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[发明专利]湿法清洗工艺-CN202111251459.5在审
发明人：唐斌 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种湿法清洗工艺，包括：提供一衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；执行SPM清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的有机物和部分金属离子；执行SC1清洗工艺，去除所述衬底的第一表面和第二表面上的微粒及部分金属离子；执行SC2清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的剩余金属离子；执行至少一次臭氧氧化工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的残留微粒；执行HF清洗工艺，用于去除所述衬底的第一表面和第二表面上的氧化层通过在HF清洗工艺前的纯水槽中通入臭氧，所述湿法清洗工艺并未引入其它的杂质或化学液，清洗成本低廉，可以进行大规模推广。
湿法清洗工艺

[发明专利]清洗机台以及清洗方法-CN202010982723.1在审
发明人：郗宁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种清洗机台以及清洗方法，其中，清洗机台包括：湿法清洗模块，用于对晶圆执行湿法清洗工艺；干法清洗模块，用于对晶圆执行干法清洗工艺；输送模块，用于将晶圆输入至湿法清洗模块或干法清洗模块中，或用于将湿法清洗模块或干法清洗模块中的晶圆输出；传送模块，用于将晶圆从湿法清洗模块传送至干法清洗模块，或用于将晶圆从干法清洗模块传送至湿法清洗模块；处理模块，用于抽取传送模块中的气体；本发明实施例提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性
清洗机台以及方法

[发明专利]一种采用湿法腐蚀工艺制作MEMS器件的方法-CN201611242619.9在审
发明人：姚嫦娲;肖慧敏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种采用湿法腐蚀工艺制作MEMS器件的方法，用于改善MEMS器件牺牲层释放工艺中的结构损伤，包括将硅片放置在湿法设备工艺腔中的工艺平台上，并随工艺平台一起旋转；将湿法刻蚀药液从硅片上方喷淋到硅片表面进行刻蚀工艺，其中湿法刻蚀药液由HF和与HF互溶的有机溶剂混合而成；将第一湿法清洗药液从硅片的上方喷淋到硅片表面对硅片进行初步清洗，并对硅片背面进行去离子水喷淋，其中第一湿法药液为由去离子水和有机溶剂混合而成；将第二湿法清洗药液从硅片上方喷淋到硅片表面对硅片进行二次清洗，硅片背面去离子水喷淋，其中第二湿法药液为由去离子水和有机溶剂混合而成；高温氮气喷淋硅片表面对硅片进行干燥。
一种采用湿法腐蚀工艺制作 mems 器件方法

[实用新型]清洗液流量控制系统及湿法工艺机台-CN202020856327.X有效
发明人：董明 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G05D7/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种清洗液流量控制系统及湿法工艺机台，所述清洗液流量控制系统用于控制湿法工艺机台清洗晶圆的清洗液流量，并包括电动阀和控制模组，所述电动阀设置在向所述湿法工艺机台的工艺腔提供清洗液的供液管道上在利用该湿法工艺机台执行相应的湿法工艺时，采用流量切换组件切换不同的空气压缩机，以驱动电动阀实现不同的开启度，进而控制供液管道中的清洗液的流量不同，由此避免现有的湿法工艺机台采用单一清洗液流量来清洗不同产品晶圆时造成清洗后的一些晶圆出现边缘破孔或中心有表面残留物的问题
清洗流量控制系统湿法工艺机台

[发明专利]湿法刻蚀后的清洗方法-CN201210579772.6有效
发明人：杨冰 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法刻蚀后的清洗方法，以保证湿法刻蚀后硅片表面满足质量检验要求。该清洗方法包括完成金属铝湿法刻蚀工艺后，进行第一次湿法去除硅屑残留；通过光刻工艺在经湿法刻蚀后的金属铝上形成光刻胶；进行光刻胶烘干；进行光刻胶干法灰化；以及进行第二次湿法去除硅屑残留。
湿法刻蚀清洗方法

[发明专利]一种半导体湿法清洗溶液中混酸浓度的控制方法-CN202011634981.7在审
发明人：张展;邓信甫;徐铭;陈佳炜 -专利权人：上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B01F3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种导体湿法清洗溶液中混酸浓度的控制方法，该方法通过在湿法清洗设备的进液端安装混酸装置，能够精确控制湿法清洗溶液中的混酸浓度，提高了发应性溶液的配比精度，同时也能大大提高反应性溶液的配比效率，解决了酸液混合过多或不足量造成的湿法工艺执行不稳定的问题，有效提高了湿法工艺的性能和洁净能力。
一种半导体湿法清洗溶液中混酸浓度控制方法

[发明专利]晶片表面颗粒监测装置和方法、晶片清洗的控制方法-CN201610985905.8在审
发明人：王春伟;李阳柏;张传民;陈建维 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片表面颗粒监测装置和方法、晶片清洗的控制方法，该装置包括湿法清洗设备和表面颗粒液体监测器。该方法包括当湿法清洗设备对晶片进行清洗作业时，湿法清洗设备中的化学药液流经到表面颗粒液体监测器中，表面颗粒液体监测器实时监测从湿法清洗设备流经到表面颗粒液体监测器中的化学药液的颗粒数量，以判断清洗后的晶片表面颗粒的指标是否合格该控制方法包括当化学药液的颗粒数量达到设定值之上时，判定清洗后的晶片的表面颗粒的指标不合格，同时执行更换化学药液提醒或者自动更换化学药液的步骤。本发明能够实时反馈湿法清洗工艺中表面颗粒指标的状况，提高湿法清洗工艺对晶片表面颗粒的清洗效果，提高产品的良率。
晶片表面颗粒监测装置方法清洗控制

[发明专利]浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法-CN200710041242.5有效
发明人：张擎雪;邹建祥 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，采用在整批硅片进入湿法处理槽之前，将硅片的放置方式调整为相邻硅片的正面对正面，背面对背面的放置方式，使得原有的硅片背面的颗粒或者沾污不直接对着硅片的正面，从而避免了现有技术中存在的硅片背面所携带的颗粒或杂质沾污到硅片正面的情况，降低了浸入式湿法清洗处理或浸入式湿法刻蚀处理后硅片的沾污，有效提高制造芯片的成品率。本发明可广泛应用于浸入式湿法清洗工艺和浸入式湿法刻蚀工艺中。
浸入湿法工艺防止硅片背面沾污正面方法

[实用新型]湿法清洗装置-CN201920513095.5有效
发明人：崔亚东;陈章晏;颜超仁;卢思源;王永昌 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种湿法清洗装置，包括：清洗腔，适于放置待清洗晶圆；喷液口，适于向待清洗晶圆表面喷吐清洗溶液；混酸阀，适于将各种清洗溶液进行混合；传输管道，适于将混合后的清洗溶液传输到喷液口；温度补偿装置，用于控制传输管道中的混合溶液的温度本实用新型的湿法清洗装置。本实用新型的湿法清洗装置清洗溶液在到达喷液口时的温度与设定温度保持一致或相差较小，使得清洗溶液的温度满足工艺的要求，保证了工艺的稳定性。
清洗溶液湿法清洗装置喷液口本实用新型传输管道混合溶液清洗温度补偿装置晶圆表面控制传输温度保持清洗腔混酸晶圆传输保证

[发明专利]一种SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法-CN202210459500.6在审
发明人：刘政红;邵华;陈昊瑜;黄冠群;齐瑞生 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法，包括：提供待返工的晶圆，晶圆包括半导体基底、氧化层和氮化硅层及待剥离光刻胶层；采用干法工艺将大部分光刻胶层去除，再用湿法工艺将剩余的光刻胶层去除；二次形成光刻胶层，刻蚀去除选择栅区域以及外围逻辑区域的氮化硅层；采用湿法刻蚀工艺去除选择栅区域以及外围逻辑区域的氧化层，采用的化学溶液刻蚀量小于基准刻蚀量；去除二次形成的光刻胶层，进行预清洗，采用的化学溶液的清洗量大于基准清洗量本发明通过调整湿法刻蚀工艺刻蚀量和栅氧化层预清洗量降低返工晶圆在湿法刻蚀过程中因化学溶液侧钻导致膜层损伤，保证可靠性。该返工工艺稳定可控，适合批量生产。
一种 sonos 存储器 ono 光刻返工工艺集成方法

[发明专利]一种防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置及方法-CN201510149032.2在审
发明人：王春伟;李阳柏;张传民;陈建维 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，包括：晶圆上片装置；清洗装置，用于待清洗晶圆之表面清洁，并进一步包括具有不同清洗功效的清洗单元；真空腔室，设置在所述晶圆上片装置和所述清洗装置之间，所述待清洗之晶圆便通过所述真空腔室之硅片进出窗口传送至所述清洗装置内；干燥装置，设置在所述清洗装置和所述真空腔室之间，并用于对所述清洗后之晶圆进行干燥。本发明针对湿法清洗的薄弱环节，通过在清洗装置和晶圆上片装置之间，以及在干燥装置与晶圆上片装置之间设置真空腔室，避免了在湿法清洗工艺中所述晶圆与外界氧气和水汽接触，有效的阻止了自然氧化膜的生长，从另一方面提高了半导体制造工艺特别是栅氧化层淀积工艺的稳定性
一种防止湿法清洗工艺自然氧化生长装置方法

[发明专利]循环供液桶-CN201410643983.0在审
发明人：陈波;李楠;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： B65D25/52 文献下载
摘要：本发明涉及湿法刻蚀、清洗工艺技术领域，尤其涉及一种循环供液桶，用于向湿法刻蚀、清洗设备提供化学液，并将湿法刻蚀、清洗设备的工艺处理腔中的化学液回收，所述循环供液桶包括：桶体，用于盛装化学液，所述桶体的底部设有出液口本发明实施例所提供的循环供液桶，在向湿法刻蚀、清洗设备的工艺处理腔提供化学液的同时，将工艺处理腔中的化学液通过桶盖上的回收液进口回收至桶体内，再通过桶体底部的出液口进入供液泵，实现化学液的循环利用。
循环供液桶

[发明专利]形成导电互连线的方法-CN201911236925.5在审
发明人：刘冲;严强生;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成导电互连线的方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有导电层；刻蚀所述导电层以得到导电互连线；对形成有所述导电互连线的半导体器件执行湿法清洗工艺；执行烘烤工艺以及执行氧化工艺。在本发明中，执行湿法清洗工艺之后，增加烘烤工艺和氧化工艺，其中，所述烘烤工艺可以去除湿法清洗工艺后所述导电互连线表面的水汽，所述氧化工艺可以使得所述导电互连线的表面生长出致密的氧化膜，避免了所述导电互连线与残留的刻蚀副产物发生反应的情况
形成导电互连方法

[实用新型]晶圆边缘清洗设备-CN201921908668.0有效
发明人：张玉静 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型实施方式提供了一种晶圆边缘清洗设备，晶圆边缘清洗设备包括：晶圆载板，用于承载晶圆，晶圆边缘具有至少一层待清洗的膜层；第一清洗单元，用于采用湿法刻蚀工艺清洗晶圆边缘；第二清洗单元，用于采用干法刻蚀工艺清洗晶圆边缘；控制模块，用于基于当前待清洗的膜层的属性，调用与属性相对应的第一清洗单元或第二清洗单元对晶圆边缘进行清洗。将目前对晶圆边缘的清洗设备进行改进，采用干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺相结合的方式对晶圆边缘进行清洗，对待清洗的膜层进行的具有针对性的清洗。
边缘清洗设备

[发明专利]电容器结构及其制造方法-CN202010280440.2在审
发明人：金一球;李俊杰;周娜;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：与现有制造方法得到的电容器相比，本申请通过将常规工艺中采用湿法刻蚀去除牺牲模层替换为干法剥离工艺，并随后进行湿法清洗工艺，通过全制程的干法工艺，从而能够有效解决因为湿法工艺所产生的表面张力等而导致的底电极的倾斜甚至是塌陷的问题
电容器结构及其制造方法

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