“沿栅宽”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1934180个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种无断栅可任意连接的太阳电池-CN201710502609.2有效
发明人：高艳杰;杨青林;张雷;郭士飞;王振;何广川;张志强;刘彩凤 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源（中国）有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种无断栅可任意连接的太阳电池，属于太阳能电池技术领域。包括栅线和电极，栅线包括细栅线和宽栅线，细栅线为蜂巢式网格栅线且均匀分布在硅片正面；电极设置在硅片边缘，由多边形电极和宽栅线组成，宽栅线与多边形电极的外角连接，且呈放射状分布。本发明结构简单，设计合理，外观美观，避免断栅造成的影响、减小电池的遮挡面积，提高电池效率，提高产品的美观度，同时方便电池焊接、封装，减少汇流带，增加光伏组件的单位面积发电效率，降低制造成本和检测成本。
一种无断栅可任意连接太阳电池

[实用新型]一种无断栅可任意连接的太阳电池-CN201720758094.8有效
发明人：高艳杰;杨青林;张雷;郭士飞;王振;何广川;张志强;刘彩凤 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无断栅可任意连接的太阳电池，属于太阳能电池技术领域。包括栅线和电极，栅线包括细栅线和宽栅线，细栅线为蜂巢式网格栅线且均匀分布在硅片正面；电极设置在硅片边缘，由多边形电极和宽栅线组成，宽栅线与多边形电极的外角连接，且呈放射状分布。本实用新型结构简单，设计合理，外观美观，避免断栅造成的影响、减小电池的遮挡面积，提高电池效率，提高产品的美观度，同时方便电池焊接、封装，减少汇流带，增加光伏组件的单位面积发电效率，降低制造成本和检测成本
一种无断栅可任意连接太阳电池

[实用新型]金属栅条加载的渐变槽线天线-CN200820160554.8无效
发明人：章文勋;章朋 -专利权人：东南大学
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：金属栅条加载的渐变槽线天线是一种结构简单、成本低廉、易于批量制造，工作频带较宽、增益增强型天线。它是在常规渐变槽线天线的宽槽区蚀刻3～7根无源金属条带，通过金属栅条对传输能量的引向作用，引导大部分能量沿主向辐射，进而提高天线增益、改善原天线性能。
金属加载渐变天线

[发明专利]后栅工艺中假栅的制造方法-CN201110433706.3有效
发明人：杨涛;赵超;李俊峰;赵玉印;卢一泓 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种后栅工艺中假栅的制造方法，包括以下步骤在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层，其中硬掩模材料层包括PSG的第一掩模层以及TEOS氧化硅的第二掩模层；采用干法和DHF湿法分别刻蚀硬掩模材料层，形成上宽下窄的硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，干法刻蚀假栅材料层，形成上宽下窄的假栅。依照本发明的假栅制造方法，将之前垂直的假栅制作成上宽下窄的正梯形假栅；在假栅被移除后，可形成正梯形沟槽；从而大大有利于后续高K或是金属栅材料的填充，扩大填充工艺窗口，从而提高了器件的可靠性。
工艺中假栅制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510114051.8有效
发明人：野村浩;斋木孝志;迫田恒久 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-10-19 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在半导体衬底上限定四个区域，即窄NMOS区域、宽NMOS区域、宽PMOS区域以及窄PMOS区域。然后，在该半导体衬底上顺序地形成栅极绝缘膜和多晶硅膜之后，将n型杂质引入该宽NMOS区域内的该多晶硅膜中。接着，通过图案化该多晶硅膜，在所述四个区域中形成栅电极。然后，将n型杂质引入该窄NMOS区域以及该宽NMOS区域内的该栅电极中。因此，使得该窄NMOS区域内的该栅电极的杂质浓度低于该宽NMOS区域内的该栅电极的杂质浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种提高SOI工艺二极管模型适用性的方法及系统-CN201910249574.5有效
发明人：张昊;范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高SOI工艺二极管模型适用性的方法及系统，所述方法包括如下步骤：步骤S0，在至少三个不同栅宽Lgate下，测量各二极管CV曲线得到电容C和偏置电压V的数据，根据二极管电容公式计算得到各栅宽Lgate时的Cjswg、pbswg和mjswg参数值；步骤S1，对所得参数值进行拟合得到各电容‑电压参数与栅宽Lgate的关系；步骤S2，在现有模型中增加栅宽Lgate变量，将固定寄生电容‑电压参数更改为步骤S1得到的与栅宽Lgate相关的参数，通过本发明，可提高SOI工艺中二极管模型的适用性。
一种提高 soi 工艺二极管模型适用性方法系统

[发明专利]一种高功率射频开关及射频通信装置-CN202310351319.8在审
发明人：王鑫;王绍权;江浩;王磊;王梦坦;周彪;宋学峰;徐永祥;张凯娟;庞龙;李增路 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H04B1/525 文献下载
摘要：接收支路，包括多个串联的晶体管，其中，靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。本发明能够将接收支路各晶体管的栅宽设置为靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。增大靠近发射端口、天线端口的顶部晶体管的栅宽，减小关断阻抗，减小顶部晶体管分压时的源漏电势差。减小远离发射端口、天线端口的底部晶体管的栅宽，增大关断阻抗，增加底部晶体管分压时的源漏电势差。
一种功率射频开关通信装置

[发明专利]使用无源金属栅条加载的渐变槽线天线-CN200810156536.7有效
发明人：章文勋;章朋 -专利权人：东南大学
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：使用无源金属栅条加载的渐变槽线天线是一种结构简单、成本低廉、易于批量制造，工作频带较宽、增益增强型天线。它是在常规渐变槽线天线的宽槽区蚀刻3～7根无源金属条带，通过金属栅条对传输能量的引向作用，引导大部分能量沿主向辐射，进而提高天线增益、改善原天线性能。
使用无源金属加载渐变天线

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210115399.2有效
发明人：田宇 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底以及位于衬底上的功能层，在功能层第一表面设置有源极、漏极和栅极；栅极包括栅极焊盘、栅条和多个栅指，栅条与栅极焊盘连接且在第一表面内朝向远离栅极焊盘的方向延伸，多个栅指分别与栅条连接，且每个栅指均在第一表面内朝向远离栅条方向延伸，多个栅指的延伸长度沿远离栅极焊盘的方向逐渐减小，能够通过改变单指栅宽的长度来实现多个栅指之间的电位平衡，提高漏极效率，降低发热量，同时，使得传输到各个栅指最远端的信号电位减小差异，基本保持一致，从而降低不同栅指在离栅极焊盘最远端的电位延迟。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]双面PERC电池的背面栅线结构、双面PERC电池及其制备方法-CN201711362873.7在审
发明人：谢湘洲;赵增超;赵保星 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面PERC电池的背面栅线结构、双面PERC电池及其制备方法，该背面栅线结构包括若干条铝栅线和若干条背电极主栅，铝栅线与背电极主栅垂直连接，铝栅线的下方设有若干段相互间隔的激光线；铝栅线由若干段宽铝栅线和若干段窄铝栅线交替连接而成，宽铝栅线的数量与激光线的数量相同，宽铝栅线用于覆盖激光线实现铝与硅的局部欧姆接触并导出硅片内部的电子，窄铝栅线用于收集硅片内部导出的电子并传输到背电极主栅上。本发明的背面栅线结构具有结构简单、设计成本低等优点。包含该背面栅线结构的电池具有背面光电转化效率高、输出功率高、翘曲度小、隐裂风险小等优点，其制备方法具有简单、成本低、可适用于大规模量产等优点。
双面 perc 电池背面结构及其制备方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法-CN201410392773.9有效
发明人：洪培真;殷华湘;朱慧珑;刘青;李俊峰;赵超;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的假栅的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍及隔离层；覆盖鳍及隔离层以形成掩盖层；沿与鳍垂直的方向进行掩盖层的刻蚀，直至暴露隔离层，以形成开口；进行填充，以在开口中形成假栅本发明通过刻蚀形成用于形成假栅的开口，这样会形成倒梯形的开口，进而使得假栅具有倒梯形的形状，即假栅的上部宽、下部窄，这会利于后续工艺中替代栅极尤其是金属栅极的填充，同时不会损伤鳍以及衬底，具有良好的器件性能
假栅隔离层掩盖层开口衬底鳍式场效应晶体管倒梯形刻蚀填充后续工艺金属栅极器件性能垂直的去除制造损伤暴露替代覆盖

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110977444.0在审
发明人：杨鹏飞;李俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底和鳍式结构；进行一次或多次的深宽比调整处理，在露出的鳍式结构的顶部和侧壁上形成第一伪栅层，位于鳍式结构相对侧壁上的第一伪栅层围成V型沟槽；深宽比调整处理包括：在露出的鳍式结构的顶部和侧壁上形成伪栅膜，位于鳍式结构相对侧壁上的伪栅膜之间具有间隙；对伪栅膜进行氧化处理，适于将部分厚度的伪栅膜转化为氧化层；去除氧化层；在第一伪栅层上形成填充V型沟槽的第二伪栅层，第二伪栅层与第一伪栅层构成伪栅结构，伪栅结构横跨鳍式结构。本发明实施例通过改变调整伪栅膜深宽比的方法，提高了伪栅结构在相邻鳍式结构之间的填充性能、以及伪栅结构的成膜质量。
半导体结构形成方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管、制作方法及沟槽栅结构制作方法-CN201010251554.0有效
发明人：肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-08-12 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种绝缘栅双极晶体管，具有宽的沟槽栅结构，所述沟槽栅由第一导电栅极层和第二导电栅极层形成，第二导电栅极层在沟槽中由介质隔开。本发明还公开了一种宽的沟槽栅结构和具有宽的沟槽栅结构的绝缘栅双极晶体管的制作方法，在沟槽中完成栅氧化膜和第一导电栅极层淀积后，在沟槽中进行介质膜淀积和图形化，然后，淀积第二导电栅极层，利用回刻或化学机械研磨技术得到一个宽度大于
绝缘双极晶体管制作方法沟槽结构

[实用新型]一种防止蜂王逃跑的巢门栅片-CN201120495012.8有效
发明人：张留生 -专利权人：张留生
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： A01K47/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种防止蜂王逃跑的巢门栅片是由一块宽长方形片和另一块窄长方形片组成。其特征在于：一块宽长方形片(1)上设计有数条工蜂栅缝(3)同时还有数条宽栅缝(4)和另一块窄长方形片(2)上也设计有数条工蜂栅缝(3)，二块长方形片采用转动(5)连接，二块长方形片合拢时平面上都是工蜂能进出的栅缝，实现了防止蜂王逃跑的效果，展开后达到了处女蜂王和雄蜂与工蜂都能通过宽栅缝进出的目的。本实用新型解决了因竹制品变形而引起的逃王和经常要拆装栅片的麻烦。
一种防止蜂王逃跑巢门栅片

[实用新型]电池片-CN201821352440.3有效
发明人：王建波;朱琛;吕俊 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：所述电池片包括主栅线和多个副栅线；每个所述副栅线包括在所述主栅线处相互断开的栅线段；在所述主栅线的表面上相邻的栅线段之间形成断开区；所述栅线段包括主体段、以及由所述主体段朝向所述断开区方向延伸形成的扩宽段，所述扩宽段的尾部叠于所述主栅线上。
主栅线光伏组件电池片栅线段断开副栅线主体段扩宽电池片串方向延伸返修率光伏焊层隐裂