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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202310286579.1在审
发明人：郑一根;金成珍;金想起;慎重垣;禹盛允;全相炫;崔智旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板，具有第一表面和第二表面；第一测试焊盘，在基板的第一表面上；第一凸块焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第一测试焊盘间隔开；第二凸块焊盘，在基板的第一表面上并与第一凸块焊盘间隔开；第二测试焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第二凸块焊盘间隔开；第一布线层，在第一方向上延伸并将第一测试焊盘电连接到第一凸块焊盘；第二布线层，在第一方向上延伸，与第一布线层间隔开，并将第二测试焊盘电连接到第二凸块焊盘；以及第一凸块，连接到第一凸块焊盘和第二凸块焊盘中的每个。
半导体器件

[发明专利]具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件-CN201711274103.7有效
发明人： 崔智旻;李东烈;李镐旭;金志永;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供了具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的基板。沟槽形成在半导体层内。填充绝缘膜设置在沟槽内。插入衬层设置在填充绝缘膜内。插入衬层与半导体层间隔开并沿着沟槽的底表面延伸。
具有沟槽器件隔离半导体器件

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件-CN202211356181.2在审
发明人：崔慜贞;李钟旼;李瑌真;李全一;崔智旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：提供了半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体基底；第一层间绝缘层，布置在半导体基底上；低介电层，布置在第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，顺序地布置在低介电层上；以及贯穿硅过孔，穿透半导体基底和第一层间绝缘层，其中，半导体基底、第一层间绝缘层和低介电层构成倒角结构，倒角结构包括第一倒角表面和第二倒角表面，第一倒角表面平行于半导体基底的顶表面，第二倒角表面相对于半导体基底的顶表面倾斜并连接到第一倒角表面。
半导体器件包括半导体封装

[发明专利]包括硅通孔的半导体装置-CN202211238710.9在审
发明人：李全一;李钟旼;崔智旻;李瑌真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了包括硅通孔的半导体装置。所述半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。设置有延伸穿过基底过孔绝缘层。设置有延伸穿过过孔绝缘层的硅通孔。硅通孔的中心从过孔绝缘层的中心偏离。阻挡层设置在第一表面上。第一绝缘层设置在阻挡层上。设置有延伸穿过第一绝缘层和阻挡层并接触硅通孔的接触插塞。
包括硅通孔半导体装置

[发明专利]包括多层覆盖层的半导体装置-CN202210712745.5在审
发明人：崔慜贞;李钟旼;崔智旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置。根据公开的所述半导体装置包括：基底；晶体管，连接到基底；以及布线结构，包括电连接到晶体管的接触布线。布线结构还包括：第一布线绝缘层；第一材料层，物理地接触第一布线绝缘层；第二材料层，物理地接触第一材料层；以及第二布线绝缘层，物理地接触第二材料层。第一材料层包括SiN，并且第二材料层包括SiCN。第一布线绝缘层的介电常数大于第二布线绝缘层的介电常数。
包括多层覆盖层半导体装置

[发明专利]散热垫、包括其的半导体芯片和制造半导体芯片的方法-CN202210501876.9在审
发明人： 崔智旻;李全一;李钟旼;李周益 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：提供了半导体芯片的散热垫、包括散热垫的半导体芯片和制造半导体芯片的方法，所述散热垫包括：散热芯，位于半导体基底的下表面处的沟槽中，散热芯被构造为接收从竖直延伸穿过半导体基底的贯穿硅过孔(TSV)产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。
散热包括半导体芯片制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210920766.6在审
发明人： 崔智旻;李钟旼;李瑌真;李全一;李周益;崔慜贞 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开半导体装置。所述半导体装置包括：基底；蚀刻停止层，在基底上；贯穿孔电极，与基底的上表面基本垂直的垂直方向上延伸穿过基底和蚀刻停止层；以及导电垫。蚀刻停止层包括与基底邻近的第一表面和与第一表面背对的第二表面。贯穿孔电极包括从蚀刻停止层的第二表面突起的突起部分。导电垫覆盖贯穿孔电极的突起部分。贯穿孔电极的突起部分是不平坦的。
半导体装置

[发明专利]具有台阶状侧壁的半导体芯片及其制造方法-CN202211083789.2在审
发明人：金俊亨;李钟旼;崔慜贞;崔智旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：可以提供半导体芯片、半导体封装和半导体芯片制造方法。该半导体芯片包括：包括器件区域和边缘区域的基板；顺序堆叠在基板上的器件层和布线层；在器件区域上的子焊盘和在边缘区域上的残留测试图案，其中残留测试图案的侧壁与基板的侧壁对准；以及覆盖子焊盘和残留测试图案的上电介质堆叠。上电介质堆叠可以暴露残留测试图案的顶表面的一部分。上电介质堆叠的侧壁可以具有台阶区域。
具有台阶侧壁半导体芯片及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210836054.6在审
发明人：李周益;李钟旼;崔智旻;李瑌真;李全一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括彼此背对的第一侧和第二侧；第一穿透结构，穿透基底；以及第二穿透结构，穿透基底，第二穿透结构与第一穿透结构间隔开，并且当从基底的第一侧观察时，第一穿透结构的面积大于第二穿透结构的面积的两倍。
半导体装置

[发明专利]具有气隙间隔物的半导体器件及制造其的方法-CN201711247712.3有效
发明人：李东烈;慎重赞;李东俊;李镐旭;崔智旻;金志永;尹灿植;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极，外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区；在外围电路区上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成第一金属层；在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽设置在第二杂质区与第三杂质区之间并暴露层间绝缘膜；在第一沟槽上形成第一盖图案以在第一沟槽中形成气隙；用第一绝缘材料填充第二沟槽；以及在第一金属层上形成连接到第三杂质区的接触。
有气间隔半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置中用于分析的检测焊盘结构-CN202210242090.X在审
发明人：张志熏;李瑌真;崔慜贞;崔智旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体装置中的检测焊盘结构可以包括衬底上的下布线、下布线上的上布线、以及上布线上的第一焊盘图案。上布线可以连接到下布线，并且包括堆叠在多个层中的金属图案和金属图案上的过孔接触件。第一焊盘图案可以连接到上布线。一种半导体装置可以包括实际上布线，该实际上布线包括堆叠在多个层中的实际金属图案和实际过孔接触件。上布线中的每一层的金属图案中的至少一个可以具有实际上布线中的每一层的金属图案的最小线宽和最小间隔。上布线中的每一层的金属图案和过孔接触件可以规则地并且重复地布置。
半导体装置用于分析检测盘结

[发明专利]半导体装置-CN202110143214.4在审
发明人：慎重垣;李瑌真;李仁荣;崔智旻;韩正勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基底；导电垫，位于半导体基底的第一表面上；钝化层，位于半导体基底的第一表面上，钝化层具有暴露导电垫的第一开口；有机介电层，位于钝化层上，有机介电层具有第二开口；以及凸块结构，位于导电垫上并且位于第一开口和第二开口中。有机介电层包括与钝化层的材料不同的材料。第二开口空间地连接到第一开口并且暴露钝化层的部分。凸块结构包括与钝化层和有机介电层接触的柱图案。
半导体装置

[发明专利]半导体封装件-CN202110145563.X在审
发明人： 崔智旻;韩正勋;李瑌真;李钟旼;张志熏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：半导体封装件可以包括：半导体芯片，位于基板上；和底部填充层，位于半导体芯片与基板之间。所述半导体芯片可以包括：半导体基板，包括第一区域和第二区域；以及层间介电层，可以覆盖半导体基板并且可以在其中包括连接线。第一导电焊盘可以位于第一区域上，并且可以电连接到所述连接线中的一些连接线。第二导电焊盘可以位于第二区域上，并且可以与所有连接线电隔离。所述半导体芯片还可以包括钝化层，钝化层可以覆盖层间介电层并且可以包括可以分别暴露第一导电焊盘和第二导电焊盘的第一孔。在第二区域上，底部填充层可以包括可以位于第一孔中的一个第一孔中并且与第二导电焊盘中的一个第二导电焊盘接触的部分。
半导体封装

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110256957.2在审
发明人：张志熏;崔智旻;李瑌真;张贤禹;韩正勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了半导体装置及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成通路；在所述第一电介质层上顺序地形成第一金属图案、第一金属氧化物图案、第二金属图案和抗反射图案；和执行退火工艺以使所述第一金属氧化物图案和所述第二金属图案彼此反应以形成第二金属氧化物图案。形成所述第二金属氧化物图案包括通过所述第二金属图案的金属元素与所述第一金属氧化物图案的氧元素之间的反应来形成所述第二金属氧化物图案。
半导体装置及其制造方法

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