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[发明专利]用于工件处理的系统和方法-CN201780058499.3有效
发明人：杨晓晅;瑞安·帕库尔斯基 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2017-10-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了用于处理工件例如半导体工件的系统和方法。一个示例实施例涉及一种用于处理多个工件的处理系统。等离子体处理系统可包括负荷固定室。负荷固定室可包括工件柱，该工件柱构造成以堆叠布置支撑多个工件。该系统还可包括至少两个处理室。至少两个处理室可以具有至少两个处理站。每个处理站可以具有用于在处理室中的处理期间支撑工件的工件支撑件。该系统还包括与负荷固定室和处理室工艺流程连通的传送室。传送室包括旋转式机器人。旋转式机器人可以构造成将多个工件从负荷固定室中的堆叠布置传送到至少两个处理站。
用于工件处理系统方法

[发明专利]等离子体处理设备和方法-CN201880084092.2有效
发明人：马绍铭;仲華;杨晓晅;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。
等离子体处理设备方法

[发明专利]隔栅中的等离子体后气体注入-CN202310861064.X在审
发明人： W·曾;C·闫;D·V·德塞;仲華;杨晓晅;P·伦贝西斯;瑞安·M·帕库尔斯基;马丁·L·朱克 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：等离子体腔室；处理腔室；等离子体源；和隔栅，包括多个孔，该隔栅被配置为允许中性自由基从等离子体腔室经由孔流入处理腔室，该隔栅包括：气体输送系统，限定了沿隔栅的圆周方向延伸的通道，气体输送系统包括将通道分成第一通道和第二通道的壁、沿隔栅的径向方向定位在第一通道中偏离圆周中心的入口、以及经由通道与入口处于流体连通的多个出口。气体输送系统被配置成从多个出口将气体注入到中性自由基。壁限定沿圆周方向间隔开的多个开口，以提供第一通道与第二通道之间的流体连通。气体经入口进入第一通道，继而从第一通道经多个开口进入第二通道，然后经多个出口离开第二通道。
隔栅中的等离子体气体注入

[发明专利]直接驱动式混合ICP-CCP等离子体源-CN202180087285.5在审
发明人：龙茂林 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了用于处理工件的系统和方法。在一个示例实施方式中，用于处理工件的方法可以包括将工件支撑在工件支撑件上。该方法可以包括通过将工件暴露于使用混合等离子体源生成的一个或多个自由基来处理工件。在一个实施例中，等离子体源包括谐振电路，该谐振电路包括感应耦合等离子体源和电容耦合等离子体源。控制器可以被配置为通过将谐波电流减小到低于目标值来调整谐振电路的激励频率，其中谐波电流是分别对应于激励频率的一个或多个谐波的一个或多个电流的总和。
直接驱动混合 icp ccp 等离子体

[发明专利]用于热处理系统的工件支撑件-CN202180086615.9在审
发明人：罗尔夫·布雷门斯多夫;迪特尔·赫兹勒;曼努埃尔·森 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了用于热处理系统的工件支撑件。工件支撑件包括转子，该转子被配置为支撑工件。工件支撑件还包括气体供应。气体供应可以包括多个承载垫。承载垫中的每一个承载垫可以被定位为相较于转子的中心更靠近转子的周边。轴承中的每一个承载垫限定一个或多个通道，一个或多个通道被配置为将气体引导到转子上，以控制转子沿着第一轴线的位置和沿大致垂直于第一轴线的第二轴线的位置。此外，承载垫中的一个或多个承载垫限定至少一个附加通道，至少一个附加通道被配置为将气体引导到转子上，以控制转子绕第一轴线的旋转。
用于热处理系统工件支撑

[发明专利]用于等离子体处理装置的静电卡盘组件-CN202180088643.4在审
发明人：龙茂林 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电卡盘，包括工件支撑表面、夹持层、加热层、热控制系统和密封带。该密封带围绕静电卡盘的外周边，该外周边包括至少一部分的工件表面。该密封带具有大于约3毫米(mm)至约10mm的宽度。本发明还提供了包含上述静电卡盘的等离子处理装置和系统。
用于等离子体处理装置静电卡盘组件

[发明专利]具有热处理系统的工件处理装置-CN202180087870.5在审
发明人：罗尔夫·布雷门斯多夫;迪特尔·赫兹勒 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：展示了一种用于工件热处理的处理装置。所述处理装置包括处理腔、设置在处理腔内的工件支撑件、配置为从处理腔的第一侧向处理腔内流入一种或多种工艺气体的气体传输系统、设置在处理腔第二侧的一个或多个辐射热源、设置在工件支撑件和所述一个或多个辐射热源之间的一个或多个介电窗、配置为旋转所述一个或多个辐射热源的旋转系统和配置在温度测量波长范围内来获得指示工件背面温度测量值的工件温度测量系统。
具有热处理系统工件处理装置

[发明专利]具有气体喷头组件的工件处理装置-CN202180085527.7在审
发明人：杨晓晅;杨芸;曼努埃尔·森;斯克·哈姆;亚历克斯·旺斯德勒;迪特·赫茲勒;罗尔夫·布雷门斯多夫 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提出了用于工件的热处理的处理装置。处理装置包括：处理腔室；工件支撑件，被设置在处理腔室内；气体输送系统；以及辐射热源，用于加热工件。气体输送系统包括气体喷头组件，气体喷头组件对从一个或多个辐射热源发射的电磁辐射是透过的。气体喷头组件包括一个或多个气体扩散机构，以在外壳内分配气体。
具有气体喷头组件工件处理装置

[发明专利]用于等离子体处理装置的感应线圈组件-CN202180087477.6在审
发明人：龙茂林;官宇 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：公开了包括两个感应线圈的感应线圈组件。每个感应线圈包括第一绕组和第二绕组，第一绕组从在z方向上的第一位置的第一端子端开始过渡到在与z方向正交的平面中的径向内部位置，第二绕组从径向内部位置开始过渡到在与z方向正交的第二平面中的径向外部位置、并终止于第二端子端。还提供了结合感应线圈组件的等离子体处理装置。
用于等离子体处理装置感应线圈组件

[发明专利]具有真空退火反射器控制的工件处理装置-CN202180085640.5在审
发明人：杨晓晅;曼努埃尔·森;罗尔夫·布雷门斯多夫 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了工件处理装置。工件处理装置可以包括处理腔室和被设置在处理腔室内的工件支撑件上的工件。工件处理装置可以包括：气体输送系统；和一个或多个排气口，一个或多个排气口用于从处理腔室中移除气体，使得可以维持真空压力。工件处理装置可以包括辐射加热源，辐射加热源被配置为加热工件。工件处理装置还可以包括多个反射器。工件处理装置可以包括控制系统，控制系统被配置为控制反射器的一个或多个位置。
具有真空退火反射控制工件处理装置

[发明专利]具有热处理系统的工件处理装置-CN202180083810.6在审
发明人：曼努埃尔·森;亚历克斯·旺斯德勒;迪特·赫茲勒;约瑟夫·西贝雷;罗尔夫·布雷门斯多夫;马丁·扎克;彼得·莱姆贝西斯;杨晓晅 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提出了用于工件的热处理的处理装置。处理装置包括：处理腔室；工件支撑件，被设置在处理腔室内；旋转系统，被配置为旋转工件支撑件；气体输送系统，被配置为使一种或多种工艺气体从处理腔室的第一侧流入处理腔室中；一个或多个排气口，用于从处理腔室中移除气体，使得能够维持真空压力；一个或多个辐射加热源，被设置在处理腔室的第二侧上；一个或多个介电窗口，被设置在工件支撑件和一个或多个辐射加热源之间；以及工件温度测量系统，被配置为在温度测量波长范围下获得指示工件的背侧的温度的测量。
具有热处理系统工件处理装置

[发明专利]使用氟碳等离子体的工件的加工-CN202180031744.8有效
发明人：王善禹;C·闫 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：提供了用于加工工件的方法。提供了在工件上执行热处理。工件包含至少一层金属。该方法可以包括：从工艺气体生成一种或多种物质。工艺气体可以包括氢气或氘气。该方法可以包括过滤一种或多种物质，以产生经过滤的混合物，并将工件暴露于经过滤的混合物。提供了在工件上的氧化工艺。该方法可以在低于350℃的工艺温度下执行。
使用等离子体工件加工

[发明专利]具有等离子体处理系统和热处理系统的工件处理装置-CN202011464458.4有效
发明人： D·德赛;P·莱姆贝西斯;A·旺斯德勒;D·赫兹勒;J·锡伯雷;罗尔夫·布雷芒斯多费尔;杨晓晅 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提出了一种用于组合工件的等离子体处理和热处理的装置。该装置包括处理室、与处理室分开且设置在处理室的第一侧的等离子体室、以及配置为在等离子体室中产生等离子体的等离子体源。石英工件支撑体设置在处理室内，该工件支撑体配置为支撑工件。一个或多个配置为加热工件的辐射热源设置在处理室的第二侧且与第一侧相对的侧上。在工件支撑体与一个或多个热源之间设置电介质窗口。此外，该装置包括配置为获得指示工件温度的温度测量值的温度测量系统。
具有等离子体处理系统热处理工件装置

[发明专利]与快速热活化工艺相结合的使用等离子体的原子层刻蚀工艺-CN201780077368.X有效
发明人：马绍铭 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2017-05-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：公开了一种用于在半导体晶片上刻蚀膜层的工艺。该工艺特别适合于刻蚀含碳层，例如硬掩模层、光致抗蚀剂层和其他低介电膜。根据本公开，从等离子体产生的反应物质与膜层的表面接触。同时，衬底或半导体晶片经受快速热加热循环，该快速热加热循环以受控方式将温度升高超过反应的活化温度。
快速活化工艺相结合使用等离子体原子刻蚀

[发明专利]使用沉积工艺和刻蚀工艺的工件处理-CN202310102290.X在审
发明人：王善禹;C·闫;仲華;杨晓晅;宋采文;张祺 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供了一种用于对工件进行刻蚀去除工艺的装置，系统和方法。该方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由沉积工艺气体产生等离子体，以在高纵横比结构的某些层上沉积钝化层。该方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由刻蚀工艺气体产生等离子体，以从高纵横比结构中去除某些层。该方法可包括以比高纵横比结构上的二氧化硅层更快的刻蚀速率去除氮化硅层。
使用沉积工艺刻蚀工件处理

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