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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光掩模布图以及形成精细图案的方法-CN201710123674.4有效
发明人：林静范;全钟律;金恩娥;李钟旼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供，该方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，该目标层在基板上；在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板，孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。
光掩模布图以及形成精细图案方法

[发明专利]图像修复方法和设备以及电子装置-CN202210730538.2在审
发明人：崔在硕;曺敏铢;金相贤;李钟旼;权基南;徐健锡;李炯旭 -专利权人：三星电子株式会社;浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：公开图像修复方法和设备以及电子装置。所述方法包括：通过对突发图像集的单独图像进行编码，生成与单独图像对应的多个特征表示；从所述多个特征表示之中确定参考特征表示；确定包括参考特征表示和所述多个特征表示中的第一特征表示的第一比较对；基于参考特征表示与第一特征表示的相似性分数图，生成第一比较对的第一运动嵌入特征表示；通过将包括第一运动嵌入特征表示的多个运动嵌入特征表示进行融合生成融合结果；以及通过解码融合结果生成至少一个修复图像。
图像修复方法设备以及电子装置

[发明专利]去耦电容器结构及包括其的半导体器件-CN202211596593.3在审
发明人： 李钟旼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种去耦电容器结构包括绝缘分割图案、导电垫、下电极组、支撑结构、电介质层和上电极结构。导电垫在绝缘分割图案的相反侧。下电极组在每个导电垫上在水平方向上彼此间隔开。支撑结构接触并连接下电极的侧壁。电介质层在下电极和支撑结构上。上电极结构在电介质层上。下电极组包括与绝缘分割图案相邻的第一下电极和在水平方向上与第一下电极间隔开的第二下电极。支撑结构在第二下电极之间限定开口。开口未形成在第一下电极之间或第一下电极与第二下电极之间。
电容器结构包括半导体器件

[发明专利]热电模块-CN201880079365.4有效
发明人： 李钟旼;赵容祥;姜宗贤 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10N10/17 文献下载
摘要：公开了一种实施例的热电模块，包括：第一导热板；在第一导热板上设置的热电元件；在热电元件上设置的第二导热板；以及盖框架，盖框架布置在第一导热板上，并具有容纳空间，使得热电元件容纳在该容纳空间中，其中，热电元件包括：第一基板；布置在第一基板上的多个热电臂；布置在多个热电臂上的第二基板；以及电极，该电极包括布置在第一基板与多个热电臂之间的多个第一电极以及布置在第二基板与多个热电臂之间的多个第二电极，盖框架包括：与第一导热板上的热电元件间隔开的外框架；以及以从外框架的上端朝向其向下方向倾斜的方式朝向第二导热板延伸的上框架。
热电模块

[发明专利]半导体装置-CN202211285469.5在审
发明人： 李钟旼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括栅极结构、位线结构、接触插塞结构、第一电容器和第二电容器。栅极结构形成在包括单元区域和外围电路区域的基底中，并且每个栅极结构在第一方向上延伸。位线结构形成在基底的单元区域上，并且每个位线结构在第二方向上延伸。接触插塞结构沿第二方向设置在基底上的位线结构之间。第一电容器分别形成在接触插塞结构上。导电垫形成在基底的外围电路区域上，并且与基底电绝缘。第二电容器形成在导电垫上，并且设置在第一方向和第二方向上。
半导体装置

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件-CN202211356181.2在审
发明人：崔慜贞;李钟旼;李瑌真;李全一;崔智旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：提供了半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体基底；第一层间绝缘层，布置在半导体基底上；低介电层，布置在第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，顺序地布置在低介电层上；以及贯穿硅过孔，穿透半导体基底和第一层间绝缘层，其中，半导体基底、第一层间绝缘层和低介电层构成倒角结构，倒角结构包括第一倒角表面和第二倒角表面，第一倒角表面平行于半导体基底的顶表面，第二倒角表面相对于半导体基底的顶表面倾斜并连接到第一倒角表面。
半导体器件包括半导体封装

[发明专利]包括硅通孔的半导体装置-CN202211238710.9在审
发明人：李全一;李钟旼;崔智旻;李瑌真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了包括硅通孔的半导体装置。所述半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。设置有延伸穿过基底过孔绝缘层。设置有延伸穿过过孔绝缘层的硅通孔。硅通孔的中心从过孔绝缘层的中心偏离。阻挡层设置在第一表面上。第一绝缘层设置在阻挡层上。设置有延伸穿过第一绝缘层和阻挡层并接触硅通孔的接触插塞。
包括硅通孔半导体装置

[发明专利]具有防裂纹结构的半导体装置-CN202210361368.5在审
发明人：崔慜贞;李瑌真;李全一;李钟旼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了具有防裂纹结构的半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括芯片区域和划线区域；低k层，在半导体基底上；层间绝缘层，在低k层上；沟槽区域，在划线区域中；间隙填充绝缘层，在沟槽区域中并且从半导体基底垂直延伸穿过低k层和层间绝缘层以通过层间绝缘层暴露间隙填充绝缘层的上表面；以及第一金属衬层，覆盖间隙填充绝缘层的侧表面，并且设置在间隙填充绝缘层与低k层之间以及间隙填充绝缘层与层间绝缘层之间。
具有裂纹结构半导体装置

[发明专利]包括多层覆盖层的半导体装置-CN202210712745.5在审
发明人：崔慜贞;李钟旼;崔智旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置。根据公开的所述半导体装置包括：基底；晶体管，连接到基底；以及布线结构，包括电连接到晶体管的接触布线。布线结构还包括：第一布线绝缘层；第一材料层，物理地接触第一布线绝缘层；第二材料层，物理地接触第一材料层；以及第二布线绝缘层，物理地接触第二材料层。第一材料层包括SiN，并且第二材料层包括SiCN。第一布线绝缘层的介电常数大于第二布线绝缘层的介电常数。
包括多层覆盖层半导体装置

[发明专利]散热垫、包括其的半导体芯片和制造半导体芯片的方法-CN202210501876.9在审
发明人：崔智旻;李全一;李钟旼;李周益 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：提供了半导体芯片的散热垫、包括散热垫的半导体芯片和制造半导体芯片的方法，所述散热垫包括：散热芯，位于半导体基底的下表面处的沟槽中，散热芯被构造为接收从竖直延伸穿过半导体基底的贯穿硅过孔(TSV)产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。
散热包括半导体芯片制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210920766.6在审
发明人：崔智旻;李钟旼;李瑌真;李全一;李周益;崔慜贞 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开半导体装置。所述半导体装置包括：基底；蚀刻停止层，在基底上；贯穿孔电极，与基底的上表面基本垂直的垂直方向上延伸穿过基底和蚀刻停止层；以及导电垫。蚀刻停止层包括与基底邻近的第一表面和与第一表面背对的第二表面。贯穿孔电极包括从蚀刻停止层的第二表面突起的突起部分。导电垫覆盖贯穿孔电极的突起部分。贯穿孔电极的突起部分是不平坦的。
半导体装置

[发明专利]具有台阶状侧壁的半导体芯片及其制造方法-CN202211083789.2在审
发明人：金俊亨;李钟旼;崔慜贞;崔智旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：可以提供半导体芯片、半导体封装和半导体芯片制造方法。该半导体芯片包括：包括器件区域和边缘区域的基板；顺序堆叠在基板上的器件层和布线层；在器件区域上的子焊盘和在边缘区域上的残留测试图案，其中残留测试图案的侧壁与基板的侧壁对准；以及覆盖子焊盘和残留测试图案的上电介质堆叠。上电介质堆叠可以暴露残留测试图案的顶表面的一部分。上电介质堆叠的侧壁可以具有台阶区域。
具有台阶侧壁半导体芯片及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202210750430.X在审
发明人： 李钟旼;金薰敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：在衬底上的下电极、在下电极的上侧壁上的第一上支撑层图案、以及在下电极和第一上支撑层图案的表面上的介电层和上电极。下电极可以布置成蜂窝图案，所述下电极位于六边形的顶点和中心处。第一上支撑层图案可以为第一板形状，并且包括暴露所有下电极的一部分的开口。下电极可以在第一方向上形成行，所述行在垂直于第一方向的第二方向上布置。每一个开口可以暴露相邻两行中的至少四个下电极的上侧壁的部分。开口中的每一个可以具有在第一方向上的纵向方向。在半导体器件中，可以减少由弯曲应力引起的缺陷。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202210811739.5在审
发明人： 李钟旼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，可以包括单元电容器和去耦电容器，单元电容器包括第一下电极、第一上支撑层图案、第一介电层和第一上电极，去耦电容器包括第二下电极、第二上支撑层图案、第二介电层和第二上电极。第一下电极和第二下电极可以在六边形的每个顶点和六边形的中心处分别被布置为蜂窝图案。第一上支撑层图案可以连接到第一下电极的上侧壁。第一上支撑层图案可以与限定第一开口的第一板相对应。第二上支撑层图案可以连接到第二电极的上侧壁。第二上支撑层图案可以与限定第二开口的第二板相对应，第二开口具有与第一开口的形状不同的形状。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202210836054.6在审
发明人：李周益;李钟旼;崔智旻;李瑌真;李全一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括彼此背对的第一侧和第二侧；第一穿透结构，穿透基底；以及第二穿透结构，穿透基底，第二穿透结构与第一穿透结构间隔开，并且当从基底的第一侧观察时，第一穿透结构的面积大于第二穿透结构的面积的两倍。
半导体装置

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