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- [发明专利]失效保护电路-CN201410776153.5有效
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潘磊;孟庆超
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2014-12-15
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2018-10-12
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H03K19/094
- 一种失效保护电路,包括:第一NMOS晶体管,栅极连接至第一电压节点,漏极连接至第一控制端;第一PMOS晶体管,栅极连接至第一NMOS晶体管的源极,源极连接至第一电压节点;第二PMOS晶体管,栅极连接至第二控制端,源极连接至第一PMOS晶体管的漏极;第三PMOS晶体管,栅极连接至第一PMOS晶体管的栅极,源极连接至第一电压节点;第四PMOS晶体管,源极连接至第三PMOS晶体管的漏极,并且进一步连接至第一PMOS晶体管的漏极和第二PMOS晶体管的源极;第五PMOS晶体管,栅极连接至第一电压节点,源极连接至第一PMOS晶体管的栅极;第二NMOS晶体管,漏极连接至第二PMOS晶体管的漏极,源极连接至第二电压节点;第三NMOS晶体管,漏极连接至第四PMOS晶体管的漏极,源极连接至第二电压节点。
- 失效保护电路
- [实用新型]电池极片、圆柱电池及电池包-CN202223613556.7有效
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梁立维;马陈冲;刘彪;张剑;欧阳进忠
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比亚迪股份有限公司
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2022-12-30
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2023-07-14
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H01M4/02
- 本实用新型涉及电池技术领域,提供一种电池极片,包括敷料区和极耳区;极耳区包括第一极耳区和与第一极耳区相邻设置的第二极耳区,第一极耳区高度低于第二极耳区,第一极耳区在电池极片延伸方向上呈高度递减。本实用新型提供了一种圆柱电池采用上述正极极片和/或负极极片卷绕而成;以及由圆柱电池串或并联而成的电池包。采用该电池极片结构中第一极耳区的形状能够在极芯的卷绕成型后,第二极耳区的极耳可以弯折并压平在第一极耳区上,第一极耳区的极耳高度能够补偿第二极耳区的极耳弯折时的厚度不一致的缺陷,从而能够提高极耳压平后的极耳平面平整度,便于极耳与集流盘之间的固定连接,提高两者之间的连接强度。
- 电池圆柱
- [发明专利]卷绕电芯制造方法及卷绕电芯-CN202011248488.1在审
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黄森;戴勇为;王军诚;邹四华
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深圳市诚捷智能装备股份有限公司
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2020-11-10
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2021-03-09
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H01M10/04
- 本发明实施例公开了一种卷绕电芯制造方法及卷绕电芯,该方法包括以下步骤:将第一极耳连接在第一极片上,将第二极耳连接在第二极片上;将第一极片、第一隔膜、第二极片和第二隔膜依次放置形成卷绕层,并使第一极耳位于第一极片上靠近第二极片一侧,第二极耳位于第二极片上背离第一极片一侧;将卷绕层绕一卷绕中心卷绕形成卷绕体,并使卷绕体中的卷绕层从外侧至卷绕中心依次为第二隔膜、第二极片、第一隔膜及第一极片。即在卷绕电芯中,极耳位于与其相连接的极片远离卷绕中心一侧的端面上,以使极耳与极片的接触面为极耳的中间位置,卷绕后极耳受压不易将隔膜刺穿,从而提高卷绕电芯的成品率。
- 卷绕制造方法
- [实用新型]盖板组件、电池及电池装置-CN202320480064.0有效
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李慧珍;王珂;王佳浩
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中创新航科技集团股份有限公司
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2023-03-14
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2023-07-18
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H01M50/552
- 本公开涉及电池技术领域,具体是关于一种盖板组件、电池及电池装置,所述盖板组件包括:复合极柱,包括铝极柱和铜极柱,所述铝极柱包括第一极柱体和第一配合部,所述第一配合部设于所述第一极柱体,所述第一极柱体远离所述第一配合部的一面设置有焊接区,所述焊接区用于焊接汇流排,所述汇流排用于电连接至少两个电池,所述第一配合部在所述第一极柱体上的投影区完全覆盖所述焊接区;所述铜极柱包括第二极柱体和第二配合部,所述第二极柱体设于所述第一极柱体设置所述第一配合部的一侧,所述第二配合部设于所述第二极柱体朝向所述第一极柱体的一侧;所述第一配合部和所述第二配合部配合。
- 盖板组件电池装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210330288.3在审
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陈仕承;江国诚;林志昌
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-03-30
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2022-08-05
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H01L27/092
- 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括基板;第一与第二源极/漏极结构位于基板上;第一与第二半导体层,位于第一与第二源极/漏极结构之间;以及栅极位于第一与第二源极/漏极结构之间。栅极的一部分更位于第一与第二半导体层之间。此外,半导体装置包括第一与第二内侧间隔物。第一内侧间隔物位于第一与第二半导体层之间,且更位于栅极的部分与第一源极/漏极结构的部分之间。第一源极/漏极结构的部分位于第一与第二半导体层之间。第一内侧间隔物具有U形轮廓。第二内侧间隔物位于第一内侧间隔物与第一源极/漏极结构的部分之间。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611114382.6有效
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郑凯予
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2016-12-07
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2020-08-11
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H01L29/78
- 公开一种具有位于晶体管上方的复合阻挡结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括一系列步骤,包括:形成晶体管,该晶体管具有位于鳍式结构内并且邻近跨越鳍式结构的栅极结构的源极/漏极区;在源极/漏极区正上方形成第一源极/漏极接触件,并且第一源极/漏极接触件电连接至源极/漏极区;在晶体管和第一源极/漏极接触件上方沉积复合阻挡结构;以及在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件,并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括:在沉积复合阻挡结构之前沉积第二蚀刻停止层并且在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件,并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括在第二源极/漏极接触件上方形成接触件,并且接触件电连接至第二源极/漏极接触件。
- 半导体器件及其制造方法
- [实用新型]电芯、电池及电池装置-CN202221692043.7有效
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齐彬伟;张勇杰;孙倩倩
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中创新航科技股份有限公司
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2022-06-30
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2022-10-28
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H01M50/531
- 本实用新型涉及电池技术领域,提出了一种电芯、电池及电池装置。该电芯包括卷芯和位于卷芯一侧的极耳单元,极耳单元包括第一极耳组件和第二极耳组件,第一极耳组件和第二极耳组件的数量总和不小于三个,第一极耳组件与第二极耳组件间隔设置,其中,第一极耳组件的极性与第二极耳组件的极性相反由于第一极耳组件和第二极耳组件均位于卷芯的一侧,同时,第一极耳组件和第二极耳组件的数量总和不小于三个,且第一极耳组件与第二极耳组件间隔设置,相当于缩短了第一极耳组件与第二极耳组件之间的距离,当电芯导通时,电流在极性相反的第一极耳组件和第二极耳组件之间流动的路径较短,从而减小了直流内阻,改善了电池的性能。
- 电池装置
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