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[发明专利]光固化3D打印用浆料、制备方法及氮化硅陶瓷-CN201910674243.6在审
发明人：董衡;韩耀;肖振兴;李淑琴;张剑;吕毅;张天翔;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明提供一种光固化3D打印用浆料、制备方法及氮化硅陶瓷，以解决目前光固化3D打印用氮化硅陶瓷浆料及其制备过程所存在的问题，其中，制备方法包括：氮化硅粉体预处理，包括：将氮化硅粉体分散在适量碱性溶液中得到碱性悬浮液；在所述碱性悬浮液中加入适量含Y³⁺和Mg²⁺的混合盐溶液，反应完毕后得到含包覆物的氮化硅粉体；将所述含包覆物的氮化硅粉体进行后处理，然后在500～600℃的温度下进行煅烧，即得预处理的氮化硅粉体；浆料制备，包括：将所述预处理的氮化硅粉体与树脂单体、分散剂和光引发剂混合处理即得氮化硅陶瓷浆料。
氮化硅粉体预处理光固化制备氮化硅陶瓷浆料打印氮化硅陶瓷碱性悬浮液包覆物浆料混合盐溶液后处理光引发剂混合处理碱性溶液浆料制备树脂单体制备过程分散剂煅烧

[发明专利]一种氮化硅陶瓷刀具及其制备方法和应用-CN202011625532.6在审
发明人：伍尚华;邹文劲;杨平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本申请属于陶瓷材料的技术领域，尤其涉及一种氮化硅陶瓷刀具及其制备方法和应用，本申请提供的氮化硅陶瓷刀具的制备方法，通过光固化含氮化硅粉体的陶瓷浆料，可制备带有高精度的圆弧刀刃、断屑槽、表面花纹等复杂形状的氮化硅陶瓷刀具，减小了切削阻力，提高了切削效率；通过在氮化硅粉体中掺杂烧结助剂，能有效提高氮化硅陶瓷的断裂韧性和强度，本申请提供的氮化硅陶瓷刀具及其制备方法和应用，能有效解决现有技术中无法制备带有用于提高切削效率的高精度的断屑槽、表面花纹结构的氮化硅陶瓷刀具以及氮化硅陶瓷刀具制备成本高、使用寿命短的技术问题。
一种氮化陶瓷刀具及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化硅陶瓷薄片的加工方法-CN202310029231.4在审
发明人：田鑫;徐涛;伊恒彬;张莹;王婷婷;常艳杰;吴丽丽 -专利权人：辽宁伊菲科技股份有限公司;江苏新伊菲科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B28B3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硅陶瓷薄片的加工方法，涉及陶瓷技术领域。该氮化硅陶瓷薄片的加工方法，具体包括以下步骤：S1.模具准备，S2.压制处理，S3.脱胶烧结，S4.切割处理。本发明提供一种氮化硅陶瓷薄片的加工方法，本发明能够将氮化硅产品的成品尺寸和数量要求，计算氮化硅毛坯重量和毛坯尺寸，将压制成型的氮化硅烧结出毛坯，再将氮化硅毛坯利用磨床精磨产品长宽尺寸，然后将精磨后的毛坯尺寸放入多线切割机内切出切片毛坯，最后将切片毛坯放入磨片机进行抛磨，得到厚度为0.5mm、0.32mm、0.25mm不同规格的氮化硅薄片，使得本发明可以得到厚度均匀、粗糙度合格的氮化硅薄片。
一种氮化陶瓷薄片加工方法

[发明专利]一种提高晶圆键合程度的方法-CN201611178622.9有效
发明人：王喜龙;胡胜;邹文 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种提高晶圆键合程度的方法，包括：退火处理所述氮化硅薄膜，形成一金属层，覆盖所述氮化硅薄膜表面，图形化所述金属层，以于所述所述氮化硅薄膜表面形成金属栅格，并于图形化所述金属层时，去除位于所述金属层被去除部分下方的所述氮化硅薄膜，以于所述金属栅格之间暴露所述氧化物层。本发明方法通过形成一氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜经过退火处理之后，使得氮化硅薄膜中的氢离子能够充分的与硅衬底界面硅原子的悬挂键键合，减少硅衬底中悬挂键个数，提高晶圆键合程度，去除传统工艺中于金属栅格形成之前刻蚀氮化硅薄膜过程，于金属栅格制程中去除金属层被去除部分下方的氮化硅薄膜，达到简化工艺的目的。
一种提高晶圆键合程度方法

[发明专利]纳米多层氮化硅陶瓷涂层、其制备方法与应用-CN201611257480.5有效
发明人：刘二勇;曾志翔;王刚;李龙阳;蒲吉斌;王立平 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米多层氮化硅陶瓷涂层、其制备方法与应用。所述涂层包括直流反应溅射氮化硅层和射频溅射氮化硅层交替层叠形成的多层结构。所述涂层的制备方法包括：以单晶硅靶和/或氮化硅靶作为阴极，以惰性气体及氮气作为工作气体，采用直流反应溅射技术和射频溅射技术在基材上沉积形成所述纳米多层氮化硅陶瓷涂层，所述纳米多层氮化硅陶瓷涂层包括交替层叠的直流反应溅射氮化硅层和射频溅射氮化硅层本发明的纳米多层氮化硅陶瓷涂层与多孔陶瓷基材等结合性良好，且具有结构致密、厚度可控、高硬度、低内应力、无宏观缺陷等优势，可应用于各种介质的精密过滤与分离、高温透波/吸波、电解隔膜等多种领域。
氮化硅陶瓷多层氮化硅层射频溅射制备直流反应溅射交替层叠氮气阴极应用多孔陶瓷基材反应溅射技术采用直流单晶硅靶电解隔膜多层结构惰性气体工作气体宏观缺陷厚度可控结构致密精密过滤氮化硅高硬度结合性基材透波吸波沉积

[发明专利]一种免喷涂坩埚的制备方法-CN201911389547.4有效
发明人：季勇升;刘明权 -专利权人：江苏润弛太阳能材料科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种免喷涂坩埚的制备方法，包括以下步骤：S1：将氮化硅、醇系硅溶胶、陶瓷胶和纯水以一定的质量比配制成氮化硅涂层溶液；其中，所述氮化硅：醇系硅溶胶的质量比为1.5~2：1；所述氮化硅：陶瓷胶质量比为14~10：1；所述氮化硅：水的质量比为1:1~3；S2：将所述氮化硅涂层溶液利用刷涂在坩埚内表面，烘干，然后去除坩埚表面浮尘，放入干燥剂，包装，即得。本发明上述配方制备氮化硅涂层致密性好，采用二次刷涂的制备工艺替代喷涂，使得氮化硅涂层强度更为致密，氧浸入硅锭比例低，氮化硅脱落少，最终达到低硬质点、低氧铸锭的效果，具有操作简便、工业化强的优点。
一种喷涂坩埚制备方法

[实用新型]一种安全型氮化硅点火棒-CN202020123887.4有效
发明人：朱诗荣 -专利权人：贺得（上海）实业有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： F23Q7/10 文献下载
摘要：本实用新型属于点火设备技术领域，具体公开了一种安全型氮化硅点火棒，包括安装外壳、第一氮化硅点火器、第二氮化硅点火器、移动轨道和驱动装置，所述安装外壳内部设置有第一氮化硅点火器，所述第一氮化硅点火器下方设置有移动轨道，所述移动轨道固定在安装外壳内部，所述移动轨道上通过滑块设置有第二氮化硅点火器，所述滑块上连接有驱动装置，所述安装外壳上设置有弹性转轴，所述弹性转轴上设置有挡板。本实用新型设置有备用氮化硅点火器，能够保证工业生产在第一氮化硅点火器故障时通过第二氮化硅点火器持续生产，结构简单，安全性高，实用性强。
一种安全氮化火棒

[发明专利]氮化硅介电层的制作方法、约瑟夫森结及超导量子比特-CN201811080849.9有效
发明人：冯加贵;武彪;熊康林;孙骏逸;黄永丹;郑明昊;丁孙安;陆晓鸣 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅介电层的制作方法、约瑟夫森结及超导量子比特，所述氮化硅介电层的制作方法包括：在衬底上沉积硅薄膜；对所述硅薄膜进行氮化处理以形成第一氮化硅薄膜；利用等离子体辅助分子束外延共沉积法在所述第一氮化硅薄膜上制作形成第二氮化硅薄膜该方法利用微波损耗系数较低的氮化硅材料制作介电层，降低了介电层的微波损耗，同时基于该方法制作的氮化硅介电层的超导量子比特中，可采用氮化硅材料制作超导量子比特的保护层，有效减少了表界面引入的双能级缺陷和磁性杂质而且，所述氮化硅介电层的制作方法能以较低要求的工艺条件获得高性能的氮化硅介电层，有利于量产化。
氮化硅介电层制作方法约瑟夫超导量子比特

[发明专利]一种氮化硅基陶瓷焊接密封元器件及其制备方法-CN202110746310.8有效
发明人：曹建平;曹建辉;刘平 -专利权人：湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅基陶瓷焊接密封元器件及其制备方法，涉及金属化陶瓷加工技术领域。本发明公开的氮化硅基陶瓷焊接密封元器件，包括氮化硅陶瓷基体和金属化层，其中氮化硅陶瓷基体用改性氮化硅、莫来石纤维、氮化铝、氧化钙、氧化钛、粘结剂和分散剂原料，经改性氮化硅制备、混料、造粒、一次烧结和二次烧结等步骤而制成；金属化层原料包括铜粉、钨粉、氧化铜、氧化钇、氧化锌和有机结合剂，并公开了用金属化层和氮化硅陶瓷基体组成的氮化硅基陶瓷焊接密封元器件的制备方法。本发明提供的氮化硅基陶瓷焊接密封元器件，提高了氮化硅陶瓷基体的致密度，具有优异的强度、硬度和断裂韧性，增大了密封件的抗拉强度，具有优异的耐高温性能。
一种氮化陶瓷焊接密封元器件及其制备方法

[实用新型]碳氮化硅点火器-CN200920069387.0无效
发明人：陈长明;包春华;旷建平;杨雪峰;葛卫 -专利权人：上海汉源特种陶瓷有限公司
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： F23Q7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳氮化硅点火器，它包括载体、带电极的发热钨丝和导线，载体为实体层状结构件，包括氮化硅内芯、碳化硅表层以及夹在氮化硅内芯和碳化硅表层之间的碳氮化硅过渡层，发热钨丝嵌装在氮化硅内芯中，发热钨丝电极设置在载体的一端本实用新型的碳氮化硅点火器由于表层是碳化硅层，可在＞1400℃的温度工况下工作不会氧化，由于内芯是氮化硅，又保持了点火器的高温抗冲击、抗热震性能。
氮化点火器

[发明专利]用于制备受控应力的氮化硅膜的方法-CN200610149888.0有效
发明人： R·苏亚纳哈亚南·耶尔;萨恩吉夫·唐顿;雅各布·W·史密斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供了用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法。在一个实施例中，用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法包括：提供衬底，所述多层氮化硅膜将被形成在所述衬底上；以及在一个处理反应器中通过如下操作形成所述多层氮化硅膜：(a)在基底结构上沉积包括氮化硅的底部层；(b)在所述底部层上沉积包括应力控制材料的中间层；和(c)在所述中间层上沉积包括氮化硅的顶部层。与单独的氮化硅相比，所述应力控制材料选择性地增大或者减小多层氮化硅膜的应力。
用于制备受控应力氮化方法

[实用新型]氮化硅陶瓷浸入式加热管-CN201620557899.1有效
发明人：徐涛 -专利权人：辽宁伊菲科技股份有限公司;无锡龙山科技有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H05B3/44 文献下载
摘要：本实用新型提供的是氮化硅陶瓷浸入式加热管。在管状具有一端封口的氮化硅陶瓷管开口端固定有法兰密封填料，在氮化硅陶瓷管内装有法兰电阻丝，氮化硅陶瓷管内法兰电阻丝周围充填有氮化硅颗粒填充体，在氮化硅陶瓷开口端设有安装卡口，在氮化硅陶瓷管根部填充有锥形密封填料由于本实用新型采用氮化硅陶瓷作为铠装外层，所以绝缘性好，导热率高，抗热震性能好，发热均匀，加热效率好。适宜作为铝液铸造炉的加热管应用。
氮化陶瓷浸入热管

[实用新型]氮化硅鄂板破碎机-CN201020588987.0无效
发明人：贾世恒 -专利权人：淄博恒世科技发展有限公司
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： B02C1/06 文献下载
摘要：一种氮化硅鄂板破碎机，包括破碎机和安装在破碎机上的上固定板和下固定板，其特征在于：还包括上氮化硅鄂板、下氮化硅鄂板和固定装置，上氮化硅鄂板和下氮化硅鄂板分别通过固定装置固定在上固定板和下固定板上。本实用新型制作简单，造价低，在实际操作时操作简单、方便、快捷，齿形结构的鄂板在破碎大块状材料时效率更高，采用上氮化硅鄂板和下氮化硅鄂板防止了氮化硅以外的杂质元素掺入产品中，保证了产品的纯度和质量。
氮化硅鄂板破碎

[发明专利]一种QTi3.5-5.5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散方法-CN201110088760.9无效
发明人：杜云慧;张鹏;刘汉武 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2011-04-10 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种QTi3.5-5.5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散方法，属于QTi3.5-5.5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散研究领域，本发明采用电磁+机械制备方法，利用双叶片层机械分散器，在上下层弧形叶片凹弧面弧度分别为39～41°和55～57°的条件下，对QTi3.5-5.5氮化硅半固态浆料中的氮化硅颗粒进行均匀分散，可快速实现氮化硅颗粒的均匀分布，均匀分散时间可缩短到8分20秒。
一种 qti3 5.5 氮化固态浆料颗粒均匀分散方法

[发明专利]一种锌10铁-5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散方法-CN201110088833.4无效
发明人：杜云慧;张鹏;刘汉武 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2011-04-10 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种锌10铁-5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散方法，属于锌10铁-5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散研究领域，本发明采用电磁+机械制备方法，利用双叶片层机械分散器，在上下层弧形叶片凹弧面弧度分别为65～67°和31～33°的条件下，对锌10铁-5氮化硅半固态浆料中的氮化硅颗粒进行均匀分散，可快速实现氮化硅颗粒的均匀分布，均匀分散时间可缩短到8分20秒。
一种 10 氮化固态浆料颗粒均匀分散方法

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