专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]结晶层叠结构体,半导体装置-CN201910603781.6有效
  • 人罗俊实;织田真也 - 株式会社FLOSFIA
  • 2015-03-30 - 2020-09-08 - H01L29/24
  • 本发明涉及结晶层叠结构体及半导体装置。本发明的目的在于提供一种导电出色的结晶层叠结构体,该结晶层叠结构体中,具有刚玉结构的结晶氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶层叠结构体组成的半导体。其中该结晶层叠结构体具备底层基板,和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶氧化物薄膜,所述结晶氧化物薄膜的膜厚是1μm以上,所述结晶氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。
  • 结晶层叠结构半导体装置
  • [发明专利]结晶离子凝胶及其制备方法和应用-CN202210145421.8有效
  • 朱世平;何文卿;张祺 - 香港中文大学(深圳)
  • 2022-02-17 - 2022-10-18 - C08L33/08
  • 本申请提供一种半结晶离子凝胶及其制备方法和应用。半结晶离子凝胶,由半结晶聚合物和负载于所述半结晶聚合物内的离子液体组成。半结晶离子凝胶的制备方法,包括:将包括单体化合物、交联剂和引发剂在内的原料混合,进行反应得到所述半结晶聚合物,然后将所述半结晶聚合物浸泡于所述离子液体中,得到所述半结晶离子凝胶;所述单体化合物包括疏离子液体单体和亲离子液体单体半结晶离子凝胶的应用,用于传感器、致动器。本申请提供的半结晶离子凝胶,可以用于传感器、致动器,并具有形状记忆功能,以实现材料的重复循环使用。
  • 结晶离子凝胶及其制备方法应用
  • [发明专利]色调剂、色调剂盒、图像形成装置-CN202210121358.4在审
  • 波多野巧 - 东芝泰格有限公司
  • 2022-02-09 - 2022-12-13 - G03G9/08
  • 提供耐低温偏移和耐高温偏移优异、耐久也优异的色调剂、容纳有所述色调剂的色调剂盒及图像形成装置。实施方式的色调剂具有结晶聚酯树脂、融解温度为99~108℃的非结晶聚酯树脂A、融解温度为140~150℃的非结晶聚酯树脂B、蜡酯以及着色剂。相对于结晶聚酯树脂、非结晶聚酯树脂A、非结晶聚酯树脂B、蜡酯以及着色剂的总计T,结晶聚酯树脂的比例为5~15质量%。相对于所述总计T,非结晶聚酯树脂A的比例为50~60质量%。相对于所述总计T,非结晶聚酯树脂B的比例为20~30质量%。
  • 色调图像形成装置
  • [发明专利]结晶层叠结构体,半导体装置-CN201510144633.4有效
  • 人罗俊实;织田真也 - 株式会社FLOSFIA
  • 2015-03-30 - 2019-08-13 - H01L29/78
  • 本发明的目的在于提供一种导电出色的结晶层叠结构体,该结晶层叠结构体中,具有刚玉结构的结晶氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶层叠结构体组成的半导体。其中该结晶层叠结构体具备底层基板,和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶氧化物薄膜,所述结晶氧化物薄膜的膜厚是1μm以上,所述结晶氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。
  • 结晶层叠结构半导体装置
  • [发明专利]结晶半导体膜的制造方法、带结晶半导体膜的基板、薄膜晶体管-CN201080008734.4无效
  • 加藤智也;尾田智彦;大高盛 - 松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
  • 2010-05-10 - 2012-10-24 - H01L21/20
  • 本发明提供一种结晶半导体膜的制造方法、带结晶半导体膜的基板、以及薄膜晶体管。结晶半导体膜的制造方法,包括:第1工序,对非结晶半导体膜照射在短轴和长轴上具有向上凸的连续的光强度分布的连续振荡型激光,使得非结晶半导体膜的温度成为600℃~1100℃的范围;第2工序,使该非结晶半导体膜对应于所述600℃~1100℃的温度范围结晶化;以及第3工序,利用通过照射连续振荡型激光而使非结晶半导体膜结晶化时产生的潜热,使非结晶半导体膜的面内的预定的温度成为1100℃~1414℃,与1100℃~1414℃的温度范围对应,使结晶化了的非结晶半导体膜的结晶粒径扩大,所述向上凸的连续的光强度分布具有在所述长轴方向上为预定的强度以上的区域范围,所述区域范围与利用潜热而成为1100℃~1414℃的温度范围的非结晶半导体膜上的区域对应由此制造具有面内均匀良好的结晶组织的结晶半导体膜。
  • 结晶半导体制造方法薄膜晶体管
  • [发明专利]调色剂和调色剂的生产方法-CN201610674963.9有效
  • 岛野努;中川义广;田中正健;矶野直也;吉田祐 - 佳能株式会社
  • 2016-08-16 - 2020-09-04 - G03G9/08
  • 本发明涉及一种包含具有核‑壳结构的调色剂颗粒的调色剂,所述核‑壳结构包含含有非结晶树脂A和结晶树脂的核、以及含有非结晶型树脂B的壳,其中所述非结晶树脂A含有苯乙烯‑丙烯酸系树脂,所述苯乙烯‑丙烯酸系树脂的含量基于所述非结晶树脂A的总质量为50质量%以上,所述非结晶树脂A和所述结晶树脂之间的相容度A为50%以上且100%以下,和所述非结晶树脂B和所述结晶树脂之间的相容度B为0%以上且40%以下。
  • 调色生产方法

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