“氮化硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果185001个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种氮化硅电热元件-CN201220440509.4有效
发明人：黎石红 -专利权人：黎石红
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H05B3/10 文献下载
摘要：一种氮化硅电热元件，包括氮化硅基体及置于氮化硅基体内的发热丝和电极，其中所述电极的一端与发热丝相连接，其另一端的端面裸露在氮化硅基体一端的端面上并通过焊接的方式连接有导线，所述氮化硅基体为由采用非氧化物氮化硅镁粉作为烧结添加剂通过热压烧结制成的氮化硅陶瓷制作形成的结构体本实用新型由于采用非氧化物氮化硅镁作为烧结添加剂，并通过热压烧结的方式得到氮化硅基体的结构，因而氮化硅基体的晶界相含量低、杂质少，有利于长柱状晶粒的形成，这样便极大地提高了氮化硅基体的力学性能，从而使本实用新型所述的氮化硅电热元件的综合性能优越
一种氮化电热元件

[发明专利]半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法-CN201110176487.5无效
发明人：张永福 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，包括如下步骤：形成基准折射率的氮化硅层；对所述氮化硅层进行快速热处理以改变所述氮化硅层的折射率。本发明的氮化硅层的制备方法不需要改变氮化硅沉积过程的工艺参数，就可以获得不同折射率的氮化硅层，制备周期短，工艺简单，成本低。
半导体器件制备过程氮化方法

[发明专利]一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法-CN201910763884.9有效
发明人：杨大胜;施纯锡 -专利权人：福建华清电子材料科技有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料制备技术领域，提供一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法，解决现有技术氮化硅陶瓷热导率不高的问题。所述氮化硅陶瓷包括：氮化硅60～90份、碳化硅8～12份、稀土氯化物3～5份、氟化镱0.2～1份、氮化锆0.5～2份、分散剂5～10份。本发明添加稀土氯化物在不额外引入氧的情况下，提高了氮化硅粉体的烧结活性，实现氮化硅陶瓷的致密化；氟化镱可以促进Si和N的扩散，且与氮化硅晶格内的氧杂质反应，从而有效地降低氮化硅晶格溶解氧含量，提高氮化硅热导率；氮化锆中的锆离子对氧具有很强的亲和力，可以吸收部分晶格内的氧杂质。稀土氯化物、氟化镱及氮化锆相互配合，还可以增加氮化硅晶粒的尺寸，排出氧杂质。
一种高热氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法-CN201110183430.8无效
发明人：景旭斌;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法使用氮化硅-二氧化硅-氮化硅作为浅沟道隔离刻蚀的阻挡层，让STI干刻停止在最上层氮化硅，然后通过回刻去除第二氮化硅层，利用CMP去除中间的二氧化硅层，最后再用热磷酸剥离底层的第一氮化硅层。
氮化二氧化硅阻挡沟槽隔离刻蚀方法

[发明专利]一种浮栅型分栅闪存工艺方法-CN202111570227.6在审
发明人：许昭昭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种浮栅型分栅闪存工艺方法，在P型衬底上生长浮栅氧化层、第一氮化硅层；形成P型阱，去除第一氮化硅层，在浮栅多晶硅层上形成氧化硅层、第二氮化硅层、牺牲氧化硅层及第三氮化硅层；去除第三氮化硅层；淀积第四氮化硅层，形成侧墙；去除第四氮化硅层；去除侧墙和牺牲氧化硅层及第二氮化硅层、氧化硅层、浮栅多晶硅层及浮栅氧化层；去除牺牲氧化硅层上的第四氮化硅层，去除被暴露的牺牲氧化硅层；沉积选择栅介质层，形成选择栅多晶硅层并掺杂；在选择栅多晶硅层顶部形成保护氧化层；去除第三、第四氮化硅层；刻蚀牺牲氧化硅层、第二氮化硅层、氧化硅层、浮栅多晶硅层，形成LDD区；形成第一、第二侧墙介质层；形成源漏重掺杂区。
一种浮栅型分栅闪存工艺方法

[发明专利]一种连续式氨解法制备氮化硅粉体的方法-CN202310642660.9在审
发明人：曾小锋;李勇全 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供了一种连续式氨解法制备氮化硅粉体的方法，涉及氮化硅制备技术领域，包括：向一体式制备装置的反应容器中加入制备氮化硅粉体所需的溶剂和四氯化硅；向一体式制备装置的反应容器中通入液氨，与步骤一获得的溶液进行反应，从而获得氮化硅前驱体；将氮化硅前驱体输送到一体式制备装置的处理机构中进行处理，从而获得氮化硅粉体。通过设计一种连续式氨解法制备氮化硅粉体的方法，有效的解决了现有的氨解法制备氮化硅粉体的方法，通常是在反应结束后，人工将氮化硅前躯体取出，然后在对其进行后续操作，从而出现氮化硅的生产效率慢的问题。
一种连续氨解法制氮化硅粉体方法

[发明专利]光固化氮化硅陶瓷浆料-CN201810394047.9在审
发明人：刘耀 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C04B35/587 文献下载
摘要：本发明提供了光固化氮化硅陶瓷浆料，属于氮化硅陶瓷技术领域。本发明提供的光固化氮化硅陶瓷浆料包括以下重量份数的组分：改性氮化硅粉末100份，预聚体60～68份，活性稀释剂30～35份，光引发剂1～6份；所述改性氮化硅粉末由氮化硅粉末、醇溶剂和偶联剂按照质量比30本发明在光固化氮化硅陶瓷浆料中加入了一定量的预聚体水性UV聚氨酯丙烯酸酯，降低了浆料的粘性，再结合改性氮化硅粉末等物质，得到均匀、分散性好的光固化氮化硅陶瓷浆料，分散性好的氮化硅浆料在光固化成型时，成型过程稳定，使得的氮化硅陶瓷具有稳定的性能。
氮化硅陶瓷浆料光固化氮化硅粉末预聚体聚氨酯丙烯酸酯氮化硅陶瓷分散性好改性氮化硅浆料光固化成型活性稀释剂成型过程光引发剂结合改性重量份数醇溶剂偶联剂质量比浆料

[发明专利]包括氮化硅层的半导体结构的制作方法与MEMS器件-CN201810714161.5在审
发明人：熊文娟;李俊峰;贺晓彬;蒋浩杰;胡彦鹏;王桂磊;杨涛;亨利·H·阿达姆松;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种包括氮化硅层的半导体结构的制作方法与MEMS器件。该制作方法包括：步骤S1，采用生长设备生长预氮化硅层，预氮化硅层的应力大于100MPa，生长设备具有自清洁功能；步骤S2，对预氮化硅层进行退火，形成氮化硅层，氮化硅层的应力小于100MPa。该制作方法中，首先采用具有自清洁功能的生长设备生长应力较大的氮化硅层，该生长过程中，由于生长设备具有自清洁功能，使得该过程中无需较多的维护，降低了低应力氮化硅层的生长时的设备维护成本；并且，在形成预氮化硅层之后，对其进行高温退火，以使得预氮化硅层中的材料更进一步结晶聚合，应力减小至小于100MPa，形成氮化硅层，满足MEMS等领域的需求。
氮化硅层生长设备自清洁功能半导体结构制作生长退火设备维护成本高温退火生长过程应力减小低应力聚合申请维护

[发明专利]一种氮化硅粉体研磨装置-CN202310510051.8在审
发明人：肖立;肖亮;崔辉;谭皓文;汤娜 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅粉体研磨装置，涉及氮化硅粉体制备技术领域，包括装置主体，装置主体上设有氮化硅颗粒上料机构、捣碎机构和粉体研磨机构，氮化硅颗粒上料机构出口端与捣碎机构相通，捣碎机构出口端与氮化硅颗粒上料机构和粉体研磨机构相通，粉体研磨机构上方设有氮化硅粉体分类回收机构。通过先对氮化硅颗粒进行捣碎，使其形成不规则形状，从而增加其与磨介石之间的接触面积，同时由于与不规则形状一定程度上增加了氮化硅颗粒的表面粗糙度，从而加速了氮化硅粉体研磨装置的研磨效率，同时采用氮化硅粉体分类回收机构对研磨好的粉末进行分类回收，提高了氮化硅粉体的出厂质量。
一种氮化硅粉体研磨装置

[发明专利]一种注射成型用氮化硅粉末喂料配置方法及其装置-CN202211711227.8在审
发明人：张志平 -专利权人：兴核科学研究（福建）有限责任公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B02C17/10 文献下载
摘要：本发明涉及注射成型工艺领域，具体为一种注射成型用氮化硅粉末喂料配置方法及其装置，喂料配置方法包括：步骤一：将氮化硅原料粉末倒入到喷雾造粒机中进行喷雾造粒，得到氮化硅颗粒；步骤二：将步骤一得到的氮化硅颗粒过筛，将细于目标目数的氮化硅颗粒重复投入喷雾造粒机中；将粗于目标目数的氮化硅颗粒投入到球磨装置，然后加入进行球磨。本发明通过将氮化硅原料粉末喷雾造粒，过筛分级，便于选择合适尺寸的氮化硅颗粒，以保证后续的注射成型效果；通过将氮化硅颗粒投入到球磨装置，并利用高能球磨过程的蒸发凝聚效应，使填料均匀包裹在氮化硅颗粒表面，使得氮化硅颗粒在后续注射成型过程中流变性能好
一种注射成型氮化粉末喂料配置方法及其装置

[发明专利]一种利用共沉淀反应均匀包覆氮化硅烧结助剂的方法-CN202111467732.8在审
发明人：王京阳;孙鲁超;叶超超;崔阳;杜铁锋 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/628 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅陶瓷材料技术领域，具体为一种利用共沉淀反应均匀包覆氮化硅烧结助剂的方法。针对烧结氮化硅对烧结助剂均匀性要求，通过共沉淀反应实现烧结助剂均匀包覆，首先将硝酸铝、硝酸钇和氯化铁依次加入水中，形成烧结助剂前驱体溶液；然后将尿素和氮化硅粉体加入原料溶液中形成含有共沉淀离子的悬浮液；对悬浮液进行水浴热处理及干燥处理，得到烧结助剂均匀包覆的氮化硅配方粉体。本发明均匀包覆氮化硅烧结助剂的方法，不仅包覆沉淀效果好，能在氮化硅粉体的表面实现烧结助剂的纳米级均匀包覆，且工艺简单，pH值容易控制，便于推广，适用于高导热氮化硅、高致密度氮化硅和高硬度氮化硅等相关氮化硅材料制备和产品生产
一种利用共沉淀反应均匀氮化烧结助剂方法

[发明专利]一种高硬高韧氮化硅陶瓷复杂结构件制备工艺-CN202111312840.8有效
发明人：赵斌;王瑞斌;王西彬;周天丰;焦黎;解丽静;刘志兵;梁志强;颜培;仇天阳;沈文华;滕龙龙 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硬高韧氮化硅陶瓷复杂结构件制备工艺，涉及氮化硅陶瓷材料制备工艺技术领域，包括以下步骤：步骤一，制备氮化硅复合粉体；步骤二，对氮化硅复合粉体进行冷等静压处理，获得氮化硅陶瓷毛坯；步骤三，对氮化硅陶瓷毛坯进行切削加工，得到氮化硅陶瓷复杂结构件坯体；步骤四，对氮化硅陶瓷复杂结构件坯体进行低温低压预烧结；步骤五，进行高温高压烧结。采用本发明能够获得表层硬度高、内部韧性好的氮化硅陶瓷复杂结构件，能够有效解决现有技术中无法兼顾氮化硅陶瓷结构件的高硬高韧特性难题，既能满足氮化硅陶瓷件的耐磨性要求，还能提高结构件的抗破损能力，在耐磨结构件和陶瓷刀具等领域具有很大的应用潜力
一种高硬高韧氮化陶瓷复杂结构件制备工艺

[发明专利]一种氮化硅纤维增强透波陶瓷材料及其制备方法-CN202211080150.9有效
发明人：肖亮;朱福林;曾小锋;许滔;钱利洪 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅纤维增强透波陶瓷材料及其制备方法，在包含氮化硅纤维的3D间隔织物上生长氮化硅晶须，得到氮化硅预制件；将氮化硅预制件在粒径为80‑200nm的硅溶胶中浸渍吸附，然后在惰性氛围下高温烧结，再热解除碳，得到具有通孔的陶瓷前驱体；最后采用原子层沉积法向通孔中填充氮化硅，得到氮化硅纤维增强透波陶瓷材料。本发明通过将间隔织物浸渍吸附包含氮化硅晶须的硅溶胶，使氮化硅晶须弥散分布于陶瓷基体中；通过提高硅溶胶的粒径，形成具有通孔的陶瓷前驱体，接着通过原子层沉积技术，使得通孔中嵌入部分氮化硅，从而显著提高陶瓷的致密多孔性和高温稳定性，得到综合性能优异的氮化硅纤维增强透波陶瓷材料。
一种氮化纤维增强陶瓷材料及其制备方法

[实用新型]太阳能电池的双层氮化硅减反膜结构-CN201120425191.8有效
发明人：黄兴 -专利权人：上海索日新能源科技有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池的双层氮化硅减反膜结构，包括设置在电池表面的双层氮化硅减反膜，所述双层氮化硅减反膜为外层低折射率氮化硅减反膜和内层高折射率氮化硅减反膜，内层高折射率氮化硅减反膜比外层低折射率氮化硅减反膜薄，且外层低折射率氮化硅减反膜与内层高折射率氮化硅减反膜光学匹配。外层低折射率氮化硅减反膜与内层高折射率氮化硅减反膜光学匹配，可以降低正表面的反射率，由于短波响应的增强，双层膜增透的短波部分的太阳光在电池正表面得以响应从而转化为短路电流的提高。
太阳能电池双层氮化硅减反膜结构

[实用新型]一种提高氮化硅粉氮含量的生产设备-CN202221416748.6有效
发明人：赵光华 -专利权人：河南中正宝明新材料有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B65G69/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高氮化硅粉氮含量的生产设备，涉及氮化硅粉生产技术领域，该一种提高氮化硅粉氮含量的生产设备，包括固定架，所述固定架上固定连接有机械箱，将固定架安装在生产设备的进料口上，将氮化硅粉倒在机械箱的内部，倒入后密封装置会对机械箱进行密封，避免粉尘扩散，氮化硅粉会落到滤板的上方，震动机构会驱动滤板进行震动，可以有效的避免氮化硅粉结块，粉碎后的氮化硅粉会落到机械箱的底部和连接管内并将凹槽填满，转动轮旋转可以将氮化硅粉带到固定架内并落入生产设备的内部，从而可以有效的避免氮化硅粉出现接触，放置氮化硅粉的发生堵塞，也可以有效的放置倒入氮化硅粉时会产生粉尘，对工人的身体健康造成损害。
一种提高氮化硅粉氮含量生产设备