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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310472801.7在审
发明人：饶孟桓;黄麟淯;苏焕杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：方法包括：提供具有栅极结构、源极/漏极电极、第一蚀刻停止层(ESL)、第一层间介电(ILD)层、第二ESL和第二ILD层的结构。方法包括：形成第一蚀刻掩模；通过第一蚀刻掩模对第二ILD层、第二ESL和第一ILD层实施第一蚀刻以形成第一沟槽；在第一沟槽中沉积第三介电层；形成第二蚀刻掩模；以及通过第二蚀刻掩模对第二ILD层、第二ESL、第一ILD层和第一ESL实施第二蚀刻，从而形成第二沟槽，其中，第二沟槽暴露源极/漏极电极中的一些，并且第三介电层抵抗第二蚀刻。方法还包括：在第二沟槽中沉积金属层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310684955.2在审
发明人：黄一涵;张复成;蓝文廷;朱熙甯;黄麟淯;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开描述了一种在晶圆边缘上形成具有氧化物结构的半导体结构的方法。该方法包括在第一衬底上形成器件层，在器件层上形成互连层，在互连层的顶表面上并沿着互连层的侧壁表面形成氧化物结构，在氧化物结构和互连层上形成接合层，以及用接合层将器件层接合到第二衬底。本申请的实施例还公开了一种半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310602087.9在审
发明人：游力蓁;苏焕杰;黄麟淯;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了形成用于在衬底的前侧和衬底的背侧之间提供连接的通孔的方法，以及包括该通孔的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件包括：栅极结构，位于衬底上；第一隔离部件，部分地延伸穿过栅极结构；第一导电部件，延伸穿过第一隔离部件；以及第二导电部件，部分地延伸穿过栅极结构，第二导电部件电连接至第一导电部件。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010150288.6有效
发明人： 黄麟淯;王圣璁;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：旨在提供源极/漏极隔离结构的方法和结构，该方法包括提供具有与第二源极/漏极区域相邻的第一源极/漏极区域的器件。在第一和第二源极/漏极区域之间以及第二源极/漏极区域的暴露的第一部分上方沉积掩模层。在沉积掩模层之后，蚀刻ILD层的设置在掩模层的任一侧上的第一部分，而基本不蚀刻掩模层，以暴露第二源极/漏极区域的第二部分并且暴露第一源极/漏极区域。在蚀刻ILD层的第一部分之后，蚀刻掩模层以形成L形掩模层。在形成L形掩模层之后，在暴露的第一源极/漏极区域上方形成第一金属层，并且在第二源极/漏极区域的暴露的第二部分上方形成第二金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310272193.5在审
发明人：张尚文;游力蓁;黄麟淯;苏焕杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成具有金属栅极结构、源极和漏极的场效应晶体管(FET)。设置在伪金属栅极结构之间的第一前侧接触件形成在隔离绝缘层上方。前侧布线层形成在第一前侧接触件上方。从衬底的背侧去除衬底的部分，从而暴露隔离绝缘层的底部。从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口以暴露第一前侧接触件的底部。通过用导电材料填充第一开口以连接第一前侧接触件而形成第一背侧接触件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310429111.3在审
发明人：吕旻轩;黄麟淯;游力蓁;王圣璁;程仲良;苏焕杰;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：器件包括衬底、位于衬底上方的纳米结构沟道的垂直堆叠件、包裹纳米结构沟道的栅极结构以及位于衬底上的源极/漏极区域。器件还包括与源极/漏极区域接触的源极/漏极接触件。源极/漏极接触件包括第一材料的芯层。源极/漏极通孔位于源极/漏极接触件上方并且与源极/漏极接触件接触。源极/漏极通孔是第一材料。栅极通孔位于栅极结构上方并且与栅极结构电连接。栅极通孔是第一材料。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310277291.8在审
发明人：苏焕杰;黄麟淯;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了具有空气间隔件结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的纳米结构沟道区域、围绕纳米结构沟道区域的栅极结构、设置在栅极结构上的第一空气间隔件、设置在衬底上的源极/漏极(S/D)区域以及设置在S/D区域上的接触结构。接触结构包括设置在S/D区域上的硅化物层、设置在硅化物层上的导电层、沿导电层的侧壁设置的介电层以及沿阻挡层的侧壁设置的第二空气间隔件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202310241117.8在审
发明人：王圣璁;苏焕杰;谌俊元;黄麟淯;蔡庆威;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种集成电路及其形成方法。集成电路包括第一纳米结构晶体管和第二纳米结构晶体管。第一和第二纳米结构分别包括栅电极。背侧沟槽将第一栅电极与第二栅电极分开。背侧沟槽中填充了体介电材料。栅极帽金属将第一栅电极电连接到第二栅电极。
集成电路及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310245780.5在审
发明人：游家权;张家豪;江国诚;王志豪;王圣璁;谌俊元;游力蓁;黄麟淯;苏焕杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：器件包括栅电极和围绕栅电极的栅极电介质。栅电极围绕纳米结构。纳米结构包括堆叠的纳米片。栅极电介质由高k(HK)材料形成。HK材料在与相邻器件对准的方向上覆盖栅电极的侧壁。使HK材料的部分从侧壁凹进并且由具有小于HK材料的介电常数和大于HK材料的电隔离能力的介电材料再填充。利用介电材料替换栅电极的侧壁上方的HK材料增强了栅电极与相邻接触件之间的电隔离。因此，它可以减少集成电路(IC)的缩放晶体管中金属栅极(MG)接触件和金属至器件(MD)接触件之间的漏电。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110003654.X有效
发明人： 黄麟淯;游力蓁;张家豪;庄正吉;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了结构和方法，包括：在前侧上形成的诸如全环绕栅极晶体管等的器件，以及从结构的前侧到器件的一个端子且从结构的背侧到器件的一个端子的接触件。背侧接触件可以包括从背侧选择性地蚀刻延伸以暴露第一源极/漏极结构的第一沟槽和延伸到第二源极/漏极结构的第二沟槽。导电层在沟槽中沉积和图案化以形成到第一源极/漏极结构的导电通孔。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011635419.6有效
发明人： 黄麟淯;游力蓁;张家豪;庄正吉;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法包括提供一种结构，具有衬底、鳍部、源极/漏极(S/D)部件、与鳍部的侧壁相邻的隔离结构、在第一介电层上并且连接S/D部件的一个或多个沟道层以及接合一个或多个沟道层的栅极结构。方法还包括从结构的背面减薄结构直到鳍部被暴露以及选择性地蚀刻鳍部以形成沟槽，沟槽暴露S/D部件的表面、第一介电层和隔离结构。方法还包括在S/D部件上形成硅化物部件以及在硅化物部件上但不在第一介电层和隔离结构的表面上沉积抑制剂，在隔离结构和第一介电层的表面上但不在抑制剂上沉积介电衬垫层，以及选择性地去除抑制剂。本发明的实施例还提供了一种半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310033252.3在审
发明人：庄正吉;游力蓁;苏焕杰;谌俊元;黄麟淯;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：根据本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括半导体器件结构，包括第一介电层。第一多个纳米结构设置在第一介电层上，第一多个纳米结构彼此重叠。第一源极/漏极区域横向地邻近第一多个纳米结构的第一侧设置。第二介电层在第一源极/漏极区域的第一侧上。正面源极/漏极接触件设置在第一源极/漏极区域的与第一侧相对的第二侧上，并且背面源极/漏极接触件设置在第一源极/漏极区域的第一侧上。背面源极/漏极接触件延伸穿过第二介电层。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210943763.4在审
发明人：王圣璁;张家豪;黄麟淯;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置。其导电结构的高度减少且宽度增加。具体而言，牺牲自对准接点层与牺牲金属接点蚀刻停止层用于形成电阻减少的导电结构。在形成导电结构之后，移除牺牲自对准接点层与牺牲金属接点蚀刻停止层，并置换成低介电常数的材料以减少装置中的电容。如此一来，可改善装置效能。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210886636.5在审
发明人：王圣璁;黄麟淯;庄正吉;王菘豊;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板；栅极结构，包绕纳米结构半导体通道的垂直堆叠；源极/漏极，邻接垂直堆叠并接触纳米结构半导体通道；以及栅极导孔，接触栅极结构，包括：金属衬层，具有第一流动性；以及金属填充层，具有第二流动性，第二流动性大于第一流动性。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210815000.1在审
发明人： 黄麟淯;游力蓁;苏焕杰;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件包括位于鳍上方的第一栅极结构和第二栅极结构、夹在第一栅极结构和第二栅极结构之间的介电切割图案以及围绕介电切割图案的衬垫层。介电切割图案与鳍间隔开，并且距衬底比第一栅极结构的第一栅电极和第二栅极结构的第二栅电极延伸地更远。该半导体器件还包括夹在第一栅极结构和第二栅极结构之间的导电部件。导电部件由介电切割图案划分为第一段和第二段。导电部件的第一段位于鳍的源极/漏极区域之上。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

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