专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201510116651.1有效
  • 林立凡;陈世鹏 - 台达电子工业股份有限公司
  • 2015-03-17 - 2018-10-16 - H01L23/485
  • 本发明公开了种半导体装置包含主动层、源、漏、栅极、第一介电层、源导线、第一贯穿结构、第二介电层、源垫与第二源贯穿结构。源置于主动层上且沿第一方向延伸。漏置于主动层上,且与源交替排列。栅极分别置于源与漏之间。第一介电层覆盖源、漏与栅极。源导线置于第一介电层上。第二介电层覆盖源导线。源垫置于第二介电层上,且包含第一主干、第一分支与源次分支。第一主干沿第一方向延伸。第一分支突出于第一主干,且置于源导线上。源次分支突出于第一分支,且置于源上。在不增加源之间电容值的情况下,源垫可降低源本身的电阻,且漏垫可降低漏本身的电阻。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011291470.X在审
  • 彭士玮;林威呈;曾健庭 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-11-18 - 2021-09-10 - H01L27/088
  • 器件包括第一晶体管、第二晶体管和接触件。第一晶体管包括第一/漏、第二源/漏以及位于第一/漏和第二源/漏之间的第一栅极。第二晶体管包括第三源/漏、第四源/漏以及位于第三源/漏和第四源/漏之间的第二栅极。接触件覆盖第一晶体管的第一/漏和第二晶体管的第三源/漏。接触件电连接至第一晶体管的第一/漏,并且与第二晶体管的第三源/漏电隔离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202110972491.6在审
  • 李元赫;朴钟撤;朴商德;申洪湜;李道行 - 三星电子株式会社
  • 2021-08-24 - 2022-04-22 - H01L27/088
  • 公开了种半导体装置。所述半导体装置包括:第一/漏图案和第二源/漏图案,在有源图案上且彼此分隔开;第一/漏接触件,在第一/漏图案上且包括第一/漏阻挡膜和在第一/漏阻挡膜上的第一/漏填充膜;第二源/漏接触件,在第二源/漏图案上;以及栅极结构,在第一/漏接触件与第二源/漏接触件之间在有源图案上且包括栅电极,其中,第一/漏接触件的顶表面比栅极结构的顶表面低,并且从有源图案的顶表面到第一/漏阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到第一/漏填充膜的顶表面的高度小。
  • 半导体装置
  • [实用新型]卷绕式电芯与电池-CN202222008165.6有效
  • 梁金云;何润斌 - 厦门海辰储能科技股份有限公司
  • 2022-08-01 - 2022-11-25 - H01M10/0525
  • 本申请公开了种卷绕式电芯与电池,该卷绕式电芯包括:第一片、第一隔膜、第二片和第二隔膜,所述第一片、第一隔膜、第二片与第二隔膜交替叠加卷绕;其中,所述第一片包括第一片本体和多个第一耳,每圈所述第一片本体上设有所述第一耳;相邻两圈的所述第一耳中,位于外圈的所述第一耳在位于内圈的所述第一耳上的正投影位于所述第一耳内;所述第二片包括第二片本体和多个第二耳,每圈所述第二片本体上设有所述第二耳,所述多个第二耳与所述多个第一耳间隔设置能够改善耳焊接时出现断裂的问题。
  • 卷绕式电芯电池
  • [发明专利]半导体结构-CN201611126760.2有效
  • 陈永翔;张耀文;刘注雍;杨怡箴;张馨文 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2016-12-09 - 2021-06-04 - H01L29/78
  • 本发明公开了种半导体结构,包括第一/漏区、第二源/漏区、通道掺杂区、栅极结构、第一阱、和第二阱。第二源/漏区与第一/漏区相对设置。通道掺杂区设置在第一/漏区和第二源/漏区之间。栅极结构设置在通道掺杂区上。第一阱具有设置在第一/漏区下的第一部分。第二阱与第一阱相对设置,并与第二源/漏区分离。第一/漏区、第二源/漏区、和通道掺杂区具有第一导电类型。第一阱和第二阱具有不同于第一导电类型的第二导电类型。
  • 半导体结构
  • [发明专利]电极组件及电化学装置-CN202211607786.4在审
  • 黄少军;劳绍江;陈宏浩 - 东莞新能源科技有限公司
  • 2022-12-14 - 2023-03-21 - H01M10/0585
  • 本申请涉及种电极组件及电化学装置,包括交错层叠设置的若干第一片、若干隔膜和若干第二片。隔膜用于分隔第一片和第二片,第一片设置有第一耳,第一耳朝第一方向弯折设置。沿第一方向的侧,电极组件的最外层片为第一外层片,第一外层片设置有第一外层耳。沿与第一方向相反的方向,与第一外层片接触的隔膜为第一隔膜,第一隔膜连接于第一外层耳。通过在第一外层耳处将第一隔膜连接固定,以此限制第一隔膜的收缩,使得第一隔膜始终将第一外层片与第二片隔离,同时第一隔膜可隔绝部分第一外层耳以及第二片,可减少第一外层耳与第二片相接触,从而降低电极组件或电化学装置的短路风险
  • 电极组件电化学装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202110894963.0在审
  • 林大钧;叶冠麟;林俊仁;潘国华;江木吉;廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-08-05 - 2022-01-28 - H01L27/092
  • 提供种半导体装置。设置第一/漏结构于基板上方。设置第二源/漏结构于基板上方。隔离结构设置于第一/漏结构以及第二源/漏结构之间。第一/漏结构与隔离结构的第一侧壁形成实质上线性的第一界面。第二源/漏结构与隔离结构的第二侧壁形成实质上线性的第二界面。第一/漏接触件在多个方向围绕第一/漏结构。第二源/漏接触件在多个方向围绕第二源/漏结构。隔离结构设置于第一/漏接触件以及第二源/漏接触件之间。
  • 半导体装置
  • [发明专利]NFET/PFET的源/漏区域的选择性凹进-CN201811098848.7有效
  • 张云闵;陈建安;王冠人;王鹏;陈煌明;林焕哲 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2018-09-19 - 2022-10-28 - H01L21/336
  • 方法包括在第一/漏区域和第二源/漏区域上方形成层间电介质。第一/漏区域和第二源/漏区域分别是n型和p型。蚀刻层间电介质以形成第一接触开口和第二接触开口,其中,第一/漏区域和第二源/漏区域分别暴露于第一接触开口和第二接触开口。使用工艺气体来同时回蚀刻第一/漏区域和第二源/漏区域,并且第一/漏区域的第一蚀刻速率高于第二源/漏区域的第二蚀刻速率。在第一/漏区域和第二源/漏区域上分别形成第一硅化物区域和第二硅化物区域。本发明的实施例还涉及NFET/PFET的源/漏区域的选择性凹进。
  • nfetpfet区域选择性凹进
  • [发明专利]高效晶体管结构-CN200410086532.8有效
  • S·苏塔迪加 - 马维尔国际贸易有限公司
  • 2004-10-21 - 2005-08-24 - H01L29/78
  • 本发明提供了种集成电路,其由第一第一第一栅极和第一管体组成。第一栅极被置于第一第一之间,而第一管体被置于第一内部并被其包围。本发明还提供了种集成电路,其由第一第一第一栅极、第一管体、第二漏和第二栅极组成。第一栅极被置于第一第一之间,第一管体被置于第一内部并被其包围,第二栅极被置于第一和第二漏之间,第一包含源压点。第一和第二栅极被设置成在靠近源压点的区域比不靠近源压点的区域分开得更远。
  • 高效晶体管结构
  • [实用新型]二次电池-CN201621318451.0有效
  • 李想;王佳军;蔡如来;王鹏;杨伟 - 宁德时代新能源科技股份有限公司
  • 2016-12-02 - 2017-06-13 - H01M2/20
  • 本实用新型提供了种二次电池,包括顶盖,设有极性相反的第一柱和第二柱;电芯,具有主体以及设置在主体上的极性相反的第一耳和第二耳;第一连接片,串联在第一耳和第一柱之间。第二耳与第二柱电连接。第一连接片具有第一柱连接部,与第一柱固定电连接;第一耳连接部,与第一耳固定电连接;第一熔断部,串联在第一柱连接部和第一耳连接部之间。二次电池还包括绝缘贴片,粘贴在第一连接片的与第一耳连接的表面,且至少覆盖第一柱连接部的靠近第一耳的边缘,以将第一耳与第一柱连接部隔开。绝缘贴片能够避免第一耳直接搭接在第一柱连接部的边缘,防止第一熔断部的失效,提高二次电池的安全性能。
  • 二次电池
  • [发明专利]种电芯结构及电池-CN202210013204.3在审
  • 余正发;彭冲;李俊义 - 珠海冠宇电池股份有限公司
  • 2022-01-07 - 2022-04-15 - H01M10/052
  • 本发明提供种电芯结构,包括:第一片、第二片以及位于第一片和第二片之间的隔膜,其中,第一片设有第一耳和第二耳,第一耳和第二耳位于第一片的同表面或相背的表面,第二片设有第三耳;在放电过程中,第一耳、第二耳与第三耳连接放电电路,或第一耳或第二耳,和第三耳连接放电电路;在充电过程中,第一耳或第二耳,和第三耳连接充电电路。本发明通过在放电过程中使用第一耳、第二耳和第三耳,或连接第二耳和第三耳能够达到降低电池内阻提高放大倍率的效果,同时在充电过程中使用第一耳和第三耳能够有效降低电池析锂的情况出现。
  • 一种结构电池

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