限公司
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆晶式发光二极管封装结构，包含一萧特基二极管群、一发光二极管及多个凸块，其中萧特基二极管群包含多个萧特基二极管，且这些萧特基二极管用串联、并联或串并联等方式电性联接。此些凸块配置于一萧特基二极管与发光二极管之间，使得萧特基二极管群与发光二极管反向并联，而此发光二极管以覆晶接合的方式配置于一萧特基二极管上。此覆晶式发光二极管封装结构可有效防止静电破坏，并可提高光取出效率，而且萧特基二极管的子基座为硅材质，其散热性良好，故可增加本覆晶式发光二极管封装结构的寿命。
覆晶式发光二极管封装结构

[实用新型]氮化镓瞬时电压抑制器-CN202222639877.8有效
发明人：江守权 -专利权人：得力新应用材料有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓瞬时电压抑制器包含第一电极、在第一电极上的金属基板、在金属基板上的键合金属层、在键合金属层上方的第一绝缘层、在第一绝缘层上的第一PIN二极管结构、在键合金属层上的一二极管欧姆接触部、在二极管欧姆接触部上且相接的稳压二极管结构和第二PIN二极管结构、在键合金属层、第一绝缘层、第一PIN二极管结构、二极管欧姆接触部、稳压二极管结构和第二PIN二极管结构上的第二绝缘层、接触第一PIN二极管结构的第二电极、接触第一PIN二极管结构和第二PIN二极管结构的第三电极以及接触第二PIN二极管结构的第四电极。
氮化瞬时电压抑制器

[实用新型]一种黑罩二极管模具-CN201520289100.0有效
发明人：文海建;刘世明;文小建 -专利权人：深圳市鑫业新光电有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种黑罩二极管模具，该黑罩二极管模具包括黑罩二极管型腔、黑罩二极管模具支架、黑罩二极管支架、黑罩二极管模具铁片和分离结构，分离结构为圆柱状且位于黑色保护罩和黑罩二极管灯头之间，黑罩二极管模具支架固定在黑罩二极管模具铁片上，位于黑罩二极管模具的两端，黑罩二极管支架固定在两相邻黑罩二极管型腔所形成的间隙中，黑罩二极管型腔的数量为20且各黑罩二极管型腔排布均匀，间隔相等，成一条直线，这样的设计可以较好的提高制造稳定性且良率高
一种二极管模具

[实用新型]新型二极管组件-CN201921597071.9有效
发明人：刘宏伟;郝秋强;王鹏飞 -专利权人：青岛航天半导体研究所有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及新型二极管组件，其包括二极管基体（101）、三个设置在二极管基体（101）侧部的二极管端脚（102）、竖直设置在二极管端脚（102）上且用于插入导线的二极管插线孔（103）、横向设置在二极管插线孔（103）侧部的二极管顶丝（104）、设置在二极管插线孔（103）中的二极管弹性导电环片（106）、设置在二极管弹性导电环片（106）两端的二极管定位键端（107）、二极管定位键槽（105）、设置在二极管插线孔（103）内侧壁上且用于放置对应二极管定位键端（107）的二极管定位键槽（105）；本实用新型设计合理、结构紧凑且使用方便。
新型二极管组件

[实用新型]一种带引脚防护结构的二极管-CN202222639126.6有效
发明人：张攀 -专利权人：东莞市佳骏电子科技有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及到一种带引脚防护结构的二极管，包括：封装体、二极管芯片、引脚、引脚锁定组件和电连结构，所述封装体内安装有所述二极管芯片，所述引脚滑动地连接在所述封装体底部，所述引脚的侧壁面设置有引脚锁定组件，所述引脚与所述二极管芯片之间通过所述电连结构电性连接。将二极管的引脚和二极管芯片拆分，利用接触取电的电连方式实现二极管和引脚的电性连接。二极管引脚相对于二极管封装结构之间可相互滑动伸缩，在不使用时将引脚收缩至二极管封装结构当中，安装二极管时将引脚伸长固定，从而实现对二极管引脚的保护。降低了二极管引脚的折弯风险，降低了报废率，方便使用者安装使用。
一种引脚防护结构二极管

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