专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]种电芯及锂离子电池-CN202320081168.4有效
  • 张佳雨;朱秀珍;刘跃争;杨昌健;袁昊宬;李创亿;吴军陆;余嘉润 - 珠海冠宇电池股份有限公司
  • 2023-01-12 - 2023-06-27 - H01M10/0583
  • 种电芯及锂离子电池,电芯包括:第一复合片,所述第一复合片包括第一隔膜和复合于所述第一隔膜侧表面上的第一片,所述第一复合片首尾相连;第二复合片,所述第二复合片包括第二隔膜和复合于所述第二隔膜侧表面上的第二片,所述第一片和所述第二片的极性相反,所述第二复合片首尾相连;所述第一复合片和所述第二复合片交替嵌套设置,所述第一片和所述第二片之间被第一隔膜或第二隔膜隔开。本实用新型的电芯由环形复合片相互嵌套组成,且片和隔膜热压复合在起,隔膜可对片全面粘结包裹并固定住片,防止片移位,从而兼具了叠片式电芯倍率性能好的优点,又可以使得电芯在实际运用中有更好的安全性能
  • 一种锂离子电池
  • [发明专利]快闪记忆体与其制造方法-CN200510103417.1有效
  • 何家骅;赖二琨 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2005-09-15 - 2007-03-21 - H01L27/105
  • 种快闪记忆体。此快闪记忆体包括位于基底中的第一/汲区及第二源/汲区;位于第一/汲区以及第二源/汲区间的基底上,并且邻接于第一/汲区的第一浮置栅极;位于第一/汲区以及第二源/汲区间的基底上,并且邻接于第二源/汲区的第二浮置栅极;位于第一浮置栅极及第二浮置栅极间的基底中的淡掺杂区;覆盖于第一浮置栅极以及第二浮置栅极上的控制栅极。其中第一浮置栅极与第二浮置栅极隔离。此快闪记忆体可以增加记忆密度并降低成本。
  • 记忆体与其制造方法
  • [实用新型]种卷绕式电芯以及卷绕式电池-CN202220542495.0有效
  • 丁鹏冲;尹昊;卜芳;祝媛;刘金成 - 惠州亿纬锂能股份有限公司
  • 2022-03-14 - 2022-08-09 - H01M10/0587
  • 本实用新型属于电池技术领域,公开了种卷绕式电芯和卷绕式电池。该卷绕式电芯包括第一片、第二片和设置在第一片和第二片之间的隔膜,第一片和第二片均包括尾部和涂覆层,第一片的尾部和第二片的尾部为卷绕首端,第一片、隔膜以及第二片从卷绕首端开始朝相同方向逐层卷绕,其中,第二片的涂覆层完全包裹第一片的涂覆层,第一片的尾部超出第二片的尾部,且第一片的尾部先于第二片的尾部卷绕,具有失效风险低、能量密度高,结构简单、便于生产的优点。
  • 一种卷绕式电芯以及电池
  • [实用新型]硬壳纽扣电池-CN202021747117.3有效
  • 李升高;韩子勤;周燕;胡大林;郭玉杰;廖兴群 - 曙鹏科技(深圳)有限公司
  • 2020-08-19 - 2021-04-06 - H01M50/109
  • 本实用新型涉及种硬壳纽扣电池,包括外壳、芯、第一耳和第二耳;第一耳与第二耳的极性不同;外壳包括第一半壳和第二半壳,第一半壳和第二半壳密封连接,以在两者的内侧形成密封腔,芯容纳在密封腔内;第一半壳的远离第二半壳的端设有第一凸起和第二凸起;第一凸起和第二凸起向远离第二半壳的方向凸出;第一耳与芯连接,并从第一凸起穿出第一半壳,且第一耳与外壳绝缘;第二耳与芯连接,并从第二凸起穿出第一半壳,且第二耳与外壳绝缘。与现有技术相比,通过第一耳和第二耳直接与外电路电连接,无需将第一耳和第二耳焊接在外壳上,避免增加焊接阻抗,降低了电池的阻抗,提高了电池的能量密度。
  • 硬壳纽扣电池
  • [发明专利]双端口SRAM单元及具有其的存储器件-CN201610905436.4有效
  • 廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-10-18 - 2019-12-20 - G11C11/417
  • 本发明公开了种SRAM单元,包括相互交叉耦合的第一反相器和第二反相器,以构建互补的第一数据存储节点和第二数据存储节点。第一访问晶体管包括耦合到第一数据存储节点的第一/漏区、耦合到第一位线的第一/源区和耦合到第一字线的第一栅极区。第二访问晶体管包括耦合到第二互补数据存储节点的第二源/漏区、耦合到第二位线的第二漏/源区以及耦合到第一字线的第二栅极区。第一伪晶体管具有耦合到第一访问晶体管的第一/漏区的第一伪源/漏区。第二伪晶体管具有耦合到第二访问晶体管的第二源/漏区的第二伪源/漏区。
  • 端口sram单元具有存储器件
  • [发明专利]半导体装置结构-CN202011352184.X在审
  • 潘冠廷;江国诚;朱熙甯;张尚文;王志豪 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-11-26 - 2021-10-26 - H01L27/088
  • 此揭露描述种半导体装置结构。结构包含第一鳍、相邻第一鳍的第二鳍、相邻第二鳍的第三鳍。结构还包含合并的第二源/漏磊晶特征部与第一/漏磊晶特征部。结构还包含第三源/漏磊晶特征部与衬垫层,衬垫层相距由第一鳍的第一侧壁定义的第一平面有第一距离且相距由第二鳍的第二侧壁定义的第二平面有第二距离。第一距离与第二距离实质相同,且合并的第一/漏磊晶特征部与第二源/漏磊晶特征部置于第一衬垫层上。结构还包含介电质特征部,置于第二源/漏磊晶特征部与第三源/漏磊晶特征部之间。
  • 半导体装置结构
  • [实用新型]卷芯、电池和用电设备-CN202222715273.7有效
  • 程芳燕;王宝玉 - 欣旺达电动汽车电池有限公司
  • 2022-10-11 - 2023-02-17 - H01M10/0587
  • 本申请实施例提供种卷芯、电池和用电设备,卷芯包括:第一片、隔膜和第二片,第一片、隔膜和第二片依次层叠卷绕形成卷芯;第一片包括第一片本体和多个第一耳;第二片包括第二片本体和多个第二耳;卷芯在其厚度方向上从内到外分为第一卷芯分部和第二卷芯分部,第二卷芯分部层叠卷绕于第一卷芯分部的外侧;多个第一耳中的至少大部分位于第一卷芯分部的第一片本体;多个第二耳中的至少大部分位于第一卷芯分部的第二片本体可以减小片本体厚度以及隔膜厚度公差对耳错位的影响,以减少或避免出现卷芯在外圈部分卷绕半径越大,片本体厚度公差和隔膜厚度公差累加的越多,越容易出现耳错位的情况。
  • 电池用电设备
  • [实用新型]种斜边磁极-CN201922319602.4有效
  • 李文玉 - 常州市武进亚太机电配件有限公司
  • 2019-12-20 - 2020-08-21 - H02K1/14
  • 本实用新型涉及种斜边磁极,包括磁极身、靴;靴包括第一靴、第二靴,第一靴、第二靴旋转对称设置在磁极身对应侧壁底部;第一靴包括沿磁极端面水平向侧延伸的第一侧边、沿磁极身另端面向同侧延伸的第二侧边,以及连接第一侧边、第二侧边端部的第三侧边;第一、二、三侧边与磁极身侧壁围成第一靴,且第一侧边与第三侧边呈锐角设置;由于第一侧边与第三侧边呈锐角设置。
  • 一种斜边磁极
  • [发明专利]圆柱电池-CN202211255826.3在审
  • 王亚威;齐彬伟;孙倩倩;张璐璐 - 中创新航科技股份有限公司
  • 2022-10-13 - 2022-11-25 - H01M50/107
  • 本发明涉及电池技术领域,提出了种圆柱电池,包括卷芯,卷芯包括:卷芯本体;第一耳部,第一耳部由卷芯本体的侧延伸而出,卷芯本体形成有卷芯孔,第一耳部包括相邻设置的第一耳组和第二耳组,第一耳组包括至少两个第一耳,第二耳组包括第二耳;其中,相邻第一耳之间形成有第一间隙,沿卷芯孔的径向方向上,第二耳和第一间隙在同平面上的正投影至少部分相重合,避免相邻第一耳之间出现重叠的风险,且可以使得第二耳能够覆盖第一间隙的至少部分,避免第一耳部局部出现强度较弱的问题,从而来提高第一耳部与外部结构的连接强度,提高了电池的安全使用性能。
  • 圆柱电池
  • [实用新型]圆柱电池-CN202222699753.9有效
  • 王亚威;齐彬伟;孙倩倩;张璐璐 - 中创新航科技股份有限公司
  • 2022-10-13 - 2023-01-10 - H01M50/107
  • 本实用新型涉及电池技术领域,提出了种圆柱电池,包括卷芯,卷芯包括:卷芯本体;第一耳部,第一耳部由卷芯本体的侧延伸而出,卷芯本体形成有卷芯孔,第一耳部包括相邻设置的第一耳组和第二耳组,第一耳组包括至少两个第一耳,第二耳组包括第二耳;其中,相邻第一耳之间形成有第一间隙,沿卷芯孔的径向方向上,第二耳和第一间隙在同平面上的正投影至少部分相重合,避免相邻第一耳之间出现重叠的风险,且可以使得第二耳能够覆盖第一间隙的至少部分,避免第一耳部局部出现强度较弱的问题,从而来提高第一耳部与外部结构的连接强度,提高了电池的安全使用性能。
  • 圆柱电池
  • [发明专利]三维半导体装置-CN202211532530.1在审
  • 李槿熙;金景洙 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-01 - 2023-09-12 - H01L27/06
  • 所述三维半导体装置包括:第一/漏图案、第二源/漏图案、第三源/漏图案和第四源/漏图案,顺序地堆叠在基底上;接触结构,在第一/漏图案至第四源/漏图案上;和接触线,在接触结构上。接触结构包括:第一/漏图案上的第一有源接触件、第二源/漏图案上的第二有源接触件、第三源/漏图案上的第三有源接触件、和第四源/漏图案上的第四有源接触件。第一有源接触件的第一垂直延伸部分邻近于接触结构的侧,第二有源接触件的第二垂直延伸部分邻近于接触结构的另侧。第三有源接触件的第三垂直延伸部分置于第一垂直延伸部分与第二垂直延伸部分之间,更靠近第一垂直延伸部分。
  • 三维半导体装置
  • [发明专利]叠片电芯结构及叠片电池-CN202210128681.4在审
  • 刘阳;张五堂 - 上海兰钧新能源科技有限公司
  • 2022-02-11 - 2022-05-13 - H01M10/058
  • 本发明公开了种叠片电芯结构及叠片电池,涉及电芯技术领域。该叠片电芯结构包括第一片、隔膜及第二片。第一片包括相互连接的第一片部和第一耳,第二片包括相互连接的第二片部和第二耳。第一片部、隔膜及第二片部依次层叠设置,隔膜用于隔开第一片部和第二片部。第一片部的形状与隔膜的形状相同且等大,且第一片部与隔膜对齐层叠设置。
  • 叠片电芯结构电池
  • [发明专利]感测元件以及感测显示面板-CN201810200205.2有效
  • 杜佳豪;张国瑞;庄弘扬;郑凱中 - 友达光电股份有限公司
  • 2018-03-12 - 2020-09-29 - H01L27/144
  • 种感测元件,包括主动层、第一、第二源、漏以与栅极。主动层配置于基板上,其中主动层包括第一区、第二源区、漏区及通道区。第一第一区电性连接。第二源与第二源区电性连接。漏与漏区电性连接。栅极与通道区于基板的法线方向上重迭,其中第一朝向通道区以第一方向延伸,第二源朝向通道区以第二方向延伸,第一方向及第二方向与法线方向相交,且第一方向与第二方向之间具有不等于180度的夹角。
  • 元件以及显示面板
  • [发明专利]显示装置-CN200710167069.3无效
  • 李旼哲;罗东均 - 三星电子株式会社
  • 2007-10-31 - 2008-08-27 - G02F1/133
  • 本发明提供了种显示装置,该显示装置包括显示面板、第一驱动器芯片和连接部分。显示面板包括多条源线,源线中的每条电连接到多个像素。第一驱动器芯片电连接到包括源线中的第一线的第一组,以将具有第一极性的数据信号输出到第一线。连接部分将源线中的第一线电连接到源线中的最后源线,以将具有第一极性的数据信号提供到最后源线,而不需要用于驱动第(mk+1)源线的另外的源驱动器芯片。
  • 显示装置

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