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[发明专利]建立LDMOS管等效电路的方法-CN202211531567.2在审
发明人：王正楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：一种建立LDMOS管等效电路的方法，所述LDMOS管包括：第一漏极和第一源极。建立LDMOS管等效电路的方法包括：建立原等效电路，所述原等效电路包括：等效MOS管、漏极寄生电阻和源极寄生电阻，所述等效MOS管包括：第二漏极和第二源极；所述漏极寄生电阻的第一端连接所述第一漏极，所述漏极寄生电阻的第二端连接所述第二漏极，所述源极寄生电阻的第一端连接所述第二源极，所述源极寄生电阻的第二端连接所述第一源极；将所述漏极寄生电阻的阻值修正为与第一修正值和第二修正值相关，所述第一修正值与所述第一漏极到所述第一源极之间的电压相关，所述第二修正值与所述第二漏极到所述第一源极之间的电压相关。
建立 ldmos 等效电路方法

[发明专利]半导体装置-CN202210285956.5在审
发明人：李韦儒;林志昌;郑存甫;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括基板；第一半导体通道与第二半导体通道，位于基板上且横向分开。栅极结构覆盖并包覆第一与第二半导体通道。第一源极/漏极区邻接栅极结构的第一侧上的第一半导体通道，且第二源极/漏极区邻接栅极结构的第一侧上的第二半导体通道。隔离结构位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间与之下，且隔离结构包括第一隔离区接触第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的下表面；以及第二隔离区接触该第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的侧壁，且自第一隔离区的下表面延伸至第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的上表面。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202310147145.3在审
发明人：刘庭均;成石铉;韩东佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一有源图案，包括第一下图案和多个第一片状图案；多个第一栅极结构，在第一下图案上；第二有源图案，包括第二下图案和多个第二片状图案；多个第二栅极结构，在第二下图案上；第一源极/漏极凹槽，在邻近的第一栅极结构之间；第二源极/漏极凹槽，在邻近的第二栅极结构之间；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，分别在第一源极/漏极凹槽和第二源极/漏极凹槽中，其中，从第一下图案的上表面到第一源极/漏极图案的最下部的深度小于从第二下图案的上表面到第二源极/漏极图案的最下部的深度，并且第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案包括相同导电类型的杂质。
半导体器件

[实用新型]一种电芯及二次电池-CN202122364099.1有效
发明人：蒋斌;韩冰;纪荣进;李聪;陈贤锐;郑明清;陈杰;李载波 -专利权人：惠州锂威新能源科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01M50/516 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电芯及二次电池，电芯包括第一极片、第二极片、第一极耳延伸部、第二极耳延伸部；第一极片电连接有至少两个第一极耳；第二极片与第一极片极性相反，电连接有至少两个第二极耳；第一极耳延伸部与所有第一极耳焊接；第二极耳延伸部与所有第二极耳焊接；其中，以其中一个第一极耳为基准，剩余第一极耳向其倾斜后所有第一极耳在远离第一极片的一端平齐，并与第一极耳延伸部焊接；以其中一个第二极耳为基准，剩余第二极耳向其倾斜后所有第二极耳在远离第二极片的一端平齐，并与第二极耳延伸部焊接。相比于现有技术，本实用新型提供的电芯解决了常规的多极耳电芯焊接后箔材极耳出现焊接不良和断裂，提高了电芯的焊接效果和优率。
一种二次电池

[实用新型]一种锂离子电池极芯及锂离子电池-CN201120476712.2有效
发明人：罗勇;张忠财;梁世硕 -专利权人：深圳市比亚迪锂电池有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01M10/0587 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种锂离子电池极芯及锂离子电池，极芯包括第一极片、第二极片以及第一极片和第二极片之间的隔膜；以第一极片起始端开始，第一极片、第二极片以及第一极片和第二极片之间的隔膜经卷绕为极芯，位于极芯内部的第一极片的半圈两表面未涂覆第一活性物质，位于极芯内部的第二极片的第一圈两表面未涂覆第二活性物质，卷绕在第二极片的第一圈表面上的第一极片与第二极片的第一圈相对的面的表面未涂覆第一活性物质；或者为层叠极芯，极芯中心的第一层，中心两侧的第二层均未辅料
一种锂离子电池

[发明专利]一种电子设备-CN202211122476.3在审
发明人：郭彤;郭超 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种电子设备，属于电子设备技术领域。一种电子设备，包括：第一充电芯片、第二充电芯片和电池，第一充电芯片为快充芯片，电池包括负极极耳、第一正极极耳和第二正极极耳；第一充电芯片与第一正极极耳和第二正极极耳连接，第二充电芯片与第一正极极耳和第二正极极耳连接；第一充电芯片、第一正极极耳和负极极耳组成第一充电通路，第二充电芯片、第二正极极耳和负极极耳组成第二充电通路；第一充电芯片、第二正极极耳和负极极耳组成第三充电通路，第二充电芯片、第一正极极耳和负极极耳组成第四充电通路
一种电子设备

[发明专利]存储器装置-CN202210198687.9在审
发明人：杨子庆;赖昇志;江昱维;蒋国璋;孙宏彰;吴承润;杨丰诚;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开提出一种存储器装置。存储器装置包括栅极电极层以及放置于基板上方的互连层的堆叠。放置在基板上方的第一存储器单元包括垂直延伸穿过栅极电极层的堆叠的第一源极/漏极导线以及第二源极/漏极导线。通道层以及存储器层放置在第一源极/漏极导线以及第二源极/漏极导线的外侧壁上。第一阻挡结构放置在第一源极/漏极导线以及第二源极/漏极导线之间。第一保护衬层将第一阻挡结构与第一源极/漏极以及第二源极/漏极导线的每一个分开。第二阻挡结构放置在第一源极/漏极导线的相异侧上，且利用第二保护衬层而与第一源极/漏极导线间隔开。
存储器装置

[发明专利]电平移动电路-CN200610107622.X有效
发明人：陈忠君 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-07-26 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种电平移动电路包括第一级电平移动单元，其具有第一晶体管、第二晶体管、第一二极管、第一电容、第二二极管与第二电容。第一晶体管具有第一栅极、第一源极/漏极与第二源极/漏极，第一源极/漏极耦接至第一电压。第二晶体管具有一第二栅极、第三源极/漏极与第四源极/漏极，第二栅极耦接至第二源极/漏极，第三源极/漏极耦接至第一电压，而第四源极/漏极耦接至第一栅极。第一二极管的第一端耦接至第二源极/漏极，第一二极管的第二端接收反相时钟信号。第一电容以并联的方式与第一二极管耦接。第二二极管的第一端耦接至第四源极/漏极，第二二极管的第二端接收时钟信号。
电平移动电路

[发明专利]卷绕电芯及用于其的极耳错位测量方法-CN202110327039.4有效
发明人：陈婷;曾杰;乔晓峰;谢再斌 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01M10/0587 文献下载
摘要：一种卷绕电芯，包括第一极片、隔膜和第二极片。第一极片、隔膜和第二极片依次层叠卷绕形成卷绕电芯。第一极片包括极片本体、第一极耳和多个第二极耳。第一极耳和多个第二极耳电连接于极片本体且沿第一极片的卷绕方向依次设置。第一极耳和第二极耳相互堆叠形成极耳组。第一极耳包括本体部及台阶部，在卷绕方向上，台阶部自本体部的两侧分别向外凸出。本申请还提供一种用于所述卷绕电芯的极耳错位测量方法。本申请可判断极耳错位方向和错位量。
卷绕用于错位测量方法

[发明专利]半导体装置、集成晶片与其形成方法-CN202110363844.2在审
发明人：马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔;荷尔本·朵尔伯斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本揭示内容是关于一种包括半导体装置、集成晶片与其形成方法。半导体装置包括上伏于第一基板的正面的栅极结构。第一基板具有与正面相对的背面。第一源极/漏极结构上伏于第一基板并且在横向上与栅极结构相邻。电力轨嵌入在第一基板中，并直接位于第一源极/漏极结构下方。第一源极/漏极触点自第一源极/漏极结构连续地延伸至电力轨。第一源极/漏极触点将第一源极/漏极结构电耦合至电力轨。
半导体装置集成晶片与其形成方法

[实用新型]电池极柱件、电池盖板组件及电池-CN202122548489.4有效
发明人：孙倩倩;张璐璐 -专利权人：中航锂电科技有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01M50/543 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池技术领域，提出了一种电池极柱件、电池盖板组件及电池。电池极柱件包括：第一极柱，第一极柱设置有凹槽；第二极柱，第二极柱设置于凹槽内，第一极柱与第二极柱铆接。通过将第二极柱设置于第一极柱的凹槽内，并且将第一极柱与第二极柱铆接，不仅连接工序简单，也可以保证第一极柱与第二极柱的连接稳定性，且第一极柱与第二极柱的装配强度较高，以此改善电池极柱件的性能。
电池极柱件盖板组件

[实用新型]一种用于锂离子电池的极组-CN201721737098.4有效
发明人：罗开亮;张永洪 -专利权人：珠海光环新能源科技有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于锂离子电池的极组，极组由隔膜以及设置在隔膜两侧的第一极片及第二极片叠合卷绕制成，第一极片和第二极片电极性相反；第一极片设置有第一极耳位，第二极片设置有第二极耳位；第一极耳位连接有第一极耳、第二极耳位连接有第二极耳；第一极片下端的两侧壁、及第二极片上端的两侧壁设置有料层，第二极片料层的上、下两端分别凸出第一极片料层的上、下两端；第一极耳位与第一极耳、第二极耳位与第二极耳之间的连接处包覆有胶层；极组外壁的中部缠绕有胶层，胶层用于耐高温和绝缘隔离。采用卷绕机的形式，该种电池的工序优化、工艺简单，而设备投入资金较少且生产效率高；第一极片与第二极片放电倍率较高。
第一极极片极组极耳位胶层锂离子电池两侧壁隔膜极耳料层本实用新型凸出叠合卷绕放电倍率工序优化绝缘隔离设备投入生产效率电极性卷绕机耐高温片料层上端包覆外壁缠绕电池资金

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201611226774.1有效
发明人：赖瑞尧;陈盈燕;陈燕铭;杨世海;严永松;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置包括一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一源极/漏极结构和一第二源极/漏极结构。上述第一栅极结构包括一第一栅极和设置于上述第一栅极上的一第一绝缘盖层。上述第二栅极结构包括一第二栅极和设置于上述第一栅极上的一第一导电接触层。上述第一源极/漏极结构包括一第一源极/漏极导电层和设置于上述第一源极/漏极导电层上方的一第二绝缘盖层。上述第二源极/漏极结构包括一第二源极/漏极导电层和设置于上述第二源极/漏极导电层上方的一第二导电接触层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电芯极片上料的分片方法-CN202010676103.5在审
发明人：林国栋;赵盛宇;雷宇;温燕修;邓玮;张均龙 -专利权人：深圳市海目星激光智能装备股份有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B65H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种电芯极片上料的分片方法，包括以下步骤：第一压紧装置向上移动，至少一个第一气流喷嘴放出第一气流，第一气流作用于极片存储装置内的极片上，使最上层的部分极片向上拱起；吸附装置吸取第一极片，第一极片为直接与吸附装置接触的极片，第二气流喷嘴放出第二气流，第二气流作用于极片上，第二气流吹落第二极片，第二极片为粘附于第一极片上的极片；第一极片从极片存储装置移动至传输装置，使第一极片远离第一压紧装置，第一压紧装置复位并压住极片存储装置内的极片通过本发明的电芯极片上料的分片方法，可以节省极片分张和定位极片的时间，提高加工的效率，有效地实现了单片上料的目的。
电芯极片上料分片方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210036327.9在审
发明人：蔡忠浩;黄谚钧;方婷;姚佳贤;李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：根据本公开，一种半导体结构，包括：第一鳍结构和第二鳍结构，在衬底之上；第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征，该第一源极/漏极特征设置在第一鳍结构之上，并且该第二源极/漏极特征设置在第二鳍结构之上；电介质特征，设置在第一源极/漏极特征之上；以及接触件结构，形成在第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征之上。接触件结构电耦合到第二源极/漏极特征并且通过电介质特征与第一源极/漏极特征分隔开。
半导体结构及其制造方法