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[发明专利]一种镍3锆-6.5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散方法-CN201110088788.2无效
发明人：杜云慧;张鹏;刘汉武 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2011-04-10 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍3锆-6.5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散方法，属于镍3锆-6.5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散研究领域，本发明采用电磁+机械制备方法，利用双叶片层机械分散器，在上下层弧形叶片凹弧面弧度分别为58～60°和44～46°的条件下，对镍3锆-6.5氮化硅半固态浆料中的氮化硅颗粒进行均匀分散，可快速实现氮化硅颗粒的均匀分布，均匀分散时间可缩短到8分20秒。
一种 6.5 氮化固态浆料颗粒均匀分散方法

[发明专利]制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法-CN200410045757.9无效
发明人：泷本俊英 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括通过下列步骤形成两层氮化硅膜作为绝缘膜：将含氮气体与二氯甲硅烷反应，形成一层氮化硅膜；将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，形成另一层氮化硅膜。一层氮化硅膜的漏电流性能优越，而另一层氮化硅膜的沉积速度比一层氮化硅膜的沉积速度快，导致氮化硅膜的绝缘性能改善并使模拟膜的产量较高。
制造具有绝缘性能提高氮化半导体器件方法

[实用新型]多孔氮化硅支撑膜窗格及其用于透射电镜成像的装置-CN201620771104.7有效
发明人：谷林;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多孔氮化硅支撑膜窗格，所述多孔氮化硅支撑膜窗格包括衬底，覆盖在所述衬底一面的正面氮化硅，覆盖在所述衬底另一面的背面氮化硅和贯穿所述衬底与背面氮化硅的窗口；所述正面氮化硅具有多个贯通孔，该多孔氮化硅支撑膜窗格产生的多孔孔径均一，支撑膜无残留杂质，可以实现商业化应用。还提供了一种用于透射电镜成像的装置。
多孔氮化支撑膜窗格及其用于透射成像装置

[发明专利]多孔氮化硅陶瓷及其制备方法-CN201110366340.2有效
发明人：曾宇平;姚冬旭 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔氮化硅陶瓷及其制备方法，所述多孔氮化硅陶瓷制品中氮化硅的形态呈柱状或棒状的β相氮化硅结晶形态；制品总气孔率为20~65%，抗弯强度为450~50MPa。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷制品，其中包括的氮化硅呈现柱状或棒状的β相结晶形态，可进一步提高产品的强度和韧性。
多孔氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种利用高温旋转炉合成氮化硅粉末的生产工艺-CN202310361447.0在审
发明人：曾小锋;肖亮;谭庆文;谢庆忠;汤娜 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅粉末制备技术领域，具体为一种利用高温旋转炉合成氮化硅粉末的生产工艺，包括：首先将硅粉倒入到氮化硅粉末合成装置的高温旋转炉中，然后关闭高温旋转炉的进料口，氮化硅粉末合成装置包括高温旋转炉、研磨筛分装置、自动输送装置；然后使用真空泵将高温旋转炉内空气抽出，关闭真空泵，并向高温旋转炉内通入氮气；启动高温旋转炉，使硅粉在高温下与氮气发生反应生成氮化硅粉末；高温旋转炉内合成的氮化硅粉末通过自动输送装置输送至研磨筛分装置进行研磨及筛分本发明通过利用高温旋转炉来合成氮化硅粉末，有效改善了现有的氮化硅粉末生产中，由于硅粉处于堆积状态，氮化过程中容易形成一层氮化硅壳，从而降低氮化速度的问题。
一种利用高温旋转合成氮化粉末生产工艺

[发明专利]一种用碳包覆制备低氧含量、高热导的氮化硅陶瓷的方法及其应用-CN202010588120.3在审
发明人：伍尚华;杨平;李建斌 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷技术领域，公开了一种用碳包覆制备制备低氧含量、高热导的氮化硅陶瓷的方法及其应用，该方法是将聚多巴胺包覆的的氮化硅粉末与烧结助剂混合，获得混合粉末置于石墨模具，在真空气氛下加热至600～800℃碳化，形成核壳结构的碳‑氮化硅粉末，然后加以20～30MPa轴向压力，在保护气氛下，加热至1200～1500℃还原反应，再升温至1600～2000℃烧结，制得氮化硅陶瓷。本发明可精确控制碳层分布和精准调节碳层结构，有效还原氮化硅表面二氧化硅，降低氮化硅粉末氧含量，提高氮化硅陶瓷热导率。该氮化硅陶瓷的致密度高于98.5％，其热导率可达80W/(m·K)以上。
一种用碳包覆制备低氧含量高热氮化陶瓷方法及其应用

[发明专利]一种高强度、耐高温、抗热冲击的氮化硅陶瓷热刀及其制备方法和应用-CN201811323488.6在审
发明人：曾宇平;梁汉琴;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C04B35/76 文献下载
摘要：本发明涉及一种高强度、耐高温、抗热冲击的氮化硅陶瓷热刀及其制备方法和应用，所述氮化硅陶瓷热刀包括氮化硅陶瓷基体、内嵌于所述氮化硅陶瓷基体中的电热丝、以及用于连接电热丝的导线，氮化硅陶瓷热刀通过导线与电源连接
氮化硅陶瓷热刀氮化硅陶瓷基体制备方法和应用抗热冲击电热丝耐高温电源连接内嵌

[发明专利]氮化硅烧结体及使用其的滑动部件-CN200880008152.9无效
发明人：高尾实;小松通泰 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2008-03-11 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：氮化硅烧结体含有氮化硅粒子以及2～15质量％的烧结助剂成分。氮化硅粒子在氮化硅烧结体的结晶组织内具有面积比为50％以上的、长径(L)为10μm以下且长径(L)与短径(S)之比(L/S)为5以上的针状晶粒。氮化硅烧结体作为轴承滚珠(2)这样的滑动部件使用。
氮化烧结使用滑动部件

[发明专利]一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法-CN202011251161.X在审
发明人：林爱梅 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，在通孔层上从下至上依次生长第一氮化硅层、第一氧化硅层、氮化钛层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、多晶硅层；将多晶硅层作为硬掩膜定义图形并刻蚀第二氮化硅层至第二氧化硅层上表面，将第二氮化硅层形成为多个氮化硅图形结构；在多个氮化硅图形结构的侧壁形成侧墙；去除侧墙内的所述氮化硅图形结构；以侧墙为硬掩膜刻蚀第二氧化硅层和氮化钛层；形成氮化钛图形结构；以氮化钛图形结构为硬掩膜刻蚀第一氧化硅层和第一氮化硅层，将第一氧化硅层和第一氮化硅层图形化。
一种防止变形对准二次成型工艺方法

[发明专利]一种透波氮化硅天线罩材料及其制备方法-CN201310309109.9有效
发明人：陈照峰;余盛杰 -专利权人：太仓派欧技术咨询服务有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：一种透波Si₃N₄天线罩材料及其制备方法，该透波Si₃N₄天线罩材料是以低密度多孔氮化硅为芯层，氮化硅与氮化硼短切纤维或晶须作为芯层增强相，致密化氮化硅为表层涂层。首先将硅粉与氮化硅以及氮化硼短切纤维混合造粒后与成孔剂按照一定比例混合均匀，模压成一定形状坯体，在200～300℃下使成孔剂完全分解，得到多孔坯体。然后进行氮化处理得到短切纤维增强的多孔氮化硅陶瓷体，超声波清洗后烘干。最后通过化学气相沉积(CVD)来对该多孔氮化硅基陶瓷体制备致密氮化硅涂层。本发明优点在于：(1)短切纤维或晶须镶嵌在多孔氮化硅芯层，起到强化作用；(2)致密氮化硅在多孔氮化硅芯层外层，起到防水防汽渗入的作用；(3)制备工艺周期短，成本低。
一种氮化天线罩材料及其制备方法

[发明专利]氮化硅基板、氮化硅-金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件-CN202080025283.9在审
发明人：津川优太;小桥圣治;西村浩二 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供氮化硅基板，其为含有氮化硅和镁的氮化硅基板，在特定的条件I下，利用X射线荧光分析装置对氮化硅基板的表面进行分析时，XB/XA为0.8以上、1.0以下。
氮化硅基板金属复合体路基半导体封装

[发明专利]一种氮化硅基导电陶瓷的制备方法及氮化硅基导电陶瓷刀具的成型方法-CN201510067122.7在审
发明人：伍尚华;古尚贤;郭伟明;曾俊杰;李安琼;蒋强国;高棱;周茂鹏 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C04B35/596 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷制备技术领域，具体为一种氮化硅基导电陶瓷的制备方法及氮化硅基导电陶瓷刀具的成型方法。本发明通过添加一定量由MO和稀土氧化物组成的烧结助剂，可有效优化氮化硅基导电陶瓷的微观结构，从而显著提高氮化硅基导电陶瓷的韧性和强度。而添加一定量的导电相，不仅有助于提高氮化硅基导电陶瓷的导电率，可实现使用电火花加工技术加工氮化硅基导电陶瓷，并使应用该种氮化硅基导电陶瓷制作的陶瓷刀具适宜PVD涂层工艺，此外还起到增韧补强的作用。添加一定量的金属相粘结剂，有助于提高氮化硅基导电陶瓷的综合性能。使用本发明所述的氮化硅基导电陶瓷和成型方法制作刀具，可制备出形状复杂的刀具，并可获得性能更优异的氮化硅陶瓷刀具。
一种氮化导电陶瓷制备方法刀具成型

[发明专利]一种致密化氮化硅陶瓷材料及其制备方法-CN201810544040.0在审
发明人：颜井意;蔡安澜;杜建周;蔡泽昱 -专利权人：江苏东浦精细陶瓷科技股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：一种致密化氮化硅陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷材料领域，其采用α‑氮化硅粉体配合少量的烧结助剂进行烧结，以β‑氮化硅晶种诱导α‑氮化硅粉体的晶型转化，以增加产品密度。同时，其三段烧结的形式，一段烧结在较低气压和较低温度下进行，让助剂形成液相，并在α‑氮化硅粉体中均匀分布；二段烧结在一段烧结的基础上提高了温度，让α‑氮化硅粉体能够由α相相变为β相，同时通过溶解析出在β‑氮化硅晶种表面生长，并将素坯表面的气孔封闭；最后在二段烧结的基础上增大气压，使素坯进一步致密化，得到氮化硅陶瓷。通过上述方法制备得到的致密化氮化硅陶瓷，其密度接近氮化硅的理论密度，具有高强度、高韧性、耐磨耐腐蚀的特点。
氮化硅粉体烧结致密化氮化硅陶瓷氮化硅制备一段烧结氮化硅陶瓷材料表面生长晶型转化晶种诱导密度接近烧结助剂素坯表面陶瓷材料析出低气压高韧性耐腐蚀晶种耐磨素坯溶解封闭配合

[发明专利]一种高强高热导氮化硅基片的制备方法-CN202010515841.1在审
发明人：瞿友福;吴明亮 -专利权人：浙江锐克特种陶瓷有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了高强高热导氮化硅基片的制备方法，将氮化硅(Si3N4)、氮化硅镁(MgSiN2)和助烧剂加入搅拌磨，在搅拌磨中加入溶剂经充分搅拌研磨得到混合浆料，混合浆料经烘干、过筛得到氮化硅基片配方粉；将氮化硅基片配方粉经干压成型和热压烧结工艺，干压成型工艺是将氮化硅配方粉加入成型模具按照干压成型压力曲线加压至5‑20MPa，并保压1‑3min；热压烧结工艺包括烧结温度曲线和压力曲线，温度按照烧结温度曲线升温至1700‑1850℃，压力按照压力曲线升压至20‑45MPa，并保温保压烧结1‑3小时得到氮化硅材料坯体；将氮化硅材料坯体经平磨、研磨加工得到氮化硅基片。该制备方法得到的氮化硅基片具有相对较高的抗弯强度和热导率，可广泛应用于动态IGBT领域。
一种高强高热氮化硅基片制备方法

[发明专利]一种氮化硅强化的钨及钨合金材料及其制备方法-CN202110792307.X在审
发明人：乔竹辉;王鲁杰;李彤阳;于源;崔高熙;汤华国;刘维民 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;烟台中科先进材料与绿色化工产业技术研究院
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：一种氮化硅强化的钨及钨合金材料及其制备方法，包含以连续相存在的钨及其合金和弥散分布的氮化硅相，其中钨及其合金含量占材料总质量的65wt％～99.9wt％，金属钨的含量不低于钨及其合金总质量的70wt％；氮化硅相为氮化硅颗粒、氮化硅晶须、氮化硅纤维中的一种或多种，该氮化硅相的含量为材料总质量的0.1wt％‑35wt％。将钨及其合金粉体和氮化硅相粉体均匀混合后，在1000～2000℃温度下进行烧结，得到所需材料。本发明通过在钨合金制备过程中施加氮气气压，有效抑制金属钨与氮化硅结晶之间的化学反应，使得氮化硅结晶在烧结过程中能够有效保留下来，起到强化钨合金的作用，避免化学反应对钨合金有效成分的破坏。
一种氮化强化合金材料及其制备方法

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