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[发明专利]柔性基板、柔性显示面板及显示装置-CN201811416562.9有效
发明人：景小红 -专利权人：惠州市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：所述玻璃基板上设置有复数条横向沟道和复数条纵向沟道，所述复数条横向沟道与所述复数条纵向沟道相交以形成多个矩形区域；并且，所述横向沟道与所述纵向沟道分别贯穿所述玻璃基板，其中，在所述横向沟道与所述纵向沟道内分别设置一填充体，以使所述填充体填充所述横向沟道及所述纵向沟道的部分，从而在所述横向沟道及所述纵向沟道内形成一沟槽。
柔性显示面板显示装置

[实用新型]适用于机械手抓取的球销网孔板-CN201720801285.8有效
发明人：马丽 -专利权人：上海采埃孚伦福德底盘技术有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： B25H3/00 文献下载
摘要：适用于机械手抓取的球销网孔板，包括一网孔板，网孔板是ABS塑料制成的网孔板；网孔板上设有至少三条相互平行的横向沟道，网孔板上还开设有至少三条相互平行的纵向沟道，横向沟道与纵向沟道相互交叉构成一网状结构；横向沟道的宽度大于0.7cm，且小于4cm，深度大于0.7cm，且小于3cm；纵向沟道的宽度大于0.7cm，且小于4cm，深度大于0.7cm，且小于3cm；网孔板上还设有用于容置球销的连杆部的盲孔，盲孔位于横向沟道与纵向沟道的交叉处，盲孔的深度大于横向沟道与纵向沟道的深度。横向沟道与纵向沟道的尺寸，可以良好的容纳机械手的机械手指，以进行抓取操作。
适用于机械手抓取网孔

[实用新型]一种用于承载货物的卡板结构-CN201520980758.6有效
发明人：吉永豐弘 -专利权人：新时代包装香港有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： B65D19/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于承载货物的卡板结构，其包括有板体，所述板体顶部设有多个承载块，多个承载块之间形成有两条横向沟道和两条纵向沟道，所述横向沟道和纵向沟道均用于穿过叉车的货叉。本实用新型相比现有技术而言的有益效果在于，其方便了从卡板上取下货物，同时，板体顶部设置了两条横向沟道和两条纵向沟道，利用该横向沟道和纵向沟道，可以方便于从横向或纵向插入货叉，消除了受操作方向的限制，进而满足了用户的不同需求
一种用于承载货物板结

[实用新型]一种晶圆结构-CN202023060772.4有效
发明人：林科闯;何俊蕾;刘成;郭德霄;汪晓媛;梁玉玉;叶念慈;房育涛;许亚坡 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆结构，它包括衬底、生长在衬底上的氮化镓基外延结构、基于氮化镓基外延结构制备的具有横向沟道的器件和纵向沟道的器件，横向沟道器件和纵向沟道器件的栅长方向分别平行于氮化镓晶体晶系的两个等效晶向，横向沟道器件的栅长方向垂直纵向沟道器件的栅长方向。它具有如下优点：保持横向与纵向布局器件电学特性的一致性。
一种结构

[实用新型]一种具有倒流纵向沟道的MOS器件-CN201821553806.3有效
发明人：黄兴 -专利权人：黄兴
申请日： 2018-09-23 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有倒流纵向沟道的MOS器件，通过引入倒流的（与器件整体电流方向相反的）纵向沟道，避免了器件底部电极高压偏置时MOS沟道的势垒降低和栅介质内部电场过高造成的失效。对于碳化硅MOS器件，具有倒流纵向沟道MOS器件的沟道迁移率大大高于横向沟道的MOS器件，同时具备更高的雪崩耐性和更强的短路特性。
纵向沟道沟道迁移率底部电极短路特性方向相反横向沟道内部电场整体电流碳化硅栅介质沟道偏置势垒雪崩引入申请

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010198886.0在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：衬底，衬底包括第一区域，第一区域沿纵向包括相邻接第一纵区和第二纵区；沟道体，位于衬底上，沟道体沿纵向延伸，且沟道体沿纵向包括第一沟道部件和第二沟道部件，第一沟道部件的横向宽度大于第二沟道部件的横向宽度，横向与纵向垂直，在第一区域中，第一沟道部件位于第一纵区，第二沟道部件位于第二纵区；第一栅极结构，横跨第一沟道部件；第二栅极结构，横跨第二沟道部件。本发明实施例通过增大第一沟道部件的横向宽度的方式，使得下拉晶体管中载流子迁移率得到提高的同时，有利于提高半导体结构的表面利用率，相应提高半导体结构的集成度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]三维存储器的制造方法和通过其制造的三维存储器-CN201910188802.2有效
发明人：焦明洁;郝志杰 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：根据本公开的制造方法包括：在衬底上形成的纵向叠层中形成沟道通孔，沟道通孔从纵向叠层的上层延伸到纵向叠层下方的衬底，该纵向叠层用于形成包括上选择晶体管、存储单元串和下选择晶体管的电路结构；在沟道通孔的底部上沉积下选择晶体管的第一沟道层；在沟道通孔的侧壁和第一沟道层上沉积栅极叠层；沿沟道通孔的侧壁上的栅极叠层去除第一沟道层上的栅极叠层和第一沟道层的一部分；在沟道通孔内沉积存储单元串的第二沟道层；以及使用填充材料填充沟道通孔。
三维存储器制造方法通过

[实用新型]一种用于制作碳纤维轮圈的芯轴-CN201820543658.0有效
发明人：叶金吉 -专利权人：厦门佰业兴户外用品有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： B65H27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制作碳纤维轮圈的芯轴，包括芯轴本体，所述芯轴本体采用保利龙制成，所述芯轴本体具有上表面和下表面，所述上表面和下表面均开设有若干沟道；所述若干沟道包括十字交错的横向沟道和纵向沟道，所述相邻两条横向沟道及纵向沟道间隔形成若干模块。本实用新型所述的芯轴是采用保利龙制成，其上、下表面各开设有十字交错的横向沟道和纵向沟道，并且相邻两条横向沟道及纵向沟道间隔形成模块，采用这种工艺，保利龙芯轴在经过高温成型后收缩后自然断开形成多个体积较小的小颗粒
横向沟道纵向沟道芯轴本体下表面芯轴本实用新型碳纤维轮圈十字交错上表面沟道高温成型气嘴盖小颗粒龙芯断开制作收缩取出

[发明专利]一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片-CN202110235396.8有效
发明人：盛况;刘立;王珏;于浩 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片，包括：P型衬底区、纵向耐压区、隔离区、MOSFET和二极管区域；所述二极管区域包括二极管、N‑横向漂移区和纵向沟道区；P型衬底区位于芯片底部，P型衬底区上方设置纵向耐压区，纵向耐压区上方一边设置MOSFET，纵向耐压区上方另一边设置二极管区域。本发明的有益效果是：通过加入纵向沟道区并适当调节其沟道长度，来增加纵向耗尽层在N型层的极限深度；当漏极/阳极对源极/参考地形成高压降时，避免了因耗尽层边界扩展到二极管阳极而出现的纵向穿通问题。纵向沟道区提升了功率集成芯片的纵向耐压能力和整体耐压水平，拓宽了芯片的应用范围。
一种引入纵向沟道结构功率集成芯片

[发明专利]固位系统-CN201080034162.7有效
发明人：理查德·安东尼·赫尔斯 -专利权人：宾利汽车有限公司
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B60R5/04 文献下载
摘要：固位系统(10)包括至少一个细长的沟道部件(12)以及至少一个夹子(14)。沟道部件限定内部的沟道(22)并具有用作通向沟道的入口的纵向狭槽(24)。每个夹子具有适合于设置在沟道内的啮合部分(28，图3)以及通过穿过狭槽的颈部连接到啮合部分的外部连接部分(30，图3)。该啮合部分被成形为使得在一个角度方向上啮合部分能穿过纵向狭槽，并且一旦被插入，啮合部分可移至另一角度方向，以使啮合部分不能穿过纵向狭槽。插入后与沟道部件(12)相接触的夹子(14)的至少一部分包括合适的摩擦材料(34)，使得该材料与沟道部件之间的接触抵御夹子沿沟道部件的纵向移动。固位系统(10)尤其适合用作车辆行李厢的行李固位系统。
固位系统

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111270722.5在审
发明人：刘磊;杨远程;周文犀;王迪;张坤;杨涛;赵冬雪;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括衬底，位于衬底上的堆叠层，该堆叠层由上至下依次包括第一栅极层、第一绝缘层、第二栅极层和第二绝缘层，以及沿垂直于衬底的纵向贯穿第一栅极层和第一绝缘层的第一沟道结构，和沿纵向贯穿第二栅极层的第二沟道结构。该第二沟道结构的顶部与第一沟道结构的底部连接，第二沟道结构在垂直于纵向的截面的横截面积大于第一沟道结构在垂直于纵向的截面的横截面积。由于第一沟道结构的横截面积较小，因此第一栅极层的选通速率更快，进而可以提高半导体器件的栅极控制能力。同时第二沟道结构的横截面积较大，因此第二沟道结构可以支持更高的空穴存储量，进而可以提高半导体器件的存储能力。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件薄膜结构及制备方法-CN202211225080.1有效
发明人：洪学天;王尧林;林和;牛崇实;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件薄膜结构及制备方法，包括：砷化镓衬底层：在半导体器件薄膜结构的最底层，通过飞秒激光纵向微加工形成纵向凹槽区，并通过横向切割形成横向分割区，获得砷化镓衬底层；氮化镓生长层：在砷化镓衬底层表面，通过异质分子束外延法生长氮化镓生长层；纵向P型沟道及N型栅极层：在氮化镓生长层上的纵向凹槽内进行P型氮化镓沟道生长，并在纵向P型氮化镓沟道面两侧各沉积一个纵向N型氮化镓凸台，最终形成纵向P型沟道及N型栅极层；金属电极薄膜层：在纵向P型沟道及N型栅极层上，通过真空环境蒸发淀积与电镀工艺形成鉻‑铜‑金多层导电层，获得金属电极薄膜层；并最终形成鉻‑铜‑金多层薄膜金属化半导体器件薄膜结构。
一种半导体器件薄膜结构制备方法

[发明专利]矫形器-CN201880052315.7有效
发明人：西奥·鲁博斯;哈里·佩特里迪斯 -专利权人：西奥·鲁博斯;哈里·佩特里迪斯
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： A61F5/01 文献下载
摘要：一种用于治疗脊柱的矫形器，所述矫形器包括：主体，其具有将所述矫形器支撑在表面上的基部；和面向上的表面，其具有起伏轮廓，以对准使用者的脊柱并支撑脊柱的胸椎棘突，所述面向上的表面包括用于接收使用者的胸椎棘突的纵向沟道和横向于所述纵向沟道布置的多个横向沟道，其中所述起伏轮廓包括位于所述纵向沟道的任一侧上的峰部。
矫形

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111260431.8在审
发明人：赵冬雪;杨远程;杨涛;刘磊;王迪;张坤;周文犀;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括衬底，位于衬底上且沿垂直于衬底的纵向延伸的沟道体，沿纵向贯穿沟道体的分割结构，覆盖衬底上和覆盖沟道体的外侧壁的栅绝缘层，以及位于栅绝缘层的外侧壁的栅极层，该栅极层包括第一栅极层和位于第一栅极层上的第二栅极层其中，分割结构将沟道体分隔成沿纵向延伸的多个子沟道体，因此一个存储单元被分隔成多个子存储单元，存储密度大大提高。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN200810086617.4无效
发明人：张锡明 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2008-03-20 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提出一种薄膜晶体管，其包括一栅极、一栅绝缘层、一沟道层、一源极与一漏极。栅极配置于一基板上，栅绝缘层覆盖于栅极上。沟道层配置于栅极上方的栅绝缘层上，沟道层的纵向剖面可以为波浪状，且源极与漏极配置于沟道层上。此外，沟道层的纵向剖面亦可为平坦表面，而覆盖于沟道层上的两侧的源极与漏极为非直线条状结构。
薄膜晶体管

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