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[发明专利]一种简单控制相变制备β‑氮化硅晶须的方法-CN201710288849.7在审
发明人：熊浩;奚修安;于俊杰;郭伟明;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备β‑氮化硅晶须的方法，由α相的氮化硅粉体在气氛炉中充入氮气高温下通过控制氮化硅相变(α→β)烧结制备β‑氮化硅晶须。原始的α相氮化硅粉体在烧结炉的氮气气氛中升温至1500℃‑1800℃，保温0.5‑5h,可制备出一种长约10‑20微米、长径比大于15的高纯β‑氮化硅晶须。该发明的关键技术在于烧结过程中通过控制高温阶段α相氮化硅粉的相变速率制备高纯β‑氮化硅晶须。本发明方法制备的β‑氮化硅晶须具有转化率高、产物纯度高、制备设备简单、可批量生产的优势。
一种简单控制相变制备氮化硅晶须方法

[发明专利]一种PERC电池背钝化结构及制备方法-CN201910553483.0在审
发明人：赵洪俊;宛正 -专利权人：阜宁苏民绿色能源科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：包括依次层叠的晶硅衬底、氧化铝层和复合氮化硅层；所述晶硅衬底为单晶或多晶硅片，为p型晶体硅片，厚度为180～200μm；所述氧化铝层为PECVD法沉积；所述复合氮化硅层包括第一氮化硅层、第二氮化硅层和第三氮化硅层；所述第一氮化硅层的厚度不大于第二氮化硅层的厚度，所述第二氮化硅层的厚度不大于第三氮化硅层的厚度。
氮化硅层背钝化结构氧化铝层电池衬底晶硅制备复合短路电流多晶硅片开路电压依次层叠转换效率沉积单晶硅片

[发明专利]提高氮化硅耐腐蚀性的方法和半导体器件的制备方法-CN201710534160.8有效
发明人：代丹;夏长奉;周国平 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高氮化硅耐腐蚀性的方法和半导体器件的制备方法。提高氮化硅耐腐蚀性的方法包括：提供半导体基板；在所述半导体基板上采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅层；所述氮化硅层是以氨气和硅烷为反应物沉积而成，所述硅烷与氨气的气体流量比值范围为3～6；对所述氮化硅层进行退火处理；对所述氮化硅层进行湿法刻蚀并腐蚀部分所述基板。通过上述方法，氮化硅的耐腐蚀性增强、氮化硅层与之相邻的膜层(多晶硅层或氧化层)的粘附性增强、同时也减小了氮化硅层在湿法刻蚀等工艺后界面的横向钻蚀尺寸。
提高氮化腐蚀性方法半导体器件制备

[发明专利]一种环路热管用多孔氮化硅毛细芯-CN201610587111.6有效
发明人：曾宇平;罗世魁;左开慧;李春林;夏咏锋;姚冬旭;杨涛;尹金伟;高腾;梁汉琴;赵石磊;宋欣阳;张煚;吕宠 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;北京空间机电研究所
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： F28D15/04 文献下载
摘要：一种环路热管用多孔氮化硅毛细芯，由包括氮化硅粉末、烧结助剂以及造孔剂的原料烧制而成，其中氮化硅含量不少于90％wt。氮化硅粉末的平均粒径介于0.1～10μm之间，α相氮化硅占比大于90％。多孔氮化硅毛细芯所含微孔互相连通，微孔孔径介于0.5μm～5μm之间，开孔孔隙率大于50％。本发明提供的多孔氮化硅毛细芯由氮化硅粉末烧结而成，具有良好的化学稳定性，耐酸碱腐蚀，可以有效抑制环路热管内部工质的分解，提高了环路热管的寿命。同时本发明多孔氮化硅毛细芯脆性高，机械加工性能好，在外壁精加工时，不会使表面微孔闭合，保证了较高的毛细芯开孔孔隙率。
一种环路管用多孔氮化硅毛细芯

[发明专利]一种氮化硅材料的表面改性方法和生物陶瓷材料-CN202010165813.1有效
发明人：袁莉娟;左飞;罗锐鑫;何福坡;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C04B41/91 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅陶瓷技术领域，尤其涉及一种氮化硅材料的表面改性方法和生物陶瓷材料。本发明公开了一种氮化硅材料的表面改性方法，包括以下步骤：将氮化硅陶瓷置于碱性溶液中反应。本发明通过使用碱性溶剂对氮化硅陶瓷的表面进行腐蚀，除去氮化硅表面的氧化层和晶界，使其表面具有微纳结构，且未破坏氮化硅的稳定性。该表面改性方法提高了氮化硅陶瓷材料表面的生物活性，从而无需使用涂层对其表面进行处理。该氮化硅材料可以作为生物材料，用于细胞的培养，可以优化和改善细胞的黏附、增殖和分化的能力。
一种氮化材料表面改性方法生物陶瓷材料

[发明专利]一种液冷的IGBT变流装置和制造方法-CN201210202755.0无效
发明人：庄伟东 -专利权人：南京银茂微电子制造有限公司
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种液冷的IGBT变流装置和制造方法，一种液冷的IGBT变流装置包括氮化硅陶瓷基板、芯片和绝缘支架，所述氮化硅陶瓷基板包括第二铜层、氮化硅陶瓷板和第一铜层，所述第一铜层焊接在氮化硅陶瓷板的正面，所述第二铜层焊接在氮化硅陶瓷板的背面；在绝缘支架上端设有控制和驱动板，氮化硅陶瓷基板、绝缘支架和控制和驱动板共同形成密封腔；所述氮化硅陶瓷基板背面设有散热器。本发明直接以氮化硅陶瓷板作为基板，氮化硅陶瓷基板允许更厚的铜层，进而大幅度提高IGBT变流装置的电流输出能力。
一种 igbt 装置制造方法

[发明专利]可减小外围区域中临界尺度的半导体装置的制造方法-CN200510076928.9无效
发明人：李京远;南基元 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：该方法包括下列步骤：在包含单元区域及外围区域的基板上形成氮化硅层；在该氮化硅层上形成氧氮化硅层；在该氧氮化硅层上形成线型光阻图案使得该单元区域中的光阻图案具有大于最终图案结构宽度的宽度且外围区域中的光阻图案具有可抑制图案坍塌发生的宽度；蚀刻该氧氮化硅层及该氮化硅层，藉由抑制聚合物产生直至剩余氧氮化硅层及剩余氮化硅层的宽度小于用作蚀刻掩模的光阻图案宽度；及过度蚀刻剩余氮化硅层。
减小外围区域临界尺度半导体装置制造方法

[发明专利]一种STI结构CMP方法以及STI结构制作方法-CN201110250266.8有效
发明人：方精训;邓镭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氧化硅/氮化硅双内壁保护层的STI-CMP方法、以及采用所述方法制作STI结构的方法，使用具有较高的氧化硅对氮化硅的研磨速率比的研磨液研磨去除沟槽二氧化硅填充层并且停在氮化硅保护层上，接着用具有较高的氮化硅对氧化硅研磨速率比的研磨液研磨氮化硅保护层，在完全去除氮化硅保护层之后，再使用原来的具有较高的氧化硅对氮化硅的研磨速率比的研磨液研磨二氧化硅保护层，最终停留在氮化硅阻挡层之上。从而避免了传统STI制作方法中额外的去除氮化硅保护层和二氧化硅保护层的湿法刻蚀步骤，降低了工艺复杂度，并有利于提高晶圆表面的平坦度。
一种 sti 结构 cmp 方法以及制作方法

[发明专利]一种氮化硅涂层的制作方法-CN201810872092.0在审
发明人：周慧敏;冷金标;龙昭钦 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化硅涂层的制作方法，包括将微米级的氮化硅颗粒和纳米级的氮化硅颗粒混合在纯水中，加入表面活性剂和硅溶胶，形成混合物；将所述混合物搅拌均匀；将搅拌均匀之后的所述混合物喷涂在待制作涂层物体的表面；对所述混合物加热去除其中的水分，形成氮化硅涂层。上述方法制作的氮化硅涂层，其内部的纳米级的氮化硅颗粒与微米级的氮化硅颗粒相互配合从而颗粒间缝隙更小，使制作的氮化硅涂层致密度得到提高，可见这就避免了现有技术中只用微米级的氮化硅颗粒制作氮化硅涂层带来的致密度不高的问题，能够避免铸锭过程中杂质从坩埚透过氮化硅涂层中的间隙扩散进硅料中，避免粘埚现象的发生，提高产品品质，降低生产成本。
氮化硅涂层氮化硅颗粒制作混合物微米级纳米级表面活性剂混合物搅拌产品品质间隙扩散涂层物体铸锭过程硅溶胶硅料喷涂水中坩埚加热去除申请配合

[发明专利]一种氮化硅密封环的制备方法-CN201610955910.4有效
发明人：汪彩芬;徐俊;杨少青;白彬;王小英;岳映雷;朱彩强;苏尧 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅密封环的制备方法，包括：(1)准备原料：氮化硅粉、氧化镁、氧化铝、氧化钇；(2)将原料加入到无水乙醇中，混匀，得到氮化硅复合粉料浆；(3)对氮化硅复合粉料浆进行真空干燥，然后过80目筛，得到干燥粉；(4)将胶加入至干燥粉中混合，然后过60目筛，得到氮化硅造粒粉；(5)将氮化硅造粒粉模压成型制得氮化硅环坯体；(6)将氮化硅环坯体装入石墨坩埚，并埋入混合粉，然后于氮气气氛、1680～1740℃条件下保温1～3小时烧结，制得氮化硅密封环。本发明制得的氮化硅密封环相对密度≥98％，强度>650MPa，硬度(HRA)为90～92，断裂韧性为4～6MPa·m^1/2，很好地满足了氮化硅材料在密封环市场上的应用。
一种氮化密封制备方法

[发明专利]一种玻璃焊料及其制备方法和应用-CN201910379938.1有效
发明人：张杰;孙良博;刘春凤;方健 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C03C8/24 文献下载
摘要：本发明是要解决现有的玻璃焊料在连接多孔氮化硅陶瓷与致密氮化硅陶瓷的接头强度剪切强度较低的技术问题。本发明的玻璃焊料应用于连接多孔氮化硅陶瓷与多孔氮化硅陶瓷、连接致密氮化硅陶瓷与致密氮化硅陶瓷，以及连接多孔氮化硅陶瓷与致密氮化硅陶瓷。本发明所制备的玻璃焊料与现有的玻璃焊料相比，焊料对氮化硅陶瓷的高温润湿性好，有效地提高了多孔氮化硅陶瓷与致密氮化硅陶瓷的连接质量。
一种玻璃焊料及其制备方法应用

[发明专利]氮化硅陶瓷材料及其制备方法和陶瓷模具-CN201910593679.2有效
发明人：曾小锋;朱福林 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅陶瓷材料及其制备方法和陶瓷模具，其按重量百分比计包括如下组分：氮化硅粉体80％～98％，氮化硅晶须和碳化硅晶须共1％～10％，及稀土氧化物1％～10％。上述氮化硅陶瓷材料，采用上述特定的组分及配比，通过氮化硅晶须和碳化硅晶须和稀土氧化物对氮化硅粉体的共同作用，不仅可以增强材料的抗热冲击性能，还能够提高氮化硅陶瓷材料的抗弯强度以及断裂韧性。
氮化陶瓷材料及其制备方法陶瓷模具

[发明专利]一种高性能氮化硅密封环的制备方法-CN201610955908.7在审
发明人：白彬;赖新春;汪彩芬;徐俊;朱彩强;岳映雷;李先容;杨少青 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开一种高性能氮化硅密封环的制备方法，包括（1）准备原料氮化硅粉、氧化镁、氧化铝、氧化钇；（2）将原料、粘结剂加入到无水乙醇中，混匀，得到氮化硅复合粉料浆；（3）采用闭环造粒方式对氮化硅复合粉浆料进行喷雾造粒，制得氮化硅造粒粉；（4）将氮化硅造粒粉模压成型后进行冷等静压处理成型，制得氧化硅环坯体；（5）将氮化硅环坯体于1～8MPa氮气气氛、1750～1850℃条件下进行烧结，制得氮化硅密封环。本发明制得的氮化硅密封环相对密度大于或等于99.5%，强度大于或等于800MPa，HV硬度大于或等于1600，断裂韧性可达到6.5～7.5 MPa·m1/2，极大地满足了氮化硅材料在密封环市场、特别是机械密封方面的应用
一种性能氮化密封制备方法

[发明专利]一种氮化硅粉的生产方法-CN201810207094.8在审
发明人：王亮;孟祥曼;江宏富;王敬强;李前程;郄丽曼 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅粉的生产方法，包括：1）以四氯化硅和氨气为原料，反应合成氮化硅的前驱体Si(NH)₂固体，通过得到纯净的Si(NH)₂粉末；2）将Si(NH)₂移至高温炉中，煅烧得到非晶态氮化硅粉；3）将得到的氮化硅粉细化、压块后移入高温结晶炉中，煅烧获得晶态氮化硅粉。本发明可连续不间断地合成氮化硅前驱体，同时采用两次煅烧处理即Si(NH)₂低温分解和非晶氮化硅粉的高温结晶，灵活控制最终产品氮化硅粉的粒径、形状及相组成；整个工艺过程没有机溶剂的参与，避免产品氮化硅粉中碳杂质的产生；该产品所用原料国内已规模化生产，实现低成本生产高纯亚微米等轴氮化硅粉。
氮化硅粉煅烧氮化硅前驱体非晶态氮化硅氨气低成本生产高温结晶炉规模化生产低温分解反应合成高温结晶工艺过程灵活控制四氯化硅高温炉机溶剂碳杂质等轴非晶高纯后移晶态粒径细化压块合成生产

[发明专利]一种用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法-CN201410217930.2在审
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法，包括：首先，利用光刻胶执行光刻以对硬掩膜及硬掩膜上的氮化硅进行图形化，从而形成硬掩膜和氮化硅的叠层柱体；此后，用原子层沉积工艺在叠层柱体外部生长氮化硅层，并随后利用原子层沉积工艺在氮化硅层外部生长将作为侧墙的氧化硅层；随后，去除氮化硅层顶部的氧化硅层以暴露出氮化硅层，从而形成侧墙；然后，执行氧气等离子体处理以使得氮化硅层氧化，并且去除进氧化的氮化硅层以及硬掩膜
一种用于双重图形化工流程形成方法