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[发明专利]一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法-CN202310856113.0在审
发明人： 郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法，属于半导体器件抗辐射性能测试技术领域，包括辐照前转移特性曲线测试、辐照前阈值电压提取、辐照偏置条件确定、在线辐照测试、漏端电流与阈值电压关系的提取、在线测试数据处理的步骤。本发明仅进行一个偏置电压的电流测试即可获得器件阈值电压信息，进而实现纳米工艺晶体管的高采样率测试。解决了纳米工艺晶体管总剂量辐射效应测试存在的辐射损伤信息量少，不能获得参数随辐照的连续变化的不足。
一种纳米工艺晶体管剂量辐射效应在线测试方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法-CN202310856132.3在审
发明人： 郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法，包括鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应晶体管构建、寄生晶体管沟道电流方程构建、开展鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应试验、模型参数提取的步骤。本发明的理论基础是总剂量辐射效应在鳍式场效应晶体管隔离氧化物内产生氧化物陷阱电荷，减小寄生晶体管阈值使其提前导通，导致鳍式场效应晶体管亚阈值电流上升。本发明依据辐射损伤物理机理提出参数退化方程，退化方程中的参数具有明确物理意义，模型拟合中参数调整范围明确，构建模型更易收敛，精度更高。
一种场效应晶体管剂量辐射效应模型构建方法

[发明专利]基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管及其加固方法-CN202310856139.5在审
发明人： 郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管加固方法，属于半导体器件抗辐射技术领域，包括辐照前衬底偏置电路搭建、辐照中施加负衬底偏置电压抑制辐射损伤、随着辐照剂量的增加，调整负衬底偏置电压的步骤。还涉及一种n型鳍式场效应晶体管，在衬底端口与集成电路地电位之间设置电压源，提供负偏置电压。本发明不改变晶体管器件的工艺流程，施加负衬底偏压提升晶体管阈值电压，使关态漏电流与初始值之差小于1个数量级，保证了n型鳍式场效应晶体管在辐射环境下正常工作。
基于衬底偏压型鳍式场效应晶体管及其加固方法

[发明专利]一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法-CN202310208538.0在审
发明人：崔江维;李潇;郑齐文;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法，该方法是由器件参数测试、批量数据统计分析和敏感批次参数确立组成。由于不可控制误差对商用VDMOS器件工艺批次识别的影响的主要因素为：工艺制造过程中的细微波动，会导致不同批次及批次内器件电参数出现差异性。通过对两批次器件开展参数测试试验，基于数据统计分析方法，在同一坐标轴的基础上进行两个批次的分布对比，建立器件参数与工艺批次信息识别的映射关系，最终获得对器件工艺批次信息识别敏感的电参数。
一种商用 vdmos 器件工艺批次信息识别方法

[发明专利]一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法-CN202211714637.8在审
发明人：孙静;荀明珠;刘海涛;张兴尧;李小龙;崔江维;郑齐文;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提高了辐射剂量的测量量程，进而对辐射过程进行精准控制。
一种基于结构半导体晶体管辐射剂量测量方法

[发明专利]一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法-CN201911212779.2有效
发明人： 郑齐文;崔江维;余学峰;陆妩;孙静;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2019-11-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于阈值电压类型匹配的6‑T存储单元抗总剂量加固方法，该方法包括晶体管总剂量辐照试验、建立晶体管辐射损伤与阈值电压类型映射关系、确定上拉PMOSFET阈值电压类型、确定下拉NMOSFET及传输NMOSFET阈值电压类型、电路仿真验证。该方法的理论基础是不同阈值电压类型晶体管的辐射损伤程度不同。该方法的优势在于无需改变制造工艺条件以及版图设计，实现6‑T存储单元低成本、高性能的抗总剂量加固。
一种基于阈值电压类型匹配存储单元剂量加固方法

[发明专利]一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法-CN202210816891.2在审
发明人：李小龙;王信;刘默寒;于新;郑齐文;孙静;李豫东;郭旗;陆妩 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率损伤增强（ELDRS）倾向的器件进行加速模拟试验，解决高剂量率模拟试验存在的过于低估器件抗辐射性能的问题，对于低剂量率损伤增强（ELDRS‑fre）免疫的器件进行高剂量率/注量率的辐照试验，避免加速模拟试验带来的过于高估器件抗辐射性能的问题，基于氢注入浓度和辐照剂量率的匹配关系，提取加速评估的试验条件，实现双极器件在复合环境下的加速评估，兼顾位移损伤效应和ELDRS效应。本发明所述方法可缩短试验周期、节约成本及提高器件抗辐射性能评估的可靠性。
一种含有长期剂量率辐照复合环境试验加速方法

[发明专利]一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法-CN202011125363.X有效
发明人： 郑齐文;崔江维;李小龙;魏莹;余学峰;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
一种剂量效应工艺波动耦合电路仿真方法

[发明专利]一种电路级总剂量辐射效应仿真方法-CN202011125626.7有效
发明人： 郑齐文;崔江维;李小龙;魏莹;余学峰;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应的精确仿真。
一种电路剂量辐射效应仿真方法

[发明专利]一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真分析方法-CN202111409788.8在审
发明人：魏莹;崔江维;郑齐文;崔旭;郭旗;余学峰 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果与试验结果对比，修正辐射效应模型参数和氧化层材料参数，使仿真结果最大程度与辐照试验结果拟合，获得器件电离总剂量辐照后基本电学特性和物理参数。本发明可准确揭示多栅鳍式场效应晶体管总剂量效应的损伤机制。
一种多栅鳍式场效应晶体管电离剂量效应仿真分析方法

[发明专利]一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法-CN202011266943.0在审
发明人： 郑齐文;崔江维;余学峰;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法，该方法采用基于商用SOI材料和加固SOI材料制作的晶体管作为试验样品；对基于商用材料和加固材料的试验样品开展相同条件下的总剂量辐照试验，提取辐射在氧化物埋层中引入的氧化物陷阱电荷密度；对加固材料制作的晶体管，开展热载流子注入试验，提取热载流子应力在氧化物埋层中引入的电子陷阱电荷密度；基于以上三种陷阱电荷密度，获得加固材料氧化物埋层的电子陷阱俘获系数。通过该俘获系数与热载流子应力试验，即可获得加固SOI材料的抗辐射性能。该方法的优势在于，通过少量辐照试验结合热载流子应力试验，即可快速获得同一批次加固SOI材料的抗总剂量辐射能力。
一种辐射加固 soi 材料剂量性能评估方法

[发明专利]一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法-CN201711329107.0有效
发明人：崔江维;郑齐文;魏莹;孙静;余学峰;郭旗;陆妩;何承发;任迪远 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果，获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。
一种剂量辐照 pmosfet 偏压温度不稳定性影响试验方法

[发明专利]一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统-CN201911212780.5在审
发明人： 郑齐文;崔江维;余学峰;陆妩;孙静;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2019-11-30 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，该系统由三维叠层封装SRAM器件，电源模块，单粒子翻转数据分析模块组成，三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接，电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接，所述三维叠层封装SRAM器件为3层‑10层，三维封装SRAM器件中各层之间需对齐，电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模块通过分析三维叠层封装SRAM器件各层翻转存储单元的相对位置，完成单粒子翻转的在轨甄别，该系统能够在轨甄别单粒子翻转，并获取导致单粒子翻转高能粒子的LET及入射角度信息。进而分析电子器件真实的在轨单粒子翻转率，这对于单粒子效应产生机理、评估方法及加固技术研究具有重要的意义。
一种基于三维封装 sram 器件粒子翻转甄别系统

[发明专利]一种基于PMOS剂量计的多点测量方法-CN201910548534.0在审
发明人：孙静;郭旗;陆妩;余学峰;何承发;施炜雷;郑齐文;荀明珠;刘海涛 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于PMOS剂量计的多点测量方法，该方法中涉及探测器是由多点的辐照传感器、多通道选择模块、数据采集模块、电流注入模块、控制模块和PC机组成，所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与多通道选择模块和数据采集模块相连；电流注入模块与多通道选择模块相连；数据采集模块输入端与多点辐照传感器端、控制模块端相连，输出端与PC机相连；多通道选择模块输入端与电流注入模块、控制模块相连，输出端与多点辐照传感器相连；该方法在保持PMOS剂量仪现有的性能指标的前提下，有效的实现在线的多点测量。
控制模块多通道选择模块数据采集模块辐照传感器多点测量注入模块输出端输入端剂量计剂量仪探测器

[发明专利]一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统-CN201410212545.9在审
发明人：余学峰;丛忠超;郭旗;崔江维;郑齐文;孙静;周航;汪波 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统，该系统是由辐照电路模块、激励输出模块、数据处理模块、错误显示模块、写读控制模块、下载配置模块、精准电源和铅屏蔽室组成，本发明采用闪存作为数据载体，以现场可编程门阵列作为控制中心，使其能够脱离计算机而单独工作。通过铅室屏蔽的方法使其在辐射源里直接给静态随机存储器提供读操作和写操作所需的信号激励，模拟了静态随机存储器器件在空间辐射环境中工作的真实情况，对静态随机存储器的辐射损伤机理的深入研究具有重大意义。同时，根据要求更改输出端口信号的配置，使其适用于现有所有型号静态随机存储器器件的辐照实验。改善了现有组成结构复杂及系统的信号完整性差和操作麻烦的不足。
一种基于静态随机存储器辐照偏置系统

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