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[发明专利]一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法-CN202310856113.0在审
发明人：郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法，属于半导体器件抗辐射性能测试技术领域，包括辐照前转移特性曲线测试、辐照前阈值电压提取、辐照偏置条件确定、在线辐照测试、漏端电流与阈值电压关系的提取、在线测试数据处理的步骤。本发明仅进行一个偏置电压的电流测试即可获得器件阈值电压信息，进而实现纳米工艺晶体管的高采样率测试。解决了纳米工艺晶体管总剂量辐射效应测试存在的辐射损伤信息量少，不能获得参数随辐照的连续变化的不足。
一种纳米工艺晶体管剂量辐射效应在线测试方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法-CN202310856132.3在审
发明人：郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法，包括鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应晶体管构建、寄生晶体管沟道电流方程构建、开展鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应试验、模型参数提取的步骤。本发明的理论基础是总剂量辐射效应在鳍式场效应晶体管隔离氧化物内产生氧化物陷阱电荷，减小寄生晶体管阈值使其提前导通，导致鳍式场效应晶体管亚阈值电流上升。本发明依据辐射损伤物理机理提出参数退化方程，退化方程中的参数具有明确物理意义，模型拟合中参数调整范围明确，构建模型更易收敛，精度更高。
一种场效应晶体管剂量辐射效应模型构建方法

[发明专利]基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管及其加固方法-CN202310856139.5在审
发明人：郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管加固方法，属于半导体器件抗辐射技术领域，包括辐照前衬底偏置电路搭建、辐照中施加负衬底偏置电压抑制辐射损伤、随着辐照剂量的增加，调整负衬底偏置电压的步骤。还涉及一种n型鳍式场效应晶体管，在衬底端口与集成电路地电位之间设置电压源，提供负偏置电压。本发明不改变晶体管器件的工艺流程，施加负衬底偏压提升晶体管阈值电压，使关态漏电流与初始值之差小于1个数量级，保证了n型鳍式场效应晶体管在辐射环境下正常工作。
基于衬底偏压型鳍式场效应晶体管及其加固方法

[发明专利]一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法-CN202310502367.2在审
发明人：张兴尧;郭旗;李豫东;崔江维;文林;孙静;冯婕 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法，用于解决现有的辐射效应原位测试系统无法实现对数字集成电路的性能和功能进行全面测试的技术问题。测试系统包括驱动单元、采集单元及分析单元；采集单元包括SMU测试模块和至少一个数字向量测试模块，SMU测试模块用于为待测数字集成电路供电并采集待测数字集成电路的功耗电流；数字向量测试模块用于为待测数字集成电路输入电信号激励，并采集待测数字集成电路输出的电平信号；分析单元用于接收SMU测试模块和每个数字向量测试模块采集到的信息，并对其进行处理。
一种数字集成电路辐射效应原位测试系统方法

[发明专利]基于图像处理的图像传感器单粒子瞬态亮斑特征在线提取方法-CN202310522166.9在审
发明人：冯婕;崔益豪;李豫东;文林;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06V10/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于图像处理的图像传感器单粒子瞬态亮斑特征在线提取方法，该方法中涉及装置包括电源、CMOS图像传感器、图像传感器驱动板、帧抓取视频采集器、计算机，将CMOS图像传感器安装在图像传感器驱动板上并通过Camera link线与帧抓取视频采集器连接，将帧抓取视频采集器通过USB与电脑相连。质子辐照CMOS图像传感器的过程中，在计算机中使用包括图像傅里叶变换、阈值分割等图像处理算法对帧抓取视频采集器采集到的每一张带有单粒子瞬态亮斑的图像进行特征提取，输出结果包含单粒子瞬态亮斑的亮斑面积、周长、最大灰度值、次大灰度值、最小灰度值、平均灰度值、灰度值标准差和重心位置信息。该方法无需保存图像至本地极大节省了存储空间，可以用于较长时间的亮斑特征分析，并且可以在图像采集的同时输出亮斑特征以便于研究。
基于图像处理图像传感器粒子瞬态特征在线提取方法

[发明专利]一种抗辐射MCU处理器模块-CN201910553192.1有效
发明人：张巍;施炜雷;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗辐射MCU处理器模块，该模块是由第一MCU处理器、第二MCU处理器、第三MCU处理器、第一继电器、第二继电器、第三继电器、电源端、接地端、功能引脚端组成，在使用时，将抗辐射MCU处理器模块放置在辐射场中，按照要求连接好各个端口，确保连接正常，采用50Rad(Si)/s的剂量率做试验，使抗辐射MCU处理器模块在辐射环境下工作。试验结果证明：该抗辐射MCU处理器模块能够在核辐射环境下正常工作，满足设计要求，能够应用于核射线辐射环境。
一种辐射 mcu 处理器模块

[发明专利]一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法-CN202310208538.0在审
发明人：崔江维;李潇;郑齐文;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法，该方法是由器件参数测试、批量数据统计分析和敏感批次参数确立组成。由于不可控制误差对商用VDMOS器件工艺批次识别的影响的主要因素为：工艺制造过程中的细微波动，会导致不同批次及批次内器件电参数出现差异性。通过对两批次器件开展参数测试试验，基于数据统计分析方法，在同一坐标轴的基础上进行两个批次的分布对比，建立器件参数与工艺批次信息识别的映射关系，最终获得对器件工艺批次信息识别敏感的电参数。
一种商用 vdmos 器件工艺批次信息识别方法

[发明专利]用于光电成像器件在轨运行后光电参数恢复的方法及系统-CN202310379602.1在审
发明人： 李豫东;杨智康;文林;冯婕;周东;刘炳凯;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H04N25/60 文献下载
摘要：本公开提供一种用于光电成像器件在轨运行后光电参数恢复的方法，光电成像器件在轨运行后受到高能粒子的辐射损伤，包括：S1，将所述光电成像器件置于表面覆有遮光单元的暗室腔体中；S2，利用温控系统调节所述暗室腔体至预设温度；所述温控系统至少包括信号处理电路、热敏电阻、散热元件、加热元件、模数转换器、多路模拟开关；S3，对所述光电成像器件进行预设时长的退火，记录所述退火的条件信息；S4，利用测试系统中的控制模块设定测试参数，采集所述光电成像器件在不同积分时间下的图像数据；S5，利用计算机对所述图像数据进行处理，获得关键参数数据，并根据所述退火的条件信息和所述关键参数数据对所述光电成像器件进行光电参数的恢复。
用于光电成像器件运行参数恢复方法系统

[发明专利]一种LDO芯片的辐照测试系统及方法-CN202211714685.7在审
发明人： 李豫东;张巍;施炜雷;郭旗;刘海涛;陈亚文;阚永葭;于钢;冯婕 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种LDO芯片的辐照测试系统及方法，主要解决通过现有技术测试出的芯片与其实际情况存在较大差异，无法完整、全面的反映芯片真实的抗辐射能力的技术问题。本发明的测试系统包括电源、测试模块、辐照模块及辐射场，其中，电源模块和测试模块位于辐射场外，辐照模块位于辐射场内，可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测，进而获取过程数据；同时，辐照模块可放置N个待测芯片，且各待测芯片相互独立，由此可对待测芯片在不同工作状态下的抗辐射性能进行完整的检测。本系统可完整、全面地反映芯片真实的抗辐射能力，进而可快速地筛选出符合要求的芯片。
一种 ldo 芯片辐照测试系统方法

[发明专利]光电成像器件辐射损伤的分类方法、装置、设备及介质-CN202310106275.2在审
发明人：文林;赵子韬;李豫东;周东;冯婕;施炜雷;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电成像器件辐射损伤的分类方法，应用于图像传感器检测技术领域，包括：获取不同退火时间下光电成像器件采集到的暗场图像像素的暗电流数据，对满足预设条件的像素的暗电流数据进行样条插值，得到样条插值结果，对样条插值结果取切比雪夫零点，对切比雪夫零点进行拉格朗日插值，得到暗电流演变的多项式结果并将暗电流演变的多项式结果在预设坐标系中绘制成暗电流演变曲线，对于每两个不同的像素，分别将每两个不同的像素的暗电流演变曲线绘制于预设坐标系中，得到曲线绘制结果，根据曲线绘制结果，得到光电成像器件辐射损伤的像素级分类结果。本公开还提供了一种光电成像器件辐射损伤的分类装置、电子设备及存储介质。
光电成像器件辐射损伤分类方法装置设备介质

[发明专利]一种辐射环境下电机闭环控制系统和控制方法-CN202211717755.4在审
发明人： 李豫东;陈亚文;张巍;施炜雷;郭旗;刘海涛;阚永葭;于钢;冯婕 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H02P6/182 文献下载
摘要：本发明提供一种辐射环境下电机闭环控制系统和控制方法，主要解决现有的控制系统在核辐射环境中工作效率低且位置反馈精度低等技术问题。本发明的控制系统，包括上位机、场外电源、场内电源、处理单元、驱动单元及电机；其中，上位机和场外电源处于辐射场外；场内电源、处理单元、驱动单元及电机均处于辐射场内，减少了布线的繁琐度，使得系统体积及重量大幅降低，采样速度、处理速度大幅提升，进而提高了系统的工作效率。另外，处理单元、驱动单元及场内电源的芯片均为铅材料包覆，由此不仅提高了系统的抗辐射能力，同时也不影响各模块本身的工作性能，进而提高了电机的位置反馈精度，提高了系统整体的测量精度。
一种辐射环境电机闭环控制系统控制方法

[发明专利]一种高变倍抗辐射变焦镜头-CN202211714736.6在审
发明人： 李豫东;刘海涛;于钢;施炜雷;张巍;阚永葭;陈亚文;冯婕;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种高变倍抗辐射变焦镜头，解决了目前变焦镜头的镜片数量过多以及变焦倍数过低的问题。本发明包括沿光传播方向依次设置在光轴上的物侧镜片、变焦镜片组和像侧镜片组；物侧镜片固定设置在物方空间，像侧镜片组固定设置在成像焦平面；变焦镜片组包括可移动的第一变焦镜片组和第二变焦镜片组，第一变焦镜片组包括依次沿光传播设置且相对位置不变的第二镜片、第三镜片和第四镜片；第二变焦镜片组包括依次沿光传播方向设置且相对位置不变的第五镜片和第六镜片；第四镜片和第五镜片之间的距离可相对移动；像侧镜片组包括依次沿光传播方向设置的第七镜片和第八镜片；第六镜片和第七镜片之间设置有光阑。
一种高变倍抗辐射变焦镜头

[发明专利]一种核电机器人用抗辐射COB照明装置-CN202211714667.9在审
发明人： 李豫东;刘海涛;于钢;施炜雷;张巍;阚永葭;陈亚文;冯婕;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： F21V29/77 文献下载
摘要：一种核电机器人用抗辐射COB照明装置，解决了目前照明装置在辐射环境中无法正常使用以及发光效率低、寿命短、显色性差的问题。本发明包括散热器、COB安装环、抗辐射COB、连接器安装座和格兰头；散热器为台阶圆柱状结构，且台阶圆柱状结构的小径为下端，散热器下端侧壁上沿周向设置有散热片，散热器的上端面上设置有锥形凹槽；COB安装环安装在凹槽底部，抗辐射COB安装在COB安装环上；散热器的下端端面上设置有轴向的盲孔，安装座安装在盲孔内，格兰头安装在安装座的中心；散热器内部设置有与盲孔连通的过线环槽，抗辐射COB的线缆依次穿过过线环槽和盲孔，最终通过格兰头穿出；散热器下端面用于与抗辐射机器人的安装座连接。
一种核电机器人辐射 cob 照明装置

[发明专利]一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法-CN202211714637.8在审
发明人：孙静;荀明珠;刘海涛;张兴尧;李小龙;崔江维;郑齐文;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提高了辐射剂量的测量量程，进而对辐射过程进行精准控制。
一种基于结构半导体晶体管辐射剂量测量方法

[发明专利]一种大角度抗辐射LED的照明灯具-CN202211714742.1在审
发明人： 李豫东;刘海涛;于钢;施炜雷;张巍;阚永葭;陈亚文;冯婕;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： F21V23/04 文献下载
摘要：一种大角度抗辐射LED照明灯具，解决了目前在核辐射环境中灯具的发光效率低，功耗大，寿命短的问题。本发明中灯具包括连接器、连接器安装座、锥形罩、上连接板、散热器、下连接板、底灯板、侧灯板和串联PCB板；连接器通过长线缆与感应补偿模块连接；连接器通过连接器安装座和锥形罩的上端连接；上连接板安装在锥形罩的下端；散热器的一端与上连接板连接，另一端与下连接板连接；散热器四周设置有多个安装槽，每个安装槽内均安装了一个侧灯板，串联PCB板安装在上连接板的上表面，多个侧灯板通过上连接板依次连接形成串联电路；底灯板设置在下连接板的上端面且与散热器连接，底灯板与串联PCB板连接并且与多个侧灯板形成的串联电路并联。
一种角度辐射 led 照明灯具

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