专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]电化学装置及电子装置-CN202020400448.3有效
  • 郭俊杰;余红明;周伯林 - 宁德新能源科技有限公司
  • 2020-03-25 - 2020-08-25 - H01M10/04
  • 本申请提供种电化学装置,包括电极组件、第一耳和第二耳,电极组件包括片和隔离膜,片包括第一片和第二片。第一片包括第一集流体及设置在第一集流体表面的第一膜片,第二片包括第二集流体及设置在第二集流体表面的第二膜片,第一片、隔离膜和第二片依次层叠卷绕形成电极组件。第一片起始端未设置空白段,第一片中间段设置第一空箔区,第一耳位于第一空箔区并与第一集流体电连接。第二片起始端未设置空白段,第二片收尾端设置第一空白段,第二耳位于第一空白段并与第二集流体电连接。该电化学装置的厚度较小且能量密度较高。本申请同时提供种具有该电化学装置的电子装置。
  • 电化学装置电子
  • [实用新型]耳结构及锂离子电池-CN202022271256.X有效
  • 李忆非;王敏刚;王耀国 - 宁波锋成先进能源材料研究院有限公司
  • 2020-10-13 - 2021-05-25 - H01M50/533
  • 本实用新型公开了耳结构和锂离子电池,其中极耳结构包括第一耳和重叠设置于第一耳上的至少个第二耳;第一耳包括第一基板和与第一基板边缘连接,并且垂直于第一基板板面的第一限位件;第一限位件,用于限制第二耳与第一耳的相对位置,使第二耳的边缘与第一耳的边缘对齐。本实用新型的耳结构,通过第一限位件组成的凹形结构能够稳定多极片横向及纵向位置,以便准确定位,从而实现多极片的快速组装,提高生产效率。利用上述耳结构制备的锂离子电池,能够提高柱与导流线接触的紧密性,减少由于电极片较少时柱直接对电池包装外壳的压力,同时减少了耳金属间接触电阻。
  • 一种结构锂离子电池
  • [发明专利]存储器元件及其制备方法-CN202110954467.X在审
  • 简荣兴 - 南亚科技股份有限公司
  • 2021-08-19 - 2022-05-17 - G11C11/401
  • 提供种存储器元件,包括半导体基底,具有第一主动区以及第二主动区,第二主动区邻近第一主动区。该存储器元件还具有第一字元线,延伸经过第一主动区与第二主动区。该存储器元件还具有位在第一主动区中的第一/漏区以及位在第二主动区中的第二源/漏区,而第一/漏区与第二源/漏区设置在第一字元线的相对两侧处。此外,该存储器元件具有第一电容器以及第二电容器;第一电容器设置在第一主动区中的第一/漏区上,且电性连接到位在第一主动区中的第一/漏区;而第二电容器设置在第二主动区中的第二源/漏区上,且电性连接到位在第二主动区中的第二源/漏区。第一电容器与第二电容器具有不同尺寸。
  • 存储器元件及其制备方法
  • [发明专利]种显示基板及其制作方法-CN202110301833.1有效
  • 刘念;卢马才 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-03-22 - 2022-09-09 - H01L27/15
  • 本发明提供种显示基板及其制作方法,该显示基板包括位于基板上的源和漏,覆盖源和漏第一层间介质层,位于第一层间介质层、源和漏上的第一导体层,位于第一导体层上的第一栅极绝缘层,以及位于第一栅极绝缘层上的第一栅极层其中,第一层间介质层在源和漏的上方分别具有开孔,使第一导体层可以通过开孔与源和漏连接。由于第一导体层作为有源层,同时与源和漏连接作为源漏的导线,因此不需要另外形成源漏导线,结构简单。另外,第一层间介质层的开孔相对于现有结构中缓冲层和层间介质层的开孔,深度减小,因而可以降低工艺难度。
  • 一种显示及其制作方法
  • [发明专利]像素结构及其制造方法-CN202010478172.5有效
  • 蔡佳修;曾贤楷;张家铭;林俊男 - 友达光电股份有限公司
  • 2020-05-29 - 2023-07-07 - H01L27/12
  • 种像素结构及其制造方法,像素结构包括扫描线、数据线、第一共用信号线、第一至第三栅极、第一至第三通道层、第一至第三源第一至第三漏第一像素电极以及第二像素电极。第三通道层分离于第一以及第二通道层。第一以及第一电性连接第一通道层。第二源以及第二漏电性连接第二通道层。第一与第二源相连。第三源以及第三漏电性连接第三通道层。第二漏以及第三漏之间具有间隙。第二像素电极填入间隙,且电性连接第二漏以及第三漏
  • 像素结构及其制造方法
  • [发明专利]电池-CN201610750410.7有效
  • 夏天军;郭志军;王鹏;赵丰刚;喻鸿钢 - 宁德时代新能源科技股份有限公司
  • 2016-08-29 - 2019-06-07 - H01M10/058
  • 电池包括顶盖、第一集电件以及若干裸电芯,每个所述裸电芯包括第一耳以及第二耳,所述第一耳位于所述裸电芯的个侧部并且包括第一片状层叠部分,所述第二耳位于所述裸电芯的另侧部并且包括第二片状层叠部分,所述顶盖包括第一柱和第二柱,所述第一集电件为第一柔性体,包括相连接的第一柱连接部分和第一耳连接部分,所述第一柱连接部分与所述第一柱连接,所述第一耳连接部分与所述第一片状层叠部分连接,所述第二柱与所述第二耳电连接
  • 电池
  • [实用新型]电池-CN201620963367.8有效
  • 夏天军;郭志军;王鹏;赵丰刚;喻鸿钢 - 宁德时代新能源科技股份有限公司
  • 2016-08-29 - 2017-03-29 - H01M6/00
  • 电池包括顶盖、第一集电件以及若干裸电芯,每个所述裸电芯包括第一耳以及第二耳,所述第一耳位于所述裸电芯的个侧部并且包括第一片状层叠部分,所述第二耳位于所述裸电芯的另侧部并且包括第二片状层叠部分,所述顶盖包括第一柱和第二柱,所述第一集电件为第一柔性体,包括相连接的第一柱连接部分和第一耳连接部分,所述第一柱连接部分与所述第一柱连接,所述第一耳连接部分与所述第一片状层叠部分连接,所述第二柱与所述第二耳电连接
  • 电池
  • [发明专利]含氯消毒水电解发生器及包含电解发生器的电解装置和喷壶-CN202010366286.0在审
  • 郑德谋;郑沁;叶文治;胡心怡;徐开钦 - 福建金源泉科技发展有限公司
  • 2020-04-30 - 2020-08-11 - C25B1/26
  • 本发明涉及含氯消毒水电解发生器,包括由上至下依次水平排列的第一片、隔离片和第二片;隔离片的相对两侧边设置有包裹第一片和第二片边缘的固定块;固定块与第一片接触的侧面向内凹陷形成第一凹槽对第一片的边缘卡接固定;固定块与第二片接触的侧面向内凹陷形成第二凹槽对第二片的边缘卡接固定;隔离片的上下表面还设置有若干连接凸部;连接凸部分别穿过第一片和第二片后固定连接凸部与第一片和第二片;第一片侧边部分向外延伸后弯折呈“L”型结构,垂直部分为第一接电板;第二片的侧边部分向外延伸后弯折呈“L”型结构,垂直部分为第二接电板;延伸的第一接电板和第二接电板穿过电解安装板后进行固定。
  • 消毒水电发生器包含电解装置喷壶
  • [实用新型]含氯消毒水电解发生器及包含电解发生器的电解装置和喷壶-CN202020706464.5有效
  • 郑德谋;郑沁;叶文治;陈俞剑;阮国洪 - 福建金源泉科技发展有限公司
  • 2020-04-30 - 2021-03-16 - C25B1/26
  • 本实用新型涉及含氯消毒水电解发生器,包括由上至下依次水平排列的第一片、隔离片和第二片;隔离片的相对两侧边设置有包裹第一片和第二片边缘的固定块;固定块与第一片接触的侧面向内凹陷形成第一凹槽对第一片的边缘卡接固定;固定块与第二片接触的侧面向内凹陷形成第二凹槽对第二片的边缘卡接固定;隔离片的上下表面还设置有若干连接凸部;连接凸部分别穿过第一片和第二片后固定连接凸部与第一片和第二片;第一片侧边部分向外延伸后弯折呈“L”型结构,垂直部分为第一接电板;第二片的侧边部分向外延伸后弯折呈“L”型结构,垂直部分为第二接电板;延伸的第一接电板和第二接电板穿过电解安装板后进行固定。
  • 消毒水电发生器包含电解装置喷壶
  • [实用新型]种电池卷芯及电池-CN202021649563.0有效
  • 余正发;彭冲;胡典洋;李俊义;徐延铭 - 珠海冠宇电池股份有限公司
  • 2020-08-10 - 2021-02-12 - H01M10/0587
  • 本实用新型提供种电池卷芯及电池,包括隔膜、第一片和两片第二片,所述第一片位于所述两片第二片之间,且所述第一片与所述第二片的极性相反;所述第一片和所述第二片之间均设置有隔膜;所述第一片包括第一耳、第一集流体和第一活性材料层,所述第一活性材料层对称涂布在所述第一集流体的两个表面上;所述第二片包括第二耳、第二集流体和第二活性材料层,所述第二活性材料层涂布于所述第二集流体的第一表面,所述第一表面与第一片相对设置
  • 一种电池
  • [发明专利]半导体结构、半导体器件及其制造方法-CN201910768199.5有效
  • 张盟昇;杨耀仁 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-08-20 - 2022-09-16 - H01L27/112
  • 种结构包括第一字线、位线和反熔丝单元。反熔丝单元包括读取器件、编程器件和伪器件。读取器件包括耦合到第一字线的第一栅极、耦合到位线的第一/漏区以及第二源/漏区。第一/漏区和第二源/漏区位于第一栅极的相对侧上。编程器件包括第二栅极、耦合到第二源/漏区的第三源/漏区以及第四源/漏区。第三源/漏区和第四源/漏区位于第二栅极的相对侧上。伪器件包括第三栅极、耦合到第四源/漏区的第五源/漏区以及第六源/漏区。第五源/漏区和第六源/漏区位于第三栅极的相对侧上。本发明的实施例还涉及半导体结构、半导体器件及其制造方法。
  • 半导体结构半导体器件及其制造方法
  • [实用新型]种叠片装置-CN202120069075.0有效
  • 鲁树立;唐永昌;王庆祎;张进;罗杨青 - 深圳市格林晟科技有限公司
  • 2021-01-11 - 2021-11-02 - H01M10/04
  • 本实用新型提供种叠片装置。叠片装置的放料机构提供的第二复合片位于第一复合片和第三复合片之间,第一复合片设置于叠片平台上,第一复合片上设置有第二片,第二片的极性与第一片的极性相反,第二复合片位于叠片平台的侧。送料机构用于将两个第三片分别输送至第三复合片的上方和下方,每个第三片的极性与第一片的极性相反。第一叠片机构的第一夹紧件用于同时夹住两个第三片,以夹紧两个第三片和第三复合片,第一驱动件用于驱动第一夹紧件运动,以将第二复合片折叠于第二片上,并将夹紧的两个第三片和第三复合片转移至叠片平台上以折叠于第二复合片上
  • 一种装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202010436421.4在审
  • 金成玟;河大元 - 三星电子株式会社
  • 2020-05-21 - 2020-11-24 - H01L27/02
  • 种半导体装置包括有源图案,其包括沟道区。沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一/漏图案与第二源/漏图案之间以及所述第一方向上彼此间隔开的第二源/漏图案之间。所述沟道区被构造为将所述第一/漏图案彼此连接以及将所述第二源/漏图案彼此连接。栅电极布置在有源图案的底表面上,并且布置在第一/漏图案之间以及第二源/漏图案之间。上互连线布置在与有源图案的底表面相对的有源图案的顶表面上,并且连接至第一/漏图案。
  • 半导体装置
  • [发明专利]片、电芯及电池-CN201910234662.8在审
  • 蔡正煌;龙海 - 宁德新能源科技有限公司
  • 2019-03-26 - 2020-10-09 - H01M2/26
  • 本申请公开了片、电芯及电池。片包括集流体、多个第一耳和多个第二耳,集流体包括相对的第一侧边和第二侧边,多个第一耳与集流体耦接,且延伸出第一侧边,多个第二耳与集流体耦接,且延伸出第二侧边。根据本申请的片,通过设置多个第一耳和多个第二耳,且多个第一耳与多个第二耳排布在集流体的两侧,不仅可以降低片的内阻、提高片的能量输出效率、降低片工作过程中的升温效率,还可以实现片的两侧能量输出,进而可以提高片的使用性能。
  • 电池

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