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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置和电子装置-CN200510073909.0有效
发明人：桑原秀明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-05-23 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种在半导体集成电路中形成进一步微小的栅电极的技术。根据本发明，当抗蚀剂掩膜缩减时，刻蚀导电膜以使具有梯形剖面的栅导线具有能够和上层导线电连接的宽度，和使从栅导线处分叉的栅电极的剖面具有仅包含三个内角的形状，该形状典型的为三角形；这样，可以实现1um或更小的栅宽
半导体装置电子

[发明专利]三维槽栅金属半导体场效应晶体管-CN200710048732.8无效
发明人：张波;张金平;邓小川;陈壮梁;叶毅;罗小蓉;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提出一种三维槽栅金属半导体场效应晶体管结构，即在源漏区之间有源层中开出一个或多个沟槽，栅电极连续地覆盖于沟槽中。沟槽形状可根据实际需要改变，可以是方形、V形、梯形以及阶梯形等结构。与传统MESFET结构相比，三维槽栅MESFET结构由于栅凹槽的存在，使其在相同器件表面积的情况下大大地增加了栅宽，因此增大了器件的饱和电流和击穿电压，从而显著提高了器件的功率密度。
三维金属半导体场效应晶体管

[发明专利]一种基于氧化物半导体沟道的鞍鳍形晶体管及其制备方法-CN202310411271.5在审
发明人：李调阳;陈鹏;王昊哲 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种基于氧化物半导体沟道的鞍鳍形晶体管及其制备方法，晶体管包括微纳加工工艺制备出的绝缘衬垫，以及在绝缘衬垫上依次生长成型的沟道层、栅介质层及栅电极层；所述沟道层包括绝缘衬垫上的平面沟道层和立于平面沟道层上的鳍形沟道层；鳍形沟道层设有横向的鞍形凹槽结构，使沟道层呈鞍鳍形结构；沟道层表面的栅介质层处覆有栅电极层，栅电极层包括沟道层旁的侧栅电极层和凹槽结构槽内的凹槽栅电极层；所述沟道层、栅介质层、侧栅电极层、凹槽栅电极层组合为三栅结构；在鞍鳍形结构的方向上，三栅结构的前方、后方分别设置源电极层（9）、漏电极层（10）；本发明具有增强栅控能力和增大有效沟长和沟宽的优势。
一种基于氧化物半导体沟道鞍鳍形晶体管及其制备方法

[发明专利]硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管乙类推挽功率放大器-CN201510379387.0有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管乙类推挽功率放大器包括三个悬臂梁栅NMOS管，一个悬臂梁栅PMOS管，恒流源和LC回路构成。三个悬臂梁栅NMOS区别仅在于它们的悬臂梁栅的形状不同，第一悬臂梁栅NMOS管(1)的悬臂梁栅为宽梁，第二悬臂梁栅NMOS管(15)，第三悬臂梁栅NMOS管(16)的悬臂梁栅为窄梁。该功率放大器的悬臂梁栅MOS管是制作在Si衬底上，其栅极是依靠锚区的支撑悬浮在栅氧化层上方的，形成悬臂梁结构。该交叉耦合的悬臂梁栅MOS管能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。
硅基低漏电悬臂梁 mos 乙类功率放大器

[发明专利]太阳能电池片的电极结构-CN201210525026.9有效
发明人：威灵顿·皮埃尔J;盛健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池片的电极结构，包括背电极（4）和正面栅电极，背电极（4）分布于太阳能电池片的背面，正面栅电极分布于太阳能电池片的正面，正面栅电极包括相互平行的主栅线（1）和多根与主栅线（1）相垂直的副栅线（3），主栅线（1）有四根，其中两根布置在两侧，另外两根布置在中间，且中间两根主栅线（1）之间的间隔（2）宽为0.2mm~2mm。
太阳能电池电极结构

[实用新型]一种易焊太阳能电池片-CN201520446637.3有效
发明人：黄勤健;隆霹显;陈志运;王世贤;张华;梅超;杜教峰 -专利权人：张家港国龙光伏科技有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种易焊太阳能电池片，包括电池片本体、纵向设置在所述电池片本体上的主栅线、横向设置在所述电池片本体上的副栅线，所述主栅线与所述副栅线电连接，所述主栅线上间隔分布有孔带，所述孔带有多个镂空孔排列而成本实用新型中镂空孔使得印刷出来的主栅线表面形成规则的凹凸形貌，可以有效增加焊带与主栅线的接触面积，增加主栅线的焊接拉力。并利用镂空孔的凹陷面，焊接时焊带上熔化的金属锡在填充过程中，随着图形由宽变窄形成挤压效果，强化接触作用力，并降低正银浆料的消耗的印刷图形。
一种太阳能电池

[实用新型]一种用于拦截水工设施中悬漂浮物的清捞装置-CN201820517986.3有效
发明人：蒋富海;曹辉;刘广立;陆礼显;崔丹红;董德风;安鹏 -专利权人：中持水务股份有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： E02B15/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于拦截水工设施中悬漂浮物的清捞装置，所述清捞装置包括：用于布置在渠道中的与所述渠道相切的栅网主体、分别竖直布置在所述单体栅网两侧的第一支撑柱和第二支撑柱、用于使得所述单体栅网升降的起吊机所述栅网主体包括一个单体栅网；所述第一支撑柱设置有用于引导所述单体栅网上下移动的导向装置。本实用新型中的清捞装置为满足不同渠宽、渠深的安装及作业要求，可以通过数个单体栅网拼接成结合体，从而增加栅网主体的有效拦截宽度与深度，与安装的渠道相匹配。
栅网支撑柱本实用新型水工设施拦截漂浮物渠道导向装置竖直布置作业要求结合体起吊机下移相切拼接匹配升降

[实用新型]太阳能电池片的电极结构-CN201220673238.7有效
发明人：威灵顿·皮埃尔J;盛健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池片的电极结构，包括背电极（4）和正面栅电极，背电极（4）分布于太阳能电池片的背面，正面栅电极分布于太阳能电池片的正面，正面栅电极包括相互平行的主栅线（1）和多根与主栅线（1）相垂直的副栅线（3），主栅线（1）有四根，其中两根布置在两侧，另外两根布置在中间，且中间两根主栅线（1）之间的间隔（2）宽为0.2mm~2mm。
太阳能电池电极结构

[实用新型]一种电池壳和蓄电池-CN201220442607.1有效
发明人：彭小勐;张祥 -专利权人：安徽理士电池技术有限公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01M2/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种电池壳和一种蓄电池，电池壳包括壳体，所述壳体包括至少一个用于支撑电池板栅的鞍底，所述鞍底凸起设于壳体底部内侧，所述鞍底的宽度大于对应电池板栅上一个栅格的宽度。蓄电池包括电池板栅和上述电池壳。本申请将电池壳鞍底的宽度设置成较电池板栅上一个栅格宽，使得电池板栅放置于鞍底上时，增加了电池板栅与鞍底的接触面，减少单个栅格上的受力，进而使得电池板栅底部不易发生变形，避免附着在电池板栅上面的活性物质脱落致使电池短路
一种电池蓄电池

[实用新型]一种高光电转换效率的太阳能电池片-CN201220426392.4有效
发明人：姚琪俊;施仁荣;陈荣华;沈浩 -专利权人：恒基光伏电力科技股份有限公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高光电转换效率的太阳能电池片，本实用新型包括基板（1），基板（1）的上表面设有减反射膜（2），减反射膜（2）上方设有两根纵向的主电极（3）和多根横向的栅电极（4）；基板（1）的背面设有镀铝背膜（5），镀铝背膜（5）上设置有背电极（6）；所述的主电极（3）宽1.4-1.8mm，两根主电极（3）相距60-65mm；所述的栅电极（2）宽0.08-0.09mm，且相邻的两根栅电极（2）相距2.2-2.3mm
一种光电转换效率太阳能电池

[实用新型]0.8-2GHz宽带低噪声放大器-CN202021255776.5有效
发明人：晏卫卫;刘家兵 -专利权人：合肥芯谷微电子有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，尤其为一种0.8‑2GHz宽带低噪声放大器，由两级放大器构成，器件采用单电源供电，第一级三极管漏极通过隔直电容、匹配电路与第二级三极管栅极相连；第一级栅漏极加入RLC负反馈；第二级三极管栅宽为第一级三极管栅宽的两倍。
0.8 ghz 宽带低噪声放大器

[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及显示装置-CN201910820766.7有效
发明人：傅炯樑;简守甫;孙丽娜;秦丹丹;秦锋 -专利权人：上海中航光电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，各子像素包括沿第二方向排列的两个亚子像素，与各子像素对应的开关晶体管位于两个亚子像素之间，且与两个亚子像素和均连接；且以沿第一方向每相邻的两列子像素为一单元组，任意相邻两个单元组沿第二方向错位N个亚子像素；这样对于整个阵列基板来说，在每一单元组中，开关晶体管以两个为一组沿第二方向均匀分布。这样对于黑矩阵来说，最宽处需要覆盖一个开关晶体管，因此相对现有技术可以有效改善麻点感。并且，与各开关晶体管对应连接的栅线位于各子像素中的两个亚子像素之间，这样，一个子像素中，由于工艺对位造成的像素电极与栅线之间的电容差异可以利用两个亚子像素进行自补偿。
阵列液晶显示面板显示装置

[发明专利]具有较小版图面积的环栅场效应晶体管及其制备方法-CN201410490291.7在审
发明人：黄如;武唯康;安霞;刘静静;陈叶华;张曜;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有较小版图面积的环栅场效应晶体管，包括：衬底(1)；在衬底上的浅槽隔离区STI(5)；在衬底上且被STI区包围的源区(2)；被源区包围的栅介质(7)；覆盖在栅介质上的栅电极材料(4)；以及被栅包围在中心的漏区(3)；其中，所述的栅介质(7)具有折叠、嵌套或并列这三种结构之一或之二或之三的任意组合，使得栅介质(7)在较小的有源区面积下具有较大的栅宽，其中有源区面积包括源区、漏区和沟道区。本发明在保证场效应晶体管具有抗辐照的环栅结构特点的同时，对器件的栅进行了弯曲折叠、嵌套或并列排布，大大缩小了器件的版图面积，减小了源漏区寄生电容。
具有较小版图面积场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种毫米波FET的建模方法-CN201610312615.7有效
发明人：陈勇波 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种毫米波FET的建模方法，包括步骤：将毫米波FET划分为无源结构区的输入电极和输出电极，以及有源结构区的栅源漏电极；将有源结构区沿栅宽方向等分为若干一级子单元；计算多端口网络的输入电极S参数、输出电极S参数以及若干一级子单元S参数；将一级子单元等分为与栅指数目相等份数的二级子单元，计算二级子单元的本征参数；基于多端口网络的输入电极S参数、输出电极S参数、若干一级子单元S参数以及二级子单元的本征参数
一种毫米波 fet 建模方法

[发明专利]屏蔽栅功率器件及其制造方法-CN201610284903.6有效
发明人：肖胜安;李东升;曾大杰 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，导通区原胞的栅极结构包括：形成于沟槽中的屏蔽电极和沟槽栅电极，屏蔽电极和沟槽的底部表面和侧面之间的屏蔽介质膜的厚度在从沟槽的顶部到底部纵向上逐渐增加；在沿沟槽的宽度方向的剖面上，屏蔽电极的顶部呈上凸的弧形，在弧形底部呈顶角在底部的三角形结构或者呈下窄上宽的梯形结构；在器件反向偏置时，屏蔽电极对漂移区进行横向耗尽，从沟槽的顶部到底部方向上，屏蔽介质膜的厚度呈逐渐增加的结构使漂移区的电场强度分布的均匀性增加本发明还公开了一种屏蔽栅功率器件的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压，降低器件的比导通电阻，改善器件的性能，能提高器件的可靠性。
屏蔽功率器件及其制造方法

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