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[发明专利]单片纳米柱结构-CN202180072779.6在审
发明人：纳吉布·阿什拉夫·克哈利德;黎惠平;亚历山大·诺维科夫 -专利权人： 4233999加拿大股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B82Y20/00 文献下载
摘要：氮化镓(GaN)纳米柱阵列在极性c面或半极性面上具有量子阱以发射引导至纳米柱的端部的光，并且具有间隙填充材料以将在纳米柱中发射的光从纳米柱的一端引导至出口。
单片纳米结构

[发明专利]一种超表面光学元件的制作方法-CN202210530855.X在审
发明人：孙磊;秦飞;李向平 -专利权人：天津山河光电科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种超表面光学元件的制作方法，包括：在衬底的端面之上镀纳米材料，使得纳米材料覆盖衬底的完整端面；刻蚀部分纳米材料至衬底的端面，保留另一部分纳米材料，得到分立纳米柱结构；在分立纳米柱结构的间隙填充保护材料；刻蚀分立纳米柱结构间隙的保护材料，使得每个间隙的保护材料的高度均匀并小于分立纳米柱结构的高度，得到超表面光学元件。本申请通过在分立纳米柱结构的间隙镀保护材料，增强纳米柱结构的机械稳定性；控制保护材料的高度小于纳米柱的高度，保证上半部分裸露纳米柱结构和周围环境相对折射率差；在纳米柱顶部键合玻璃晶圆来保护纳米柱不受到外界的损坏；用支撑材料支撑玻璃晶圆防止其与纳米柱接触进行磨损。
一种表面光学元件制作方法

[发明专利]金属纳米颗粒结合金属纳米柱结构的荧光增强结构及方法-CN202211512370.4在审
发明人：曹臻;吴柏璇;汪小知 -专利权人：海宁市产业技术研究院
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01N33/553 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属纳米颗粒结合金属纳米柱结构的荧光增强结构及方法。包括衬底、金属纳米柱、金属纳米颗粒，布置在金属纳米柱上面/周围，所述的金属纳米柱以阵列布置在衬底之上，形成金属纳米柱阵列；将带有荧光元素的抗体结合到金属纳米颗粒上，对金属纳米柱/金属纳米柱阵列进行抗原修饰，随后将抗原修饰的金属纳米柱/金属纳米柱阵列和抗体修饰的金属纳米颗粒进行结合，制备获得荧光增强结构。本发明采用新的一种纳米金属结构，实现对免疫分析中的荧光蛋白的高灵敏度检测，具有高灵敏度、检测范围广、制作简单、易于观测的特点。
金属纳米颗粒结合结构荧光增强方法

[发明专利]制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法-CN202210651918.7在审
发明人：刘斌;张东祺;陶涛;邵鹏飞;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法，在常规衬底上生长n型GaN纳米柱及n型AlGaN纳米柱，再生长非掺“AlGaN阱‑AlGaN垒”量子阱结构，最后生长p型AlGaN纳米柱。通过优化获得高质量的n型掺杂GaN纳米柱，在GaN纳米柱上生长n型掺杂AlGaN纳米柱，非掺AlGaN量子阱结构作为载流子复合有源区，最后再次生长p型掺杂AlGaN纳米柱。本发明在生长量子阱结构之前生长一段时间AlGaN纳米柱，在AlGaN纳米柱上外延量子阱结构，从而获得高质量的AlGaN量子阱。避免直接在GaN纳米柱外延AlGaN量子阱，可减少由于GaN/AlGaN之间应力导致的发光质量下降问题。
制备发光效率 algan 纳米 led 结构方法

[发明专利]硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法-CN201310742639.2有效
发明人：吴学忠;董培涛;王浩旭;陈剑;邸荻;王朝光;王俊峰 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法。该硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列包括一硅片基底，硅片基底上设有硅柱纳米结构阵列，硅柱纳米结构阵列上设有金属膜纳米结构阵列，金属膜纳米结构阵列单元设于硅柱纳米结构阵列单元上。制备方法包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米颗粒非致密排列、制备金属纳米孔阵列掩模、制备纳米结构阵列模版、制备金属膜纳米结构阵列掩模和硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列等工艺步骤。本发明的纳米结构阵列具有大面积、高密度、形貌可被改变等优点，制备方法成本低廉、效率高、兼容性好，为研究纳米结构阵列的光学性质、磁性能、催化特性等提供了便利。
支撑金属膜纳米结构阵列及其制备方法

[发明专利]一种非对称角度依赖的多色显示倾斜纳米柱阵列结构及应用-CN202211329721.8在审
发明人：丁聪;任金明;姚小莉;王永明;李瑞泽;陆泓波;秦亚光 -专利权人：中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司;浙江华东工程建设管理有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非对称角度依赖的多色显示倾斜纳米柱阵列结构及应用，所述多色显示倾斜纳米柱阵列结构中单个单元结构为圆柱体，法向倾斜角为10°~30°，所述多色显示倾斜纳米柱阵列结构倾斜方向一致；所述多色显示倾斜纳米柱阵列结构主体为聚苯乙烯纳米结构，外层沉积金属纳米沉积层。本发明通过倾斜电子束曝光技术，精准控制倾斜纳米柱的角度，可以实现倾斜纳米柱的倾斜角度在10°～30°范围内小角度调整，制备了倾斜纳米柱阵列，引起等离激元耦合效应具有角度依赖性，在相反的观察角度下展示出强烈的光谱差异，且通过调节纳米柱阵列倾角可以实现非对称结构色的调节，从而为开发新型非对称纳米光子结构和器件提供了一种新的途径。
一种对称角度依赖多色显示倾斜纳米阵列结构应用

[发明专利]太阳能电池-CN201180070975.6无效
发明人：渡边敬司;土屋龙太;服部孝司;松村三江子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：为了实现作为表面结构具有能够在太阳光的较宽的波长域防止反射的纳米柱阵列结构的太阳能电池单元，具有基板(1)、与基板(1)连接的直径(D1)的纳米柱(11)以及与基板(1)连接的直径(D2)的纳米柱(12由直径不同的两种纳米柱构成的纳米柱阵列结构(21)兼具备由直径(D1)的纳米柱(11)构成的纳米柱阵列结构的反射率的极小点和由直径(D2)的纳米柱(12)构成的纳米柱阵列结构的反射率的极小点，因此能够实现太阳光的较宽的波长域的防止反射
太阳能电池

[发明专利]纳米线阵列结构、包含该结构的产品及其制造方法-CN202211355125.7在审
发明人：朱利安·埃尔萨巴希;弗雷德里克·瓦龙;劳伦斯·加贝特 -专利权人：株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：公开了纳米线阵列结构、包含该结构的产品及其制造方法。该结构(100)具有位于材料层(128)中的阱(160)中的纳米柱阵列(138)。该阵列的纳米柱在从阱底板(164)朝向阱口(168)的方向上延伸。硬掩模(140)覆盖阵列中的外围纳米柱并且向外延伸以覆盖阱口的其余部分。硬掩模(140)中的缺口(142)使设置在外围纳米柱内侧的纳米柱暴露。硬掩模(140)使该结构平坦化，避免在纳米柱阵列的外围处形成大的拓扑特征，从而促进将该结构集成到半导体产品中。至少一些外围纳米柱可以在阳极氧化物的孔中。
纳米阵列结构包含产品及其制造方法

[发明专利]一种Co3O4@MnO2核壳结构多孔纳米柱材料及其制备方法-CN201610836947.5在审
发明人：吕建国;袁禹亮 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明公开一种Co3O4@MnO2核壳结构多孔纳米柱材料及其制备方法，所述Co3O4@MnO2核壳结构多孔纳米柱材料为异质核壳结构，其核结构为Co3O4纳米柱，Co3O4纳米柱以阵列的方式生长在衬底上；壳结构为MnO2纳米片层，且MnO2纳米片均匀的附生在核结构Co3O4纳米柱表面，并纵横交错，在纳米柱表面形成多孔结构。本发明采用的制备方法为通过两步水热法依次生长Co3O4纳米柱和MnO2纳米片，从而形成Co3O4@MnO2核壳纳米结构。本发明制得的Co3O4@MnO2材料是两种纳米结构的复合形成的多级结构，是一种新的纳米异质结构，其新的界面和巨大的比表面积显著增加了反应的活性位点，从而提升其反应特性，拓展其在能源存储、催化和传感领域的应用前景
一种 co3o4 mno2 结构多孔纳米材料及其制备方法

[发明专利]金属杯-柱复合纳米结构阵列及其制备方法-CN201210032491.9有效
发明人：董培涛;吴学忠;邸荻;王朝光;王浩旭;陈剑;吕宇;王俊峰 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全新的金属杯-柱复合纳米结构阵列，其主要由金属纳米结构阵列单元有序排列而成，所述金属纳米结构阵列单元为金属杯-柱复合纳米结构，所述金属杯-柱复合纳米结构包括一杯形的金属纳米外壁，该金纳米外壁围成的杯槽的中心为一圆柱状的金属纳米颗粒；本发明还相应公开了该金属纳米结构阵列的制备方法，包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米球非致密排列、制备复合材质纳米环形结构阵列掩模、制备硅纳米结构阵列模版和制备金属杯-柱复合纳米结构阵列等工艺步骤；本发明的金属纳米阵列结构具有较小的纳米尺度间隙，可用于实现单个生物分子的拉曼检测；本发明的制备方法兼容性好、效率高、成本低。
金属复合纳米结构阵列及其制备方法

[发明专利]一种高效率纳米结构LED及其设计和制备方法-CN201610374048.8在审
发明人：陈湛旭;何影记;万巍;陈泳竹;陈耿炎 -专利权人：广东技术师范学院
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效率纳米结构LED及其设计和制备方法，包括：1)利用布拉格衍射理论设计纳米柱阵列的周期；2)利用有效折射率和增强薄膜透过率理论设计纳米柱的直径与高度；3)利用纳米球掩膜刻蚀或其他纳米技术制备纳米柱阵列结构本发明的设计巧妙，可以大批量生产，通过优化设计纳米柱结构从而制备高效率的平面结构LED芯片。本发明公开的高效率LED的设计和制备方法，在LED的透明电极ITO层设计纳米柱阵列结构，制备出高效率的平面结构LED。
一种高效率纳米结构 led 及其设计制备方法

[发明专利]垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法-CN201310193970.3有效
发明人：于治国;赵丽霞;魏学成;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在衬底的背面
垂直结构表面离激元增强 gan 纳米 led 制备方法

[发明专利]一种宽光谱纳米阵列探测器及其制备方法-CN201910156029.1在审
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;杨希峰;王书昶;马玉龙;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱纳米阵列探测器，包括氧化硅衬底，氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本发明还公开了一种宽光谱纳米阵列探测器的制备方法。本发明利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围，在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。
纳米柱周期阵列结构表面设置纳米阵列氧化硅衬钙钛矿宽光谱探测器透明导电薄膜异质结轴向柱体制备表面设置金属导电电极光谱响应可见光谱上下对齐栅线电极周期阵列紫外光谱外电路响应驱动拓展

[实用新型]一种宽光谱纳米阵列探测器-CN201920262643.1有效
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;杨希峰;王书昶;马玉龙;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宽光谱纳米阵列探测器，包括氧化硅衬底，氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本实用新型利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围，在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。
纳米柱周期阵列结构表面设置氧化硅衬钙钛矿透明导电薄膜本实用新型纳米阵列宽光谱异质结探测器轴向柱体表面设置金属导电电极光谱响应可见光谱上下对齐栅线电极周期阵列紫外光谱外电路响应驱动拓展

[发明专利]一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法-CN200810113324.0无效
发明人：朱建军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制备具有纳米折叠有源区结构外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先制备Al_xIn_yGa_zN材料模版，其中x+y+z＝1，0≤x，y，z≤1；步骤2：利用纳米加工技术，在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN纳米柱阵列，该AlInGaN纳米柱阵列包括多个AlInGaN纳米柱；步骤3：在AlInGaN纳米柱阵列、AlInGaN纳米柱和AlInGaN材料模版的上表面生长具有纳米折叠结构的有源区层；步骤4：在具有纳米折叠结构的有源区层上生长带有纳米孔阵列的p型GaN层，该p型GaN层填满AlInGaN纳米柱阵列的缝隙，完成外延片的制作
一种生长纳米折叠结构有源区外方法

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