专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]射频前端模组及其制作方法、通讯装置-CN202280018650.1在审
  • 翁国军;王晓龙 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2022-09-29 - 2023-10-24 - H01L21/50
  • 一种射频前端模组及其制作方法和通讯装置。该射频前端模组包括第一功能基板、第二功能基板和第一射频前端组件;第一功能基板包括第一衬底基板和金属键合结构;第二功能基板包括第二衬底基板、位于第二衬底基板之中的凹槽、和键合金属层;第一射频前端组件至少部分位于凹槽之内;第一衬底基板和第二衬底基板相对设置,第二衬底基板靠近第一衬底基板的表面包括位于凹槽之内的凹槽表面和位于凹槽之外的衬底表面;键合金属层包括位于凹槽表面的第一金属部分和位于衬底表面的第二金属部分;第一射频前端组件被第一金属部分至少部分包围,第二金属部分与金属键合结构键合。由此,该射频前端模组具有成本低,体积小等优点。
  • 射频前端模组及其制作方法通讯装置
  • [发明专利]一种声表面波滤波器-CN202311163571.2在审
  • 黄磊;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-09-11 - 2023-10-20 - H03H9/02
  • 本申请实施例公开了一种声表面波滤波器,包括至少一个声表面波谐振器,声表面波谐振器除包括叉指换能器外,还包括分布式电极,分布式电极包括沿第一方向排布的第一分布式电极和第二分布式电极,第一分布式电极包括沿第二方向排布的多个第一块状电极,第二分布式电极包括沿第二方向排布的多个第二块状电极,第一块状电极与叉指电极一一对应,第一块状电极在衬底所在平面的投影位于其对应的叉指电极在衬底所在平面的投影范围内;第二块状电极与叉指电极一一对应,第二块状电极在衬底所在平面的投影位于其对应的叉指电极在衬底所在平面的投影范围内,以抑制声表面波谐振器的杂散信号,提高声表面波谐振器的性能,从而提高声表面波滤波器的性能。
  • 一种表面波滤波器
  • [发明专利]一种声表面波滤波器-CN202311163498.9在审
  • 黄磊;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-09-11 - 2023-10-17 - H03H9/02
  • 本申请实施例公开了一种声表面波滤波器,包括至少一个声表面波谐振器,所述声表面波谐振器除包括叉指换能器外,还包括辅助电极,且所述辅助电极,所述辅助电极包括第一辅助电极和第二辅助电极,在垂直于所述衬底所在平面的方向上,所述第一辅助电极覆盖多个所述第一叉指电极的端部,且与多个所述第二叉指电极相交,所述第二辅助电极覆盖多个所述第二叉指电极的端部,且与多个所述第一叉指电极相交,以减小所述声表面波谐振器的杂散信号,提高所述声表面波谐振器的性能,从而提高所述声表面波滤波器的性能。
  • 一种表面波滤波器
  • [发明专利]一种用于N79频段的滤波器-CN202311137884.0在审
  • 梁骥;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-09-05 - 2023-10-10 - H03H9/56
  • 本发明提供了一种用于N79频段的滤波器,包括:至少一个声学谐振器和IPD滤波电路;其中,所述声学谐振器和所述IPD滤波电路依次串联连接,或,所述声学谐振器和所述IPD滤波电路间隔串联连接;所述IPD滤波电路用于在N79频段构成通带。该用于N79频段的滤波器采取声学谐振器和IPD滤波电路集成技术实现目标需求,二者均采用半导体加工技术,可实现在同一晶圆上加工制作,并且该滤波器的电路和结构可以兼具大带宽和快速滚降的特点,可以同时实现N79频段低插损和WiFi 6E的高抑制。
  • 一种用于n79频段滤波器
  • [发明专利]一种滤波装置及其制作方法-CN202310799849.9在审
  • 梁骥;唐供宾;邹洁 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-10-03 - H03H9/02
  • 本申请实施例公开了一种滤波装置及其制作方法,该滤波装置包括声学谐振器和至少一个电容滤波器,从而使得所述滤波装置既包括声学谐振器,又包括电容滤波器,因此,本申请实施例所提供的滤波装置既能实现大带宽的要求,又具有较高Q值,可以实现滤波器的快速滚降。而且,该滤波装置中,所述声学谐振器包括多个电极,所述多个电极的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极,从而将声学谐振器和电容滤波器制作在一个晶圆上,同时复用部分结构,以减小所述滤波装置的体积。
  • 一种滤波装置及其制作方法
  • [发明专利]用于释放型体声波滤波器的监控结构、滤波器-CN202310964233.2在审
  • 胡威威;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-08-01 - 2023-09-05 - H03H9/02
  • 本申请涉及谐振器技术领域,公开一种用于释放型体声波滤波器的监控结构,包括:多个释放监测结构,释放监测结构的数量与谐振器的数量相同;释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同;各释放监测结构分别设置有空腔和第一空腔释放通道;第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。这样,释放监测结构的数量与滤波器中的谐振器的数量相同,且释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同。便于监控结构中的每一个释放监测结构能分别对应监测一个谐振器,从而能够监测滤波器中的每一个谐振器是否释放干净。进而能够精确的监测滤波器是否释放干净。本申请还公开一种滤波器。
  • 用于释放声波滤波器监控结构
  • [发明专利]用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法-CN202310969496.2在审
  • 王健;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-08-02 - 2023-09-05 - H03H3/02
  • 本申请提供一种用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法,包括:在压电层的第一表面,形成第一谐振器和第二谐振器各自的第一电极;在第一谐振器的第一电极和第二谐振器的第一电极,形成对应的第一谐振器的第一钝化层和第二谐振器的第一钝化层;在压电层的第二表面,形成第一谐振器和第二谐振器各自的第二电极,第二表面与第一表面相对;对形成的FBAR滤波装置进行射频性能测试;基于射频性能测试的结果,调整第一谐振器的第二电极的厚度;以及在第一谐振器的第二电极和第二谐振器的第二电极,形成对应的第一谐振器的第二钝化层和第二谐振器的第二钝化层。RF性能测试的结果调整电极或钝化层的厚度,提高整个晶圆片的一致性。
  • 用于制造薄膜声波谐振器fbar滤波装置方法
  • [发明专利]一种体声波谐振器的制备方法和封装方法-CN202310926926.2在审
  • 梁骥;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-07-27 - 2023-09-01 - H03H3/02
  • 本发明提供了一种体声波谐振器的制备方法和封装方法,属于体声波谐振器技术领域。本发明首先提供预设结构的前驱体器件,在所述前驱体器件的上表面键合第一晶圆,然后去除所述前驱体器件中的第一衬底,得到待成腔器件;按照第一空腔的形状对第二晶圆进行刻蚀,然后与所述待成腔器件的过渡层键合,或者,将所述待成腔器件的过渡层与第一键合层键合,按照第一空腔的形状对所述过渡层与第一键合层进行刻蚀,然后与第二晶圆键合,或者,按照第一空腔的形状对所述过渡层进行刻蚀,然后与第二晶圆键合,得到成腔器件;将所述成腔器件中第一晶圆去除,得到体声波谐振器。本发明形成谐振空腔时避免使用释放牺牲层的方法,有利于提高产品良率。
  • 一种声波谐振器制备方法封装
  • [发明专利]一种滤波器及其制备方法-CN202310934361.2在审
  • 王友良;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-09-01 - H03H9/17
  • 本发明提供了一种滤波器及其制备方法,属于滤波器技术领域。本发明提供了一种滤波器,包括依次层叠设置的基底、空腔填充层、下电极、压电层和上电极,所述空腔填充层相对下电极内缩,所述内缩形成的空间设置支撑层,所述支撑层的上表面与下电极的上表面的水平高度相同,所述空腔填充层与下电极之间存在空腔。本发明在BE层下方做支撑层,支撑层的上表面与下电极的上表面的水平高度相同,PZ生长在平滑的表面,保证PZ的质量,不会因晶向不一致、应力问题产生缺陷,无需BE刻蚀形成斜坡,降低BE刻蚀难度。且本发明所述空腔填充层与下电极之间存在空腔,谐振区完好,无需打孔,不容易破裂。
  • 一种滤波器及其制备方法
  • [发明专利]一种温度补偿型声表面波谐振器及其制备方法-CN202310960840.1在审
  • 王博;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-08-02 - 2023-08-29 - H03H9/02
  • 本发明提供了一种温度补偿型声表面波谐振器及其制备方法,属于TC‑SAW滤波器技术领域。本发明提供了一种温度补偿型声表面波谐振器,包括依次层叠设置的衬底层、叉指电极金属层、第一温度补偿层、悬浮金属层和第二温度补偿层,所述悬浮金属层的宽度为所述温度补偿型声表面波谐振器的波长的0.6~1倍。本发明利用悬浮金属层的横向结构变化,悬浮金属层的宽度随谐振器变迹区域的连续波长变化而变化,通过改变叉指电极指条末端的质量加载效应,使指条末端区域与中间区域产生声速差,形成更好的杂波抑制效果从而来提高谐振器和滤波器的性能。
  • 一种温度补偿表面波谐振器及其制备方法
  • [发明专利]声表面波谐振器、MEMS设备-CN202310750548.7在审
  • 王博;唐供宾;邹洁 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-08-22 - H03H9/02
  • 本申请涉及谐振器技术领域,公开一种声表面波谐振器,包括:衬底,用于声电换能;衬底的外表面设置有叉指电极结构和二氧化硅层;叉指电极结构,通过施加电压以激励声电换能;二氧化硅层,包裹叉指电极结构;氮化硅薄膜,位于叉指电极结构远离衬底的一侧,且氮化硅薄膜位于声表面波谐振器的有源区域内。这样,将氮化硅薄膜设置在声表面波谐振器的有源区域内,有助于提高有源区的声速。从而能够抑制声表面波谐振器的横向模式杂波。本申请还公开一种MEMS设备。
  • 表面波谐振器mems设备
  • [发明专利]埋入式滤波器和射频前端模组的封装结构及其制备方法-CN202310046405.8有效
  • 请求不公布姓名 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-01-31 - 2023-08-22 - H01L23/31
  • 本发明提供了一种埋入式滤波器和射频前端模组的封装结构及其制备方法,该封装结构包括:封装基板,所述封装基板包括多个凹槽;位于所述凹槽内的第一倒装芯片;位于所述凹槽上方的第二倒装芯片,从而使得第二倒装芯片位于第一倒装芯片的上方;另外,在第一方向上所述第一倒装芯片的第一表面与所述第二倒装芯片的第一表面之间具有间隔;第一倒装芯片的第一表面为第一倒装芯片面向第二倒装芯片的表面,第二倒装芯片的第一表面为第二倒装芯片面向凹槽的表面,所述第一方向垂直于所述封装基板所在平面,从而获得的封装结构可以在两个倒装芯片间形成空腔结构,不需要对单个芯片做预先的晶圆级封装,可以显著缩小封装尺寸和封装制造成本。
  • 埋入滤波器射频前端模组封装结构及其制备方法
  • [发明专利]声表面波谐振器、MEMS设备-CN202310651156.5在审
  • 吴淑娴;鲍飞鸿;吴宗霖;钱航宇;胡昭;邹洁 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2023-06-02 - 2023-08-11 - H03H9/02
  • 本申请涉及谐振器技术领域,公开一种声表面波谐振器,包括:压电衬底,用于声电换能;压电衬底的外表面设置有叉指电极结构;叉指电极结构,通过施加电压以激励声电换能;叉指电极结构包括两个汇流条和垂直连接汇流条的多个电极指;第一活塞部,设置在有效区域靠近连接部的边缘;有效区域为电极指中属于有效孔径的区域;连接部为第一活塞部所处电极指连接的汇流条;第二活塞部,设置在各电极指的末端所处区域;第二活塞部与第一活塞部的俯视形状不同。这样,能够使得声波在声表面波谐振器的不同区域具有更大的声速差,从而更好地抑制声表面波谐振器的横向模式杂波,进而改善声表面波谐振器的声学性能。本申请还公开一种MEMS设备。
  • 表面波谐振器mems设备

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