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[发明专利]纳米阵列结构薄膜、制备方法及LED器件-CN201811141716.8有效
发明人：梁仁瓅;许琳琳;王昊;陈景文;陈长清;戴江南 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米阵列结构薄膜的制备方法，首先制备纳米阵列结构模板，然后在纳米阵列结构模板上旋涂薄膜材料，固化后剥离即可得到纳米阵列结构薄膜。本发明还提供一种纳米阵列结构薄膜，由上述纳米阵列结构薄膜的制备方法制得。本发明又提供一种LED器件，包括LED芯片、密封剂及上述的纳米阵列结构薄膜，纳米阵列结构薄膜通过密封剂固定在LED芯片出光面和侧壁。该LED器件具有较好的光提取效率。
纳米阵列结构薄膜制备方法 led 器件

[发明专利]电子装置-CN202011002362.6在审
发明人：陈巍中;郭文瑜;冯捷威;王泰瑞 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种电子装置，包括像素阵列结构、重布线结构以及多个导电通孔结构。像素阵列结构包括多条信号线。重布线结构与像素阵列结构重叠设置且包括多条导线。多个导电通孔结构将像素阵列结构的多条信号线与重布线结构的多条导线电连接。多个导电通孔结构中的至少一个与像素阵列结构共用至少一层导电层。
电子装置

[发明专利]阵列波导光栅与光纤阵列一体化的结构及其制造方法-CN01144119.4无效
发明人：刘育梁;贺月娇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2001-12-11 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：一种阵列波导光栅与光纤阵列一体化的结构,该结构包括一个阵列波导光栅及与阵列波导光栅输入、输出波导阵列对准耦合的输入和输出光纤阵列,阵列波导光栅与光纤阵列集成在同一片硅衬底上,所述阵列波导光栅的输入/输出波导与光纤阵列采用自对准方法直接进行端面耦合,其中光纤阵列由基片上的V或U形槽阵列、上盖片和多芯单膜光纤通过粘接剂粘合而成。
阵列波导光栅光纤一体化结构及其制造方法

[发明专利]基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法-CN202111231597.7在审
发明人：邓元;俞佳杰;张珂;吴思程 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，属于微纳加工及触觉传感技术领域。本发明的方法包括：在基板上采用微加工方法制备高密度微结构阵列模版；对高密度微结构阵列模版进行等离子处理，在高密度微结构阵列模版上旋涂预聚液后将其固化形成高密度微结构阵列基底，将高密度微结构阵列基底从高密度微结构阵列模版剥离；在高密度微结构阵列基底上覆盖电极掩模版，在其表面进行导电层沉积，得到高密度微结构阵列电极，将其与所需的力敏材料和封装材料进行封装和集成。本发明的方法通过构建高密度微结构阵列电极，从电极的角度出发构建力敏材料，具有普适性和通用性，极大地提高了力敏传感器的灵敏度及响应时间。
基于高密度微结构阵列电极传感器制备方法

[发明专利]一种基于玻璃微结构阵列的光学调制器的制备方法-CN202210218116.7在审
发明人：朱敏杰;杜晓辉;刘帅;刘丹;熊艳伟;李小娟;刘瑞 -专利权人：机械工业仪器仪表综合技术经济研究所;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于玻璃微结构阵列的光学调制器的制备方法，包括：在硅晶圆上制作硅凹槽阵列；在硅凹槽阵列中致密填充玻璃粉末；高温烧结玻璃粉末，使玻璃粉末软化、回流，冷却后形成玻璃微结构阵列；平坦化玻璃微结构阵列的底面；对硅晶圆背面进行刻蚀或腐蚀，完全释放出玻璃微结构阵列，并在玻璃微结构阵列的外围形成硅支撑结构；在玻璃微结构阵列表面沉积透明电极层；另取一块玻璃圆片，在玻璃圆片上加工出填充液出入口，并在玻璃圆片的一侧面沉积透明电极层；将玻璃圆片沉积有透明电极层的一面与玻璃微结构阵列外围的硅支撑结构进行键合，形成封闭腔体。利用本公开，能够得到高深宽比的玻璃微结构阵列，从而制备出光学调制器。
一种基于玻璃微结构阵列光学调制器制备方法

[发明专利]制备硅基纳米图形阵列结构的方法-CN201510032963.4有效
发明人：赵迎春;熊敏;董旭 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备硅基纳米图形阵列结构的方法，所述方法包括：设置硅衬底；在硅衬底上沉积阻挡层，在阻挡层上沉积铝膜；利用第一酸溶液对铝膜进行一次阳极氧化处理，以将铝膜的远离硅衬底一侧的表面形成为第一纳米图形阵列结构；利用第二酸溶液去除第一纳米图形阵列结构；利用第三酸溶液对铝膜进行二次阳极氧化处理，以将铝膜形成为氧化铝纳米图形阵列结构；利用氧化铝纳米图形阵列结构作为掩膜来刻蚀阻挡层和硅衬底，以将硅衬底和阻挡层形成为具有与氧化铝纳米图形阵列结构相对应的纳米图形阵列结构；利用缓冲氧化刻蚀剂将硅衬底上的氧化铝纳米图形阵列结构和形成为纳米图形阵列结构的阻挡层去除，从而得到硅基纳米图形阵列结构。
制备纳米图形阵列结构方法

[发明专利]一种多层微结构仿生干黏附结构、模具及其制备方法-CN202210051875.9在审
发明人：邵仁锦;浦东林;张瑾;朱鹏飞;陈林森 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：一种多层微结构仿生干黏附结构、模具及其制备方法，多层微结构仿生干黏附结构包括多个多层微结构单元，每一所述多层微结构单元包括底层的微米级柱体结构、中间层的微米级蘑菇头结构，以及顶层的纳米阵列结构，其中纳米阵列结构为纳米柱阵列结构或者纳米孔阵列结构本发明提供的多层微结构仿生干黏附结构、模具及其制备方法，通过设置顶层的纳米阵列结构，使得微结构与物体面之间的接触端由微米量级的蘑菇头“面结构”变成纳米量级的纳米珠阵列或纳米孔阵列的“点结构”，增加了接触面积，进一步提升产品的黏附性能，结构稳定性更强。
一种多层微结构仿生黏附结构模具及其制备方法

[发明专利]在三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法-CN202080000602.0在审
发明人：张中;孙中旺;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：公开了具有阶梯结构的3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构，该阶梯结构在存储阵列结构的中间体中并且将存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。阶梯结构包括第一阶梯区域和连接第一存储阵列结构和第二存储阵列结构的桥接结构。第一阶梯区域包括在第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的第一对阶梯。各阶梯包括多个台阶。第一对阶梯中的至少一个台阶通过桥接结构电连接至第一存储阵列结构和第二存储阵列结构中的至少一者。
三维存储器件中的阶梯结构用于形成方法

[发明专利]离轴发射的线偏振态单光子发射器及工作方法-CN202111470270.5在审
发明人：阚银辉;陈方舟 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种离轴发射的线偏振态单光子发射器及工作方法，包括：量子发射器、基底、激发光、介电层以及微纳结构阵列；所述介电层上设置所述微纳结构阵列和所述量子发射器；所述微纳结构阵列包括左侧微纳结构阵列和右侧微纳结构阵列，所述左侧微纳结构阵列和所述右侧微纳结构阵列之间安置所述量子发射器；所述激发光入射至所述量子发射器，介电层背向所述微纳结构阵列一侧设置所述基底。本发明设计的两侧不同周期和宽度的半环状结构，不仅使得离轴偏振方向能达到60°以上，同时保证了稳定的线偏振属性。
发射偏振光子发射器工作方法

[发明专利]一种光学元件微纳阵列结构的制备方法-CN201810965172.0在审
发明人：孙勇;刘娟;李开宇;吕学良;曹振博;洪升;郑京明 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及光学元件微结构领域，尤其涉及一种光学元件微纳阵列结构的制备方法。所述方法包括以下步骤：1)在基底表面上设置膜层；2)通过物理方法和/或化学方法除去部分膜层，使剩余的膜层在所述基底表面上呈周期阵列结构；3)微纳阵列结构制备：A、在所述带有周期阵列结构膜层的基底表面沉积一层基体材料；B、通过物理方法和/或化学方法将基底表面的周期阵列结构膜层去除；所述的基体材料在所述基底表面上形成一种微纳阵列结构；所述的微纳阵列结构与所述的周期阵列结构互补。所述方法避免了现有工艺中的刻蚀步骤，获得的微纳阵列结构形状规则，工艺简单，具有广阔的市场前景和经济价值。
阵列结构基底表面膜层周期阵列结构光学元件制备基体材料刻蚀步骤形状规则微结构沉积去除

[发明专利]具有微纳双级结构的疏水/陷光复眼透镜阵列的制造方法及其应用-CN201810620898.0有效
发明人：黄汉雄;谢恒 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： B29C45/00 文献下载
摘要：本发明公开了具有微纳双级结构的疏水/陷光复眼透镜阵列的制造方法及其应用，涉及复眼透镜阵列及其制造技术。复眼透镜阵列高分子制品的制造包括下述步骤：制造柔性微透镜阵列模板；把柔性微透镜阵列模板固定于注塑模具型腔表面，采用注塑方法成型微透镜阵列制品；把制品上微透镜阵列压印在超纯铝箔表面，之后采用阳极氧化在铝箔表面形成纳米孔，获得具有微纳双级结构的复眼透镜阵列模板；把复眼透镜阵列模板固定于注塑模具型腔表面，采用注塑方法成型复眼透镜阵列制品。复眼透镜阵列制品表面上具有微纳双级结构，即同时具有规整排列的微透镜阵列和致密排列的纳米柱结构，从而呈现疏水、陷光特性。
复眼透镜阵列微透镜阵列双级结构疏水制造注塑模具型腔注塑模板固定眼透镜成型高分子制品纳米柱结构铝箔表面阳极氧化致密排列制品表面规整纯铝箔纳米孔陷光压印应用

[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法-CN201210178335.3无效
发明人：陈雷 -专利权人：昆山锐芯微电子有限公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器，包括：作为光电转换装置的光接收阵列、置于所述光接收阵列之上且包括金属互连线及填充于所述金属互连线间的介质层的金属互连结构、置于所述光接收阵列之上的滤色镜阵列、置于所述金属互连结构之上的微透镜阵列；其中，所述光接收阵列、所述滤色镜阵列、所述微透镜阵列分别包括多个单元，且所述滤色镜阵列的单元位于所述金属互连结构的介质层内且每个单元被所述金属互连结构的金属互连线分隔，所述滤色镜阵列的单元、所述光接收阵列的单元、微透镜阵列的单元分别对应。
cmos 图像传感器及其制作方法

[发明专利]弱化结构、半导体结构及其制备方法、芯片转移方法-CN202111045306.5在审
发明人：蔡明达;张杨;陈靖中 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种弱化结构及其制备方法、芯片转移方法。弱化结构的制备方法包括：提供基板；于基板的表面形成图形结构阵列，图形结构阵列包括多个呈阵列排布的图形结构，图形结构阵列内具有间隙；于间隙内形成弱化层；去除图形结构，以形成多个间隔排布的弱化结构。上述弱化结构的制备方法，在图形结构阵列的间隙中形成弱化层，利用间隙的形状来定义弱化结构的形状；由于图形结构阵列中各个图形结构的大小和形状均相同，因此，相邻图形结构之间的间隙形状也相同，在去除图形阵列结构后，可以形成尺寸统一的弱化结构，从而使得所有弱化结构具有相同的粘附力值，提高了芯片转移良率。
弱化结构半导体及其制备方法芯片转移

[发明专利]三维存储器件及其制造方法-CN202110196112.9在审
发明人：王迪;张中;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：该三维存储器件包括：存储芯片，包括：第一衬底；堆叠结构，设置于第一衬底上，包括在垂直于堆叠结构的堆叠方向的第一方向上依次设置的：第一存储阵列结构、阶梯结构以及第二存储阵列结构，阶梯结构与第一存储阵列结构和第二存储阵列结构电连接；贯穿阵列触点结构，设置于第一存储阵列结构和第二存储阵列结构之间并沿堆叠方向贯穿堆叠结构；互连层，设置于堆叠结构上，互连层通过贯穿阵列触点与衬底电连接；以及第一键合层，设置于互连层上；以及外围芯片，设置于存储芯片上，与第一键合层键合，并通过第一键合层、互连层以及贯穿阵列触点结构而与第一衬底电连接。
三维存储器件及其制造方法

[实用新型]新型光学结构的阵列光可变衰减器-CN200420075913.1无效
发明人：刘文;孙莉萍;吴晓平;李建;胡强高 -专利权人：武汉光迅科技有限责任公司
申请日： 2004-07-07 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：新型光学结构的阵列光可变衰减器，它有信号输入单元阵列和信号输出单元阵列，在信号输入单元阵列和信号输出单元阵列的光路中布置有光学结构件和光栅阵列，光栅阵列连接着控制电极阵列，其特征在于所述的光学结构件为一光学棱镜，衍射光栅阵列位于光学棱镜的反射面上。并且在不增加器件体积的情况下，集成滤光片和PIN阵列，实现多通道光功率衰减及监控。
新型光学结构阵列可变衰减器