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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202110466461.8有效
发明人：刘冲;任媛媛;严强生;陈宏;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底上依次形成有层间介质层和金属层，所述金属层内形成有开口，所述开口暴露的所述层间介质层的表面存在第一突起缺陷；在所述金属层的表面和所述开口的侧壁及底部形成保护层，采用高密度等离子体化学气相沉积工艺去除所述保护层上存在的第二突起缺陷并沉积介质层；或者，在所述开口内填充介质层并延伸覆盖所述开口两侧的所述金属层，对所述介质层进行平坦化处理，以去除所述第二突起缺陷。本发明去除保护层或介质层表面的第二突起缺陷，从而减少或避免层间介质层表面的第一突起缺陷影响后续形成的钝化层及其他半导体结构的表面平坦度，从而改善半导体器件的形貌和性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202310944582.8在审
发明人：崔燕雯;任媛媛;严强生;陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供衬底，衬底上形成有MIM电容；在第一层间介质层中形成第一接触孔和第二接触孔；形成浮置金属电阻的同时，形成第一金属、第二金属分别将MIM电容的上极板和下极板引出。顶部接触孔贯穿第二层间介质层暴露出浮置金属层。顶部接触孔的高度一致，方便控制浮置金属层的刻蚀损失量。顶部接触孔包括第三接触孔、第四接触孔以及第五接触孔。浮置金属电阻通过第五接触孔直接引出；MIM电容的上极板依次通过第一接触孔、第一金属和第三接触孔引出；MIM电容的下极板依次通过第二接触孔、第二金属和第四接触孔引出。减少一层掩膜版，降低了成本；解决光刻对准标记看不清的问题，提高了效率。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法和刻蚀方法-CN202310320098.8在审
发明人： 严强生;卓明川;陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法和刻蚀方法。所述半导体器件包括衬底、顶部金属层和钝化层；所述顶部金属层设置于所述衬底的表面；所述钝化层覆盖所述顶部金属层及其周围的衬底，所述钝化层包括自下而上的第一介质层、刻蚀停止层、第二介质层和硬掩模层，所述第一介质层和所述第二介质层的材料相同，所述刻蚀停止层和所述硬掩模层的材料与所述第一介质层的材料不同。本发明通过制备包含第一介质层、刻蚀停止层、第二介质层和硬掩模层的钝化层，利用不同材料具有的刻蚀速率不同的特性确保了后续金属互连工艺的顺利进行，减少或避免顶部金属层在钝化层的刻蚀过程中受到等离子体损伤，提高了半导体器件的产量和良率。
半导体器件及其制造方法刻蚀

[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的形成方法-CN202211511990.6在审
发明人：刘冲;陈宏;严强生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底，在衬底上形成研磨停止层；选择性刻蚀研磨停止层和衬底，在衬底中形成隔离沟槽；在隔离沟槽中形成绝缘介质层，绝缘介质层还覆盖研磨停止层；对绝缘介质层进行平坦化工艺，直至露出部分研磨停止层；进行氢氟酸湿法刻蚀，以去除研磨停止层上残留的绝缘介质层。本发明提供的浅沟槽隔离结构的形成方法，去掉现有工艺中的过研磨步骤，并采用氢氟酸湿法刻蚀步骤代替现有工艺中的过研磨步骤对研磨停止层上残留的绝缘介质层进行彻底去除，避免了碟形缺陷的产生，从而提高了浅沟槽隔离工艺品质，避免了器件性能下降和良率损失。
一种沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]闪存器件的制造方法-CN202211580398.1在审
发明人：张连宝;严强生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层；去除所述开口暴露的部分控制栅层，以在控制栅层内形成凹陷；在所述开口的侧壁上形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖并填满所述凹陷的靠近硬掩膜层的一侧；在所述开口的侧壁形成第二侧墙；去除所述开口暴露的浮栅层并在所述开口内形成字线；去除所述硬掩膜层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明在形成第一侧墙之前去除了开口暴露的部分控制栅层，减小第一侧墙下方的控制栅层的厚度，使最终形成的控制栅中越靠近字线的部分所具有的厚度越小，从而圆滑控制栅的顶角，避免控制栅和字线之间的隔离失效。
闪存器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810049867.4有效
发明人： 严强生;詹扬;张启阳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层，采用第一刻蚀工艺去除部分待刻蚀层，直至暴露出基底表面，在待刻蚀层内形成凹槽；对所述凹槽底部基底表面进行表面处理，在凹槽底部基底表面形成第一牺牲层；采用第二刻蚀工艺去除凹槽底部的第一牺牲层，暴露出凹槽底部的基底表面。所述方法提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件-CN202110459660.6在审
发明人： 严强生;刘冲;陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括基底，具有第一区域和第二区域，所述第一区域位于相邻的两个所述第二区域之间；两个子漏区，位于所述基底的第一区域内；dummy结构，位于相邻两个所述子漏区之间的所述基底上；源区，位于所述基底的第二区域内；栅极结构，位于所述第一区域和第二区域之间的所述基底上；本发明通过所述dummy结构来提高器件的ESD能力，且无需现有技术的SAB光罩也不需引入新的工艺流程，能够直接在制造工艺中同步形成所述dummy结构，以降低器件的制造成本。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110459666.3在审
发明人： 严强生;刘冲;陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：基底，具有第一区域和第二区域，所述第一区域位于相邻的两个所述第二区域之间；三个子漏区，位于所述基底的第一区域内；两个dummy结构，分别位于相邻两个所述子漏区之间的所述基底上；源区，位于所述基底的第二区域内；栅极结构，位于所述第一区域和第二区域之间的所述基底上；本发明通过所述dummy结构来提高器件的ESD能力，且无需现有技术的SAB光罩也不需引入新的工艺流程，能够直接在制造工艺中同步形成所述dummy结构，以降低器件的制造成本。
半导体器件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202110488663.2在审
发明人： 严强生;卓明川;刘冲;陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底内形成有沟槽，所述衬底的表面和所述沟槽的侧壁及底部依次形成有场氧化层和第一介质层，衬底表面的场氧化层和第一介质层之间形成有研磨停止层，沟槽内形成有屏蔽栅；采用湿法刻蚀工艺去除部分场氧化层和部分所述第一介质层，以暴露屏蔽栅的上表面及部分侧壁；去除部分研磨停止层，以暴露沟槽两侧的部分衬底的表面。本发明通过刻蚀部分研磨停止层暴露并消除湿法刻蚀场氧化层过程中形成的空洞，减少或避免空洞在后续工艺中对半导体器件的性能产生影响。此外，本发明在空洞所在区域的衬底表面及沟槽侧壁的部分场氧化层上形成保护层，避免衬底在后续工艺中受到损伤。
半导体器件制造方法

[发明专利]MIM电容器及其制造方法-CN202110209085.4在审
发明人： 严强生;刘冲;陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种MIM电容器及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供了一种MIM电容的制造方法，通过将现有技术中MIM电容的介质层由一层结构分成两层结构(第一介电层和第二介电层)，从而在对第二金属层和第二介电层进行刻蚀工艺形成MIM电容的过程中，可以将位于第一金属层表面上的第一介电层作为MIM电容刻蚀工艺的刻蚀停止层，从而在保证第一金属层完整性的同时，保证了覆盖在第一金属层表面上的介质层表面的平整度，避免了在后续光刻工艺中，导致衬底边缘涂覆的光刻胶脱离的问题。
mim 电容器及其制造方法

[发明专利]形成导电互连线的方法-CN201911236925.5在审
发明人：刘冲;严强生;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成导电互连线的方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有导电层；刻蚀所述导电层以得到导电互连线；对形成有所述导电互连线的半导体器件执行湿法清洗工艺；执行烘烤工艺以及执行氧化工艺。在本发明中，执行湿法清洗工艺之后，增加烘烤工艺和氧化工艺，其中，所述烘烤工艺可以去除湿法清洗工艺后所述导电互连线表面的水汽，所述氧化工艺可以使得所述导电互连线的表面生长出致密的氧化膜，避免了所述导电互连线与残留的刻蚀副产物发生反应的情况，从而避免了导电互连线的腐蚀缺陷的情况，提高了产品的良率和产品的可靠性。
形成导电互连方法

[实用新型]一种脱除恶臭气体的生物滤池-CN201822215520.0有效
发明人：江姝瑶;李惠;戴志盛;张方勇;严强生;汤伟;程军 -专利权人：江苏道科环境科技有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： B01D53/84 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脱除恶臭气体的生物滤池，包括收集和传输气体的气体管道，所述气体管道连接布气管，所述布气管上开有散气孔，所述布气管设置在所述生物滤体中，气体通过所述散气孔进入所述生物滤体，所述生物滤体内底部为所述粗颗粒承托层，所述粗颗粒承托层上方为细颗粒滤料层，所述细颗粒滤料表面附着异养微生物。本实用新型具有系统运行费用低、维护管理简单设备在使用过程当中无高压、不放电、不对人体产生危害、无须另外投加任何化学药剂、对地形无要求、兼顾景观美化、安全、环保等优点。
本实用新型恶臭气体气体管道生物滤池布气管承托层粗颗粒散气孔细颗粒滤体脱除系统运行费用异养微生物不对人体传输气体化学药剂简单设备景观美化滤料表面气体通过维护管理连接布滤料层放电附着气管地形体内环保安全

[实用新型]一种中进上下出水曝气生物滤池装置-CN201822217093.X有效
发明人：戴志盛;李惠;严强生;张方勇;汤伟;程军 -专利权人：江苏道科环境科技有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C02F3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中进上下出水曝气生物滤池装置，属于污水处理的技术领域。所述系统包括上下并联组合设置的上流式轻质滤料曝气生物滤池和下流式重质滤料曝气生物滤池，上述二者滤池均设置有滤料区、曝气装置、过滤装置、出水口，上述二者滤池的滤料区分别设有轻质滤料和重质滤料，污水可同时往上和往下地分别进入上述二者滤池完成污水生物氧化和过滤处理。本实用新型通过上流式轻质滤料的曝气生物滤池和下流式重质滤料的曝气生物滤池的并联组合，能够为占地面积小的，需要改造的污水处理厂提供一种节约用地的、基础投资少的、运行管理简单的、处理效率高的污水生物处理工艺，具有市场价值。
曝气生物滤池轻质滤料重质滤料滤池本实用新型上下出水滤料区上流式下流式污水生物处理污水处理厂并联组合处理效率过滤处理过滤装置基础投资曝气装置上下并联污水生物运行管理组合设置出水口污水处理污水节约改造

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置-CN201610021273.3在审
发明人：张启阳;詹扬;杜亮;王军;严强生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1提供第一晶圆和第二晶圆，并将所述第一晶圆和所述第二晶圆相接合；步骤S2在所述第二晶圆进行图案化之前蚀刻所述第二晶圆的边缘，以去除所述第二晶圆的边缘部分，以释放所述第二晶圆中的应力；步骤S3对所述第二晶圆进行图案化。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种半导体器件的制备方法，在所述方法中在BSI产品中，在键合和研磨之后，在正面硅片刻蚀工艺前，加入硅片边缘区域(10mm)刻蚀工艺，从而释放键合与研磨过程中带来的应力，以防止蚀刻厚度不均一的问题，进一步提高了半导体器件的良率和性能。
一种半导体器件及其制备方法电子装置

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