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[发明专利]欧姆接触结构与半导体器件-CN201910831232.4在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：欧姆接触结构包括：第一接触结构，沿晶体管的栅宽方向设置，位于有源区上表面在所述栅宽方向上的中心，具有第一长度；第二接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第一接触结构两侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第一长度的第二长度；第三接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第二接触结构远离所述第一接触结构的一侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第二长度的第三长度
欧姆接触结构半导体器件

[实用新型]欧姆接触结构与半导体器件-CN201921459961.3有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：欧姆接触结构包括：第一接触结构，沿晶体管的栅宽方向设置，位于有源区上表面在所述栅宽方向上的中心，具有第一长度；第二接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第一接触结构两侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第一长度的第二长度；第三接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第二接触结构远离所述第一接触结构的一侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第二长度的第三长度
欧姆接触结构半导体器件

[发明专利]一种具有新型栅结构的栅控半导体器件-CN201310313080.1有效
发明人：王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;房玉龙;顾国栋;宋旭波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，属于半导体高频功率器件和高压器件。本发明中栅结构是由沿栅宽方向介质栅和肖特基栅交替连接组成。和常规栅结构相比，本发明主要创新是采用沿栅宽方向肖特基栅和介质栅交替出现的新型栅结构；利用介质栅降低泄露电流，同时利用肖特基栅提高栅控能力，缓解半导体器件击穿电压和频率特性的矛盾关系；同时，与常规介质栅工艺相比，本发明只需改变刻蚀栅介质的光刻版，不增加工艺步骤和成本。
一种具有新型结构半导体器件

[实用新型]一种具有新型栅结构的栅控半导体器件-CN201320443130.3有效
发明人：王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;房玉龙;顾国栋;宋旭波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，属于半导体高频功率器件和高压器件。本实用新型中栅结构是由沿栅宽方向介质栅和肖特基栅交替连接组成。和常规栅结构相比，本实用新型主要创新是采用沿栅宽方向肖特基栅和介质栅交替出现的新型栅结构；利用介质栅降低泄露电流，同时利用肖特基栅提高栅控能力，缓解半导体器件击穿电压和频率特性的矛盾关系；同时，与常规介质栅工艺相比，本实用新型只需改变刻蚀栅介质的光刻版，不增加工艺步骤和成本。
一种具有新型结构半导体器件

[发明专利]具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件-CN202011521501.6有效
发明人：张鹏;陈俊文;马晓华;王明飞;王凯 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件，该具有支撑结构的T型栅，生长在具有钝化层的半导体基片上，包括栅帽、栅脚和若干栅支柱，其中，栅帽位于半导体基片的上方；栅脚的一端与栅帽的底面中部连接，另一端穿过钝化层生长在半导体基片上；若干栅支柱沿栅宽方向间隔设置在栅帽底部的两侧，且栅支柱的底部与钝化层连接。本发明的具有支撑结构的T型栅，在栅帽两侧沿栅宽方向相间隔设置有栅支柱，在提高栅脚的高度的同时不增加钝化层厚度，不影响寄生电容，提高了器件在高频下的性能。
具有支撑结构及其制备方法半导体功率器件

[发明专利]基于跨导补偿法的类Fin侧墙调制的HEMT器件及其制备方法-CN202010177072.9有效
发明人：宓珉瀚;马晓华;王鹏飞;张濛;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：器件及其制备方法，该HEMT器件包括：衬底层；插入层，位于衬底层上；缓冲层，位于插入层上；源电极，位于缓冲层的一端；漏电极，位于缓冲层的另一端；势垒层，位于缓冲层上，且位于源电极和漏电极之间，其中，势垒层上设置有沿栅宽方向排列的若干凹槽，凹槽的深度小于势垒层的厚度；钝化层，覆盖在源电极、漏电极和势垒层上，其中，沿栅宽方向上，钝化层中贯穿有栅槽，且若干凹槽位于栅槽下；栅电极，位于若干凹槽和栅槽中，且位于钝化层表面；金属互联层，贯穿钝化层且位于源电极该HEMT器件通过沿栅宽方向排列若干凹槽形成类Fin结构，可以满足高频高线性和高压高线性的应用需求。
基于补偿 fin 调制 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于平面纳米线沟道的高线性HEMT器件及制备方法-CN202110769587.2在审
发明人：马晓华;刘思佳;宓珉瀚;王鹏飞;张濛;侯斌;杨凌;周雨威 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：HEMT器件及制备方法，该高线性HEMT器件包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；源电极，位于缓冲层的一端；漏电极，位于缓冲层的另一端；势垒层，位于缓冲层上，且位于源电极和漏电极之间，其中，势垒层上设置有沿栅宽方向间隔排列的由离子注入形成的若干纳米线结构，若干纳米线结构与未注入区域具有不同的栅控能力以形成不同的阈值电压；栅电极，位于势垒层上且位于若干纳米线结构上。本实施例通过离子注入形成沿栅宽方向间隔排列的纳米线结构，可以形成不同的阈值电压，因此按照特定的结构参数将器件并联，能够实现器件多阈值耦合，使器件沿栅宽方向逐步开启，进而改善器件的线性度。
一种基于平面纳米沟道线性 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种篦栅挖掘斗轮收获块茎作物机构-CN201510821807.6在审
发明人：黄世明;冯天玉 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： A01D17/16 文献下载
摘要：本发明属于农业机械领域，特涉及一种篦栅挖掘斗轮收获块茎作物机构。本发明在一个斗轮沿圆周方向均匀装有三个以上篦栅挖掘斗，篦栅挖掘斗宽与斗轮宽相同，弱大于作物种植垄的宽度，篦栅挖掘斗底与斗轮壳体贯通，篦栅间距小于块茎平均外形尺寸，篦栅齿之间嵌有压条。
一种挖掘收获块茎作物机构

[发明专利]一种氮化物HEMT射频器件及其制作方法-CN202011638994.1有效
发明人：刘胜厚;蔡文必;孙希国 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物HEMT射频器件及其制作方法，所述器件包含从下至上层叠设置的衬底、沟道层、势垒层；于有源区处的源极与漏极之间栅极区域处的势垒层在沿着栅宽方向设置若干个子凹槽，若干个子凹槽中至少两个或两个以上的子凹槽的凹槽深度不同；所述栅极设置在栅极区域的势垒层上及子凹槽上；沿着栅宽方向若干个子凹槽的凹槽深度不规则排列。本发明器件及制作方法，通过半导体加工技术，在栅极区域下方实现沿栅宽方向连续排列的不同深度的子凹槽，凹槽深度沿栅宽方向任意排列，保证总体器件在开态漏极电流均匀分布的同时，实现器件跨导的平整性，使器件在射频工作时随着输入功率的增加
一种氮化物 hemt 射频器件及其制作方法

[发明专利]阵列基板和显示设备-CN202080002904.1在审
发明人：杨慧娟;姜晓峰;尚庭华;周洋;张毅;杨路路;白露 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：阵列基板包括沿第一方向延伸的栅线。所述栅线包括分别沿所述第一方向布置的多个宽部和多个窄部，沿第二方向、所述多个宽部的第一尺寸大于所述多个窄部的第二尺寸，所述第二方向相对于所述第一方向成80度至100度范围内的角度。所述多个宽部中在相应子像素中的的相应宽部在所述基底基板上的正投影与在相应子像素中的所述半导体材料层的一部分在所述基底基板上的正投影重叠，从而在所述相应子像素中形成所述数据写入晶体管的有源层。
阵列显示设备

[发明专利]像素阵列及其制备方法、显示面板、显示装置-CN201810716653.8在审
发明人：苏同上;王东方;成军;刘军;王庆贺;李广耀;闫梁臣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的像素阵列包括交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线，以及栅线和数据线交叉位置处限定出的像素单元；每个像素单元均包括薄膜晶体管，位于同一行的像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比，沿栅线的扫描方向依次增大；和/或，位于同一列的像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比，沿数据线的数据写入方向依次增大。
像素单元薄膜晶体管像素阵列显示面板显示装置依次增大宽长比数据线源层栅线制备数据写入方向数据线交叉绝缘设置扫描方向同一列位置处条栅

[实用新型]太阳能电池-CN201520252885.4有效
发明人：苏亚立;苏彬;吴卫平;冯宏泽;盛峰;曾德栋;赵丽花 -专利权人：海南英利新能源有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池，包括电池片和设置在电池片上的电极栅线，电极栅线包括连接电池片的副栅线以及连接副栅线的主栅线，沿主栅线的长边上形成有交替排列的凹槽。本实用新型的技术方案可以有效地解决现有技术中太阳能电池因宽条型主栅线过宽而造成的消耗银浆的问题。
太阳能电池

[实用新型]宽沿帽雨披-CN201120254438.4有效
发明人：李平 -专利权人：李平
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： A41D3/04 文献下载
摘要：一种宽沿帽雨披，涉及一种雨具。宽沿帽雨披由宽沿帽和透明塑料雨罩组成；宽沿帽为有圆环形帽沿的帽子，帽子为凸起中空的半圆球形，直径不小于20cm，其圆环形帽沿的外圆直径不小于50cm；塑料雨罩为圆台体状，上圆台如宽沿帽状，下圆台的圆直径不小于75cm；下圆台为敞口；宽沿帽雨披的长度，即圆台体的高不小于150cm。宽沿帽雨披罩住了使用者的脸部，脸部不会被淋到雨水，可保持干爽，戴框架眼镜者更可以保持舒适状态；塑料雨罩是透明的，可保持正常的视觉效果和视野范围；雨披遮住了身体的大部或全部，可有效防止雨水溅湿衣服；宽沿帽还可以单独遮阳或遮雨使用
宽沿帽雨披

[发明专利]一种用于栅控器件栅驱动的电平位移电路-CN201710880016.X有效
发明人：李泽宏;曾潇;吴玉舟;万佳利 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种用于栅控器件栅驱动的电平位移电路，属于电力电子技术领域。双脉冲发生器将脉宽调制信号PWM_H的上升沿和下降沿取出并产生对应的窄脉冲信号，两路窄脉冲信号分别通过脉冲整形器后控制开关管回路中的两个场效应管，由于两路窄脉冲信号的脉宽不足以让两个场效应管完全开通，所以产生的波形为锯齿波；两个场效应管的漏极分别接迟滞可调的施密特触发器，将窄脉冲信号还原为相对于浮地端VS的脉宽调制信号PWM_HS的上升沿和下降沿脉冲信号，随后经过RS锁存器后将信号还原为电平位移后的脉宽调整信号PWM_HS本发明提出的电平位移电路为栅控器件的栅驱动提供了新型的电平位移方式和方法，有效地满足了高速，高压以及低功耗和可集成等需求。
一种用于器件驱动电平位移电路

[实用新型]一种太阳能电池片及光伏组件-CN202020799209.X有效
发明人：徐义胜;曾鑫林;单伟;何胜;徐伟智;黄海燕 -专利权人：海宁正泰新能源科技有限公司;浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池片，包括正面主栅线及正面副栅线；所述正面主栅线沿预设方向贯通所述太阳能电池片的正面；所述正面副栅线为环形副栅线；多个所述正面副栅线在所述太阳能电池片正面呈同心圆状排列，所述正面副栅线的圆心与所述太阳能电池片的中心重合；从靠近所述太阳能电池片的中心的所述正面副栅线至远离所述太阳能电池片的中心的所述正面副栅线，所述正面副栅线的环宽逐渐减少。所述正面副栅线印刷部位宽度会直接影响电池片接触性能，本实用新型通过将所述正面副栅线设置成同心圆状，调控各个位置的正面副栅线的环宽，提升所述太阳能电池片的转换效率。
一种太阳能电池组件

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