专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]种电池-CN202223236859.1有效
  • 齐浩军;张帅帅;彭祖铃 - 中创新航科技股份有限公司
  • 2022-12-01 - 2023-08-08 - H01M10/04
  • 本申请提供了种电池,包括,多个交替排列层叠的第一片和第二片,且所述第一片的尺寸小于所述第二片的尺寸;电解质层,覆盖于所述第二片朝向相邻所述第一片的表面;每个所述第一片具有第一耳,多个所述第一耳形成第一耳集;其中,所述第一耳具有与相邻所述第二片重叠的重叠部;还包括绝缘结构,所述绝缘结构覆盖所述重叠部。在上述技术方案中,通过设置的绝缘结构减少出现第一耳与第二片接触发生短路的问题,提升工作的稳定性以及安全性。
  • 一种电池
  • [发明专利]形成半导体装置的方法-CN201910725539.6在审
  • 王圣璁;张家豪;林佑明;王志豪 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-08-07 - 2020-02-21 - H01L29/78
  • 种形成半导体装置的方法,此方法包括在第一外延源/漏部件上形成第一虚设源/漏接触物于层间介电层中,以及在第二外延源/漏部件上形成第二虚设源/漏接触物于层间介电层中。此方法还包括将第一虚设源/漏接触物的部分、第二虚设源/漏接触物的部分以及设置于第一虚设源/漏接触物和第二虚设源/漏接触物之间的层间介电层的部分移除,以形成第一沟槽。此方法还包括将第一虚设源/漏接触物的留下部分移除以形成第二沟槽,并且在第一沟槽和第二沟槽中形成金属源/漏接触物。此方法中,第一虚设源/漏接触物和第二虚设源/漏接触物包含与层间介电层的介电材料不同的介电材料。
  • 形成半导体装置方法
  • [实用新型]电芯、电池包和车辆-CN202221358396.3有效
  • 苏碧哲;郝嵘;庄明昊;葛立萍;田业成 - 比亚迪股份有限公司
  • 2022-05-30 - 2022-10-18 - H01M10/0525
  • 本实用新型公开了种电芯、电池包和车辆,电芯包括:多个正极片,多个正极片包括:至少第一正极片和至少个第二正极片,第一正极片的端连接有第一正极耳,第二正极片的端连接有第二正极耳;以及多个负极片,相邻两个所述正极片之间夹设有所述负极片,多个负极片的端连接有负极耳,负极耳和第一正极耳之间形成第一蓄电组件,负极耳和第二正极耳之间形成第二蓄电组件。如此,负极耳和第一正极耳之间形成第一蓄电组件,负极耳和第二正极耳之间形成第二蓄电组件,这样可以根据不同的应用场景或对电池的要求,可采用不同的电流搭配策略。
  • 电池车辆
  • [发明专利]具有在其中共享源/漏区的晶体管的半导体装置-CN202010657486.1在审
  • 石井利尚 - 美光科技公司
  • 2020-07-09 - 2021-01-19 - H01L27/108
  • 本申请案涉及具有在其中共享源/漏区的晶体管的半导体装置。本文中公开种设备,其包含:第一扩散区,其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第一/漏区和第二源/漏区;第二扩散区,其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第三到第五源/漏区;第一栅电极,其沿第二方向延伸,并且设置于所述第一/漏区和第二源/漏区之间以及所述第三源/漏区和第四源/漏区之间;和第二栅电极,其沿所述第二方向延伸,并且设置于所述第四源/漏区和第五源/漏区之间所述第一/漏区和第三源/漏区带有彼此相同的电势,且所述第二源/漏区和第四源/漏区带有彼此相同的电势。
  • 具有其中共享漏极区晶体管半导体装置
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910956791.8有效
  • 陈俊翰;吴以雯;李振铭;杨复凯;王美匀;柯忠廷;李志鸿;徐志安 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-10-10 - 2022-08-09 - H01L21/8234
  • 在实施例中,种方法包括:形成差分接触蚀刻停止层(CESL),具有源/漏区域上方的第一部分和沿栅堆叠件的第二部分,源/漏区域在衬底中,栅极堆叠件在靠近源/漏区域的衬底上方,第一部分的第一厚度大于第二部分的第二厚度;在差分CESL上方沉积第一层间电介质(ILD);在第一ILD中形成源/漏接触开口;沿源/漏接触开口的侧壁形成接触间隔件;在形成接触间隔件后,使源/漏接触开口延伸穿过差分CESL;和在延伸的源/漏接触开口中形成第一/漏接触件,第一/漏接触件物理和电耦合源/漏区域,接触间隔件将第一/漏接触件与第一ILD物理地分隔开。
  • 半导体器件及其形成方法
  • [实用新型]电极组件、电池单体、电池及用电设备-CN202121958755.4有效
  • 王曦童;唐代春;杜鑫鑫;喻鸿钢 - 宁德时代新能源科技股份有限公司
  • 2021-08-19 - 2022-02-22 - H01M50/531
  • 本申请涉及电池技术领域,具体而言,涉及种电极组件、电池单体、电池及用电设备。电极组件包括:第一片、第二片和第一绝缘层,第一片与第二片卷绕形成电极组件,第一片的卷绕收尾端超出第二片的卷绕收尾端至少半圈,以使第一片完全覆盖最外圈的第二片的外表面,第一绝缘层涂覆于最外圈的第一片的外表面本申请通过将第一片的收尾端设置为超出第二片至少半圈,以防止第一片收尾处松动而导致第二片露出,并且在最外圈的第一片表面设置第一绝缘层,以防止第一片接触电池外壳,从而避免电池外壳带电导致安全风险和短路风险
  • 电极组件电池单体用电设备
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的图像传感器-CN202211407805.9在审
  • 陈暎究;安正言卓;李元奭 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-10 - 2023-05-12 - H01L29/423
  • 公开了种半导体器件和种图像传感器,该半导体器件包括:衬底;衬底上的栅极结构,其包括平行于第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开的第一侧和第二侧以及平行于第二方向延伸的第三侧;以及多个源/漏区,其包括在第二方向上彼此间隔开的第一/漏区和第二源/漏区,以及在第一方向上与第一/漏区和第二源/漏区中的至少个间隔开的第三源/漏区,第一/漏区和第二源/漏区分别与第一侧和第二侧重叠,第三源/漏区与第一侧和第三侧之重叠,并且施加至第一/漏区和第二源/漏区的电压和施加至第三源/漏区的电压基于它们各自彼此不同的值进行操作。
  • 半导体器件包括图像传感器
  • [发明专利]逆变器-CN202210864280.5在审
  • 江家维;范扬顺;黄震铄;陈衍豪 - 友达光电股份有限公司
  • 2022-07-21 - 2022-10-04 - H01L27/12
  • 种逆变器,包括基板、第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一半导体结构、第一以及第一第一半导体结构包括第一区、第一区以及第一通道区。第一区的厚度大于第一通道区的厚度以及第一区的厚度。第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二半导体结构、第二源以及第二漏。第二半导体结构包括第二源区、第二漏区以及第二通道区。第二通道区的厚度大于第二源区的厚度以及第二漏区的厚度。第二漏电性连接第一
  • 逆变器
  • [实用新型]电芯、单电池、电池包和车辆-CN202220593747.2有效
  • 杨传静;李杨 - 北京车和家汽车科技有限公司
  • 2022-03-17 - 2022-10-28 - H01M50/533
  • 本实用新型公开了种电芯、单电池、电池包和车辆,所述电芯包括正极片和负极片,正极片具有正极耳;负极片和正极片层叠布置,负极片具有负极耳;其中正极耳设有多个,多个正极耳中的至少者为第一正极耳,多个正极耳中的至少者为第二正极耳,第一正极耳和第二正极耳设在正极片的两不同侧,第一正极耳的宽度小于第二正极耳的宽度,和/或负极耳设有多个,多个负极耳中的至少者为第一负极耳,多个负极耳中的至少者为第二负极耳,第一负极耳和第二负极耳设在负极片的两不同侧第一负极耳的宽度小于第二负极耳的宽度。
  • 电池车辆

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