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[发明专利]通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件-CN202110284739.X在审
发明人：林豫立 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件，涉及半导体技术领域，通过在介质层上开孔，形成贯穿介质层的第一导电通孔，再在停止层上开孔，形成贯穿停止层的第二导电通孔，第二导电通孔与第一导电通孔连接，且第二导电通孔的线宽大于相邻的第一导电通孔的线宽。通过在第一导电通孔的下部设置扩孔状的第二导电通孔，并通过第二导电通孔与第一导电层接触，从而在后续填充时增大了与第一导电层的接触面积，降低了接触电阻，进而提升了半导体器件的性能。
结构制备方法半导体器件

[实用新型]用于半导体器件的通孔-CN201820659149.4有效
发明人：埃里克·阿米勒;E·威廉·科威尔三世 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于半导体器件的通孔的实施方式可包括保形地沉积在所述通孔内且可凹进所述通孔内的第一钨层，以及沉积到所述第一钨层上方的所述凹槽中的第二钨层。由所述第二钨层形成的平面可基本上平行于与在横截面中所观察到的所述通孔的最长尺寸基本上垂直地对准的平面。
通孔钨层半导体器件沉积保形地垂直地凹进平行对准观察

[实用新型]通孔器件图像分析检测装置-CN202222449786.8有效
发明人：张渊华 -专利权人：珠海市鑫润达电子有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本实用新型公开了通孔器件图像分析检测装置，涉及通孔器件检测装置技术领域，包括控制箱，所述控制箱的一侧设置有箱门，且控制箱的一端安装有显示屏，所述控制箱内部的顶端安装有多个第一电动伸缩杆，且第一电动伸缩杆的底端连接有安装板
器件图像分析检测装置

[发明专利]通孔结构刻蚀方法及刻蚀机-CN202210967808.1在审
发明人：金阳 -专利权人：无锡沧海云帆电子科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔结构刻蚀方法及刻蚀机，该通孔结构刻蚀方法通过获取器件通孔尺寸；根据所述器件通孔尺寸确定衬底通孔尺寸；根据所述器件通孔尺寸和衬底通孔尺寸利用预设刻蚀气体同时刻蚀器件通孔和衬底通孔，以使所述器件通刻穿所述钝化层时，所述衬底通孔刻蚀至所述富陷阱层内。本发明通过获取器件通孔尺寸以及确定衬底通孔尺寸，并利用预设刻蚀气体同时刻蚀器件通孔和衬底通孔，从而避免了衬底通孔保护相关的工艺流程，实现了通孔结构刻蚀流程的简洁化。
结构刻蚀方法

[发明专利]GaN HEMT器件的通孔制备方法-CN201810168894.3在审
发明人：宋洁晶;谭永亮;胡多凯;李飞;周国;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件的通孔制备方法，该方法包括：在晶圆的势垒层的上表面生长介质层；其中，所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层；去除所述介质层与第一通孔区对应的部分，露出势垒层，形成一个第一通孔；在形成第一通孔后的所述晶圆的源电极区制作正面源电极；依次去除所述SiC衬底与第二通孔区对应的部分、所述GaN外延层与第二通孔区对应的部分和所述势垒层与第二通孔区对应的部分，形成一个第二通孔；在所述SiC衬底的下表面和所述第二通孔的侧壁和顶壁上均生长第一金属层，所述第一金属层与所述正面源电极相连本发明能够精确控制通孔尺寸，提高通孔刻蚀工艺的一致性和稳定性。
通孔势垒层通孔区源电极衬底晶圆第一金属层上表面去除制备半导体技术领域一致性和稳定性衬底上表面刻蚀工艺生长介质介质层下表面侧壁顶壁生长制作

[发明专利]MTJ器件中的锥形通孔结构-CN201980081245.2在审
发明人： N.马查克;B.多里斯;P.哈什米 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：用于MRAM或基于MTJ的存储器单元的底部电极结构包括锥形，使得底部CD小于顶部CD。制造底部电极接触结构的工艺包括使用具有增加的聚合度的等离子体化学物质来蚀刻电介质层。获得了通过该工艺制成的产品。
mtj 器件中的锥形结构

[发明专利]具有模塑通孔的半导体器件-CN201410101723.0有效
发明人：郑钧文;彭荣辉;蔡尚颖;蔡宏佳;邓伊筌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。
具有模塑通孔半导体器件

[发明专利]射频器件产品的通孔刻蚀方法-CN200410053418.5有效
发明人：吕煜坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2004-08-04 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频器件产品的通孔刻蚀方法，旨在提供一种刻蚀效率高且效果好的射频器件产品的通孔刻蚀方法。其技术方案的要点是：第一步，进行顶层氮氧化硅的刻蚀，将该层膜刻蚀干净；第二步，进行氧化膜的主刻蚀，追加50％的过刻蚀，以确保硅片面内每个接触孔都打开；第三步，对底部氮化硅进行刻蚀，调整三氟甲烷和氧气的比例，加上氩气稀释，选择对氧化膜高的刻蚀速率选择比去除氮氧化硅，使孔停在下层氮化钛中。
射频器件产品刻蚀方法

[发明专利]具有金属通孔的半导体器件-CN201810576623.1有效
发明人：洪瑟气;申宪宗;全辉璨;郭玟燦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底，所述衬底具有器件隔离区，所述器件隔离区界定有源区。有源鳍位于所述有源区中。栅极结构沿与所述衬底的上表面正交的方向与所述有源鳍交叠，且在与第一方向相交的第二方向上延伸。金属通孔位于所述衬底上方的比所述接触塞的上表面高的第一水平高度且与所述有源鳍间隔开。金属线位于所述衬底上方的比所述第一水平高度高的第二水平高度且连接到所述金属通孔。通孔连接层从所述接触塞的上部部分延伸且连接到所述金属通孔。本公开提供一种具有新颖的互连结构的半导体器件，所述新颖的互连结构与相邻组件之间的短接缺陷的量减少。
具有金属半导体器件

[发明专利]形成半导体器件通孔的方法-CN96108467.7无效
发明人：赵景洙 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-06-08 - 公布日： 2000-10-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成半导体器件通孔的方法，包括在已蒸镀下部金属布线层的半导体衬底上的第一绝缘膜上蒸镀金属膜，按预定的第一掩模图形蚀刻金属膜，形成金属布线；形成金属布线后，除去在金属膜上的第一掩模图形，在整个金属布线表面上涂敷第二掩模图形，按第二掩模图形蚀刻金属布线使金属布线突出，在突出的金属布线表面上蒸镀第二绝缘膜，在第二绝缘膜的上部涂敷预定的第三掩模图形，按第三掩模图形蚀刻第二绝缘膜，形成由所述金属布线构成底部的通孔。
形成半导体器件方法

[发明专利]具有通孔条的半导体器件-CN201480053253.3有效
发明人： R·V·夏诺伊;K·莱;J·B·拉西特;P·J·史蒂芬诺;D·W·J·基德韦尔;E·P·格瑟夫 -专利权人：施耐普特拉克股份有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括逻辑管芯的第二表面和第一通孔条的第二表面耦合至基板的第一表面，存储器管芯的第二表面耦合至通孔条的第一表面，存储器管芯的第二表面的一部分在逻辑管芯的第一表面上延伸，使得逻辑管芯和存储器管芯垂直交错，以及存储器管芯通过通孔条电耦合至逻辑管芯。通孔条可由玻璃制成，且包括透玻通孔(TGV)和嵌入的诸如电阻器、电容器和电感器之类的无源器件。半导体器件可被形成为单个封装或层叠封装结构，其具有通孔条并且存储器管芯封装在一个封装中而基板和逻辑管芯封装在另一个封装中。
通孔条存储器管芯逻辑管芯第二表面封装半导体器件第一表面耦合基板电容器层叠封装结构垂直交错单个封装无源器件电感器电阻器电耦合嵌入的通孔玻璃延伸

[发明专利]用于IC器件的止裂通孔-CN201180056162.1有效
发明人： R·F·麦卡锡;S·C·贝汀菲儿 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种集成电路（IC）器件（300），其包括具有顶表面（304）的衬底（305），顶表面（304）包括有源电路（309）和多个管芯焊盘（302），有源电路（309）包括多个I/O节点（308），多个管芯焊盘包括第一介电通孔（312）的第一介电层（306）在多个管芯焊盘上方。包括多个RDL捕获焊盘（318）的重定向层（RDL）（314）经由第一介电通孔耦合到多个管芯焊盘。包括第二介电通孔（322）的第二介电层（320）在多个RDL捕获焊盘上方。第二介电通孔中的至少一个是具有包括一顶端的通孔形状的止裂通孔，该顶端背向IC管芯的中性应力点并沿从该中性应力点到止裂通孔的线条取向，从而面向线条，与线条的角度在±30度的范围内。凸点下金属化（UBM）焊盘（324）经由第二介电通孔耦合到多个RDL捕获焊盘，并且金属键合连接体（326）在该UBM焊盘上。
用于 ic 器件止裂通孔

[发明专利]具有通孔焊盘嵌件的硅通孔(TSV )半导体器件-CN201310175220.3在审
发明人：黄善宽;朴炳律;郑显秀;千镇豪;崔吉铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括在衬底的表面上的绝缘层、垂直通过衬底和绝缘层且暴露于绝缘层上的通孔结构、以及在暴露的通孔结构的表面上的通孔焊盘。通孔焊盘包括通孔焊盘本体、在通孔焊盘本体下面且突出到绝缘层中并围绕通孔结构的通孔焊盘嵌件。通孔焊盘本体和通孔焊盘嵌件包括直接在绝缘层上的通孔焊盘阻挡层和在通孔焊盘阻挡层上的通孔焊盘金属层。
具有通孔焊盘嵌件硅通孔 tsv 半导体器件

[发明专利]一种显示面板和显示装置-CN202210917303.4在审
发明人：蔡雨;王俊强 -专利权人：湖北长江新型显示产业创新中心有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：显示面板包括衬底基板、发光器件层和光调节结构层；发光器件层位于衬底基板与光调节结构层之间，发光器件层包括多个发光器件；光调节结构层包括光调节单元，光调节单元包括通孔，通孔与发光器件交叠，发光器件包括第一发光器件和第二发光器件，第一发光器件的发光面积大于第二发光器件的发光面积，通孔包括第一通孔和第二通孔，第一通孔与第一发光器件交叠，第二通孔与第二发光器件交叠，第一通孔的面积大于第二通孔的面积。本发明能够降低光线在显示面板内发生全反射而被限制在显示面板内的几率，提升了发光器件的出光效率。
一种显示面板显示装置

[发明专利]具有衬底通孔的半导体器件和制造具有衬底通孔的半导体器件的方法-CN201980078619.5在审
发明人：伯恩哈德·勒夫勒;托马斯·博德纳;耶格·西格特 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：通孔(7)形成在衬底中，并且将接触金属层(4')之一的接触区(4*)的金属化层(9)施加在通孔中。在通孔的底部处部分地去除金属化层(9)、包括接触区(4*)的金属层(4')和金属间电介质(3)，以便形成穿透金属间电介质并延伸到通孔的孔(16)。连续钝化层(12)布置在通孔(7)和孔(16)内的侧壁上，并且金属化层(9)围绕孔(16)接触接触区(4*)。因此，避免存在通常在中空衬底通孔的底部处形成的层的薄膜。
具有衬底半导体器件制造方法

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