专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果34465961个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]电芯、锂离子电池和电动汽车-CN202122148195.2有效
  • 刘灿;李海;陈俊;仲亮;刘安龙 - 广州小鹏汽车科技有限公司
  • 2021-09-07 - 2022-02-11 - H01M10/0525
  • 本实用新型提供种电芯、锂离子电池和电动汽车。电芯包括第一组、第二组以及导热导电件,第一组包括第一片和第二片,第一片与第二片的极性相反。第二组包括第三片和第四片,第三片与第一片的极性相同,第四片与第二片的极性相同。有助于第一组和第二组将自身产生的热量传导至导热导电件,使得第一组和第二组的温度不至于过高而降低电芯的使用寿命,同时第一组和第二组之间的热量通过导热导电件的传导而变得较为均衡,有助于降低电芯内部的温差
  • 锂离子电池电动汽车
  • [发明专利]失效保护电路-CN201410776153.5有效
  • 潘磊;孟庆超 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2014-12-15 - 2018-10-12 - H03K19/094
  • 种失效保护电路,包括:第一NMOS晶体管,栅极连接至第一电压节点,漏连接至第一控制端;第一PMOS晶体管,栅极连接至第一NMOS晶体管的源,源连接至第一电压节点;第二PMOS晶体管,栅极连接至第二控制端,源连接至第一PMOS晶体管的漏;第三PMOS晶体管,栅极连接至第一PMOS晶体管的栅极,源连接至第一电压节点;第四PMOS晶体管,源连接至第三PMOS晶体管的漏,并且进步连接至第一PMOS晶体管的漏和第二PMOS晶体管的源;第五PMOS晶体管,栅极连接至第一电压节点,源连接至第一PMOS晶体管的栅极;第二NMOS晶体管,漏连接至第二PMOS晶体管的漏,源连接至第二电压节点;第三NMOS晶体管,漏连接至第四PMOS晶体管的漏,源连接至第二电压节点。
  • 失效保护电路
  • [实用新型]电池片、圆柱电池及电池包-CN202223613556.7有效
  • 梁立维;马陈冲;刘彪;张剑;欧阳进忠 - 比亚迪股份有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-07-14 - H01M4/02
  • 本实用新型涉及电池技术领域,提供种电池片,包括敷料区和耳区;耳区包括第一耳区和与第一耳区相邻设置的第二耳区,第一耳区高度低于第二耳区,第一耳区在电池片延伸方向上呈高度递减。本实用新型提供了种圆柱电池采用上述正极片和/或负极片卷绕而成;以及由圆柱电池串或并联而成的电池包。采用该电池片结构中第一耳区的形状能够在芯的卷绕成型后,第二耳区的耳可以弯折并压平在第一耳区上,第一耳区的耳高度能够补偿第二耳区的耳弯折时的厚度不致的缺陷,从而能够提高耳压平后的耳平面平整度,便于耳与集流盘之间的固定连接,提高两者之间的连接强度。
  • 电池圆柱
  • [发明专利]卷绕电芯制造方法及卷绕电芯-CN202011248488.1在审
  • 黄森;戴勇为;王军诚;邹四华 - 深圳市诚捷智能装备股份有限公司
  • 2020-11-10 - 2021-03-09 - H01M10/04
  • 本发明实施例公开了种卷绕电芯制造方法及卷绕电芯,该方法包括以下步骤:将第一耳连接在第一片上,将第二耳连接在第二片上;将第一片、第一隔膜、第二片和第二隔膜依次放置形成卷绕层,并使第一耳位于第一片上靠近第二侧,第二耳位于第二片上背离第一侧;将卷绕层绕卷绕中心卷绕形成卷绕体,并使卷绕体中的卷绕层从外侧至卷绕中心依次为第二隔膜、第二片、第一隔膜及第一片。即在卷绕电芯中,耳位于与其相连接的片远离卷绕中心侧的端面上,以使耳与片的接触面为耳的中间位置,卷绕后耳受压不易将隔膜刺穿,从而提高卷绕电芯的成品率。
  • 卷绕制造方法
  • [实用新型]盖板组件、电池及电池装置-CN202320480064.0有效
  • 李慧珍;王珂;王佳浩 - 中创新航科技集团股份有限公司
  • 2023-03-14 - 2023-07-18 - H01M50/552
  • 本公开涉及电池技术领域,具体是关于种盖板组件、电池及电池装置,所述盖板组件包括:复合柱,包括铝柱和铜柱,所述铝柱包括第一柱体和第一配合部,所述第一配合部设于所述第一柱体,所述第一柱体远离所述第一配合部的面设置有焊接区,所述焊接区用于焊接汇流排,所述汇流排用于电连接至少两个电池,所述第一配合部在所述第一柱体上的投影区完全覆盖所述焊接区;所述铜柱包括第二柱体和第二配合部,所述第二柱体设于所述第一柱体设置所述第一配合部的侧,所述第二配合部设于所述第二柱体朝向所述第一柱体的侧;所述第一配合部和所述第二配合部配合。
  • 盖板组件电池装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210330288.3在审
  • 陈仕承;江国诚;林志昌 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-03-30 - 2022-08-05 - H01L27/092
  • 本公开提出种半导体装置。半导体装置包括基板;第一与第二源/漏结构位于基板上;第一与第二半导体层,位于第一与第二源/漏结构之间;以及栅极位于第一与第二源/漏结构之间。栅极的部分更位于第一与第二半导体层之间。此外,半导体装置包括第一与第二内侧间隔物。第一内侧间隔物位于第一与第二半导体层之间,且更位于栅极的部分与第一/漏结构的部分之间。第一/漏结构的部分位于第一与第二半导体层之间。第一内侧间隔物具有U形轮廓。第二内侧间隔物位于第一内侧间隔物与第一/漏结构的部分之间。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611114382.6有效
  • 郑凯予 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-12-07 - 2020-08-11 - H01L29/78
  • 公开种具有位于晶体管上方的复合阻挡结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括系列步骤,包括:形成晶体管,该晶体管具有位于鳍式结构内并且邻近跨越鳍式结构的栅极结构的源/漏区;在源/漏区正上方形成第一/漏接触件,并且第一/漏接触件电连接至源/漏区;在晶体管和第一/漏接触件上方沉积复合阻挡结构;以及在第一/漏接触件正上方形成第二源/漏接触件,并且第二源/漏接触件电连接至第一/漏接触件。该方法还包括:在沉积复合阻挡结构之前沉积第二蚀刻停止层并且在第一/漏接触件正上方形成第二源/漏接触件,并且第二源/漏接触件电连接至第一/漏接触件。该方法还包括在第二源/漏接触件上方形成接触件,并且接触件电连接至第二源/漏接触件。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]电极组件和电池-CN202080004320.8在审
  • 田姣;许玉江;曾巧 - 宁德新能源科技有限公司
  • 2020-01-20 - 2021-03-19 - H01M4/66
  • 本申请提供种电极组件,包括第一片、第二片和隔离膜,所述隔离膜设置在所述第一片和所述第二片之间。多个所述第一片和多个所述第二片层叠设置。所述电极组件还包括设置于第一片上的第一耳、设置于第二片上的第二耳和第三耳。所述第一耳、所述第二耳和所述第三耳在第一片上的投影不重叠。本申请还提供种具有上述电极组件的电池。
  • 电极组件电池
  • [发明专利]电极组件和电池-CN202080004302.X有效
  • 田姣;郭永良;陈超;许玉江 - 宁德新能源科技有限公司
  • 2020-03-12 - 2022-05-20 - H01M4/13
  • 本申请提供种电极组件,包括第一片、第二片和隔离膜,所述隔离膜设置在所述第一片和所述第二片之间。多个所述第一片和多个所述第二片层叠设置。所述电极组件还包括设置于第一片上的第一耳、设置于第二片上的第二耳和第三耳。所述第一耳、所述第二耳和所述第三耳在第一片上的投影不重叠。本申请还提供种具有上述电极组件的电池。
  • 电极组件电池
  • [实用新型]电芯、电池及电池装置-CN202221692043.7有效
  • 齐彬伟;张勇杰;孙倩倩 - 中创新航科技股份有限公司
  • 2022-06-30 - 2022-10-28 - H01M50/531
  • 本实用新型涉及电池技术领域,提出了种电芯、电池及电池装置。该电芯包括卷芯和位于卷芯侧的耳单元,耳单元包括第一耳组件和第二耳组件,第一耳组件和第二耳组件的数量总和不小于三个,第一耳组件与第二耳组件间隔设置,其中,第一耳组件的极性与第二耳组件的极性相反由于第一耳组件和第二耳组件均位于卷芯的侧,同时,第一耳组件和第二耳组件的数量总和不小于三个,且第一耳组件与第二耳组件间隔设置,相当于缩短了第一耳组件与第二耳组件之间的距离,当电芯导通时,电流在极性相反的第一耳组件和第二耳组件之间流动的路径较短,从而减小了直流内阻,改善了电池的性能。
  • 电池装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top