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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像传感器-CN202310183289.4在审
发明人：陈暎究;安正言卓;吴暎宣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了图像传感器。所述图像传感器包括：基底，具有第一表面和与第一表面背对的第二表面；第一像素分离图案，限定多个单位像素，所述多个单位像素包括基底中的光电转换区，每个第一像素分离图案包括第一导电膜和第一导电膜上的第二导电膜；以及微透镜，在基底的第二表面上，其中，第一导电膜沿第二导电膜的侧壁延伸以将第二导电膜与基底分开，对于预定波长范围，第一导电膜具有比第二导电膜大的反射率，并且第二导电膜具有比第一导电膜大的台阶覆盖。
图像传感器

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的图像传感器-CN202211407805.9在审
发明人：陈暎究;安正言卓;李元奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件和一种图像传感器，该半导体器件包括：衬底；衬底上的栅极结构，其包括平行于第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开的第一侧和第二侧以及平行于第二方向延伸的第三侧；以及多个源极/漏极区，其包括在第二方向上彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，以及在第一方向上与第一源极/漏极区和第二源极/漏极区中的至少一个间隔开的第三源极/漏极区，第一源极/漏极区和第二源极/漏极区分别与第一侧和第二侧重叠，第三源极/漏极区与第一侧和第三侧之一重叠，并且施加至第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的电压和施加至第三源极/漏极区的电压基于它们各自彼此不同的值进行操作。
半导体器件包括图像传感器

[发明专利]包括DRAM电容器的图像传感器及其操作方法-CN202210282446.2在审
发明人：沈殷燮;安正言卓;李景镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：具有多个像素的像素阵列；行驱动器，向像素阵列提供升压信号；以及读出电路，被配置为读出从由行驱动器选择的行线的像素输出的像素信号。多个像素中的每一个包括：第一光电二极管；传输晶体管，连接到第一光电二极管；第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点和第三浮动扩散节点，所述第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点和第三浮动扩散节点连接到传输晶体管以累积由第一光电二极管产生的电荷；LCG电容器，连接到第三浮动扩散节点以累积由第一光电二极管产生的电荷；MCG晶体管，连接在第一浮动扩散节点与第二浮动扩散节点之间；以及LCG晶体管，连接到第三浮动扩散节点。
包括 dram 电容器图像传感器及其操作方法

[发明专利]具有在半导体图案侧壁上的栅电极的图像传感器-CN202210285566.8在审
发明人：陈暎究;沈殷燮;安正言卓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器。该图像传感器包括包含彼此相反的第一表面和第二表面的半导体基板。半导体图案设置在半导体基板的第一表面上，并且其在垂直于第一表面的第一方向上延伸。掩埋传输栅电极设置在从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板的内部的传输栅极沟槽中。第一栅电极至少部分地围绕半导体图案的侧壁并具有环形的水平截面。滤色器设置在半导体基板的第二表面上。
具有半导体图案侧壁电极图像传感器

[发明专利]图像传感器设备-CN202010074076.4在审
发明人：徐珉雄;安正言卓;李宰圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：一种图像传感器设备，包括：数字像素，其包括光电检测器、比较器和存储器电路；像素驱动器，其控制数字像素；以及数字逻辑电路，其对从数字像素输出的数字信号执行数字信号处理操作。光电检测器和比较器的第一部分形成在第一半导体管芯中，比较器的第二部分、存储器电路和像素驱动器形成在第一半导体管芯下的第二半导体管芯中，并且数字逻辑电路形成在第二半导体管芯下的第三半导体管芯中。
图像传感器设备

[发明专利]提供入射光的增强衍射的其中具有光栅结构的图像传感器-CN201910831497.4在审
发明人：李旭;宋义永;李光熙;权义熙;金宰浩;安正言卓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。
提供入射增强衍射其中具有光栅结构图像传感器

[发明专利]深度像素和包括该深度像素的三维图像传感器-CN201410053535.5有效
发明人：吴敏锡;孔海庆;金泰瓒;安正言卓;林茂燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种深度像素和包括该深度像素的三维图像传感器。所述深度像素包括光检测区、第一光栅极、第二光栅极、第一浮动扩散区和第二浮动扩散区。光检测区基于由对象反射的光来收集光电荷。收集到的光电荷基于在光检测区中的内电场在第一方向和与第一方向不同的第二方向上漂移。第一光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第一光栅极被激活，则第一浮动扩散区积累在第一方向上漂移的第一光电荷。第二光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第二光栅极被激活，则第二浮动扩散区积累在第二方向上漂移的第二光电荷。
光栅极像素浮动扩散区光电荷漂移光检测区激活三维图像传感器光控制信号电场响应反射积累

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