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[发明专利]一种信号传输方法及装置-CN201610831736.2有效
发明人：郝鹏;张峻峰;刘星;鲁照华;王欣晖;胡留军;柏钢 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H04J3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种信号传输方法，包括：基站在扫描时间间隔STI内发送或接收信号，所述STI由扫描时间块STB组成；其中，所述STI包括发送扫描时间间隔下行STI和接收扫描时间间隔上行STI，基站在所述下行STI上发送信号，在所述上行STI上接收信号。终端在STI内发送或接收信号，所述STI由STB组成；其中，所述STI包括上行STI和下行STI，终端在所述上行STI上发送信号，在所述下行STI上接收信号。
一种信号传输方法装置

[发明专利]一种信号传输方法及装置-CN202011197787.7有效
发明人：郝鹏;张峻峰;刘星;鲁照华;王欣晖;胡留军;柏钢 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H04L5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种信号传输方法，包括：基站在扫描时间间隔STI内发送或接收信号，所述STI由扫描时间块STB组成；其中，所述STI包括发送扫描时间间隔下行STI和接收扫描时间间隔上行STI，基站在所述下行STI上发送信号，在所述上行STI上接收信号。终端在STI内发送或接收信号，所述STI由STB组成；其中，所述STI包括上行STI和下行STI，终端在所述上行STI上发送信号，在所述下行STI上接收信号。
一种信号传输方法装置

[发明专利]密封的浅沟槽隔离区域及其形成方法-CN201310302553.8有效
发明人： M·V·阿奎利纳;胡项;D·J·耶格;金烈;Y·M·李;李瑛;R·A·维加 -专利权人：国际商业机器公司;环球铸造新加坡私人有限公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种用于为半导体器件形成密封的浅沟槽隔离(STI)区域的方法包括在衬底中形成STI区域，STI区域包括STI填充；在STI区域的STI填充中形成密封凹陷；并且在STI填充之上的密封凹陷中形成密封层。
密封沟槽隔离区域及其形成方法

[发明专利]用于SOI MOSFET中的面积高效型主体接触的分层浅沟槽隔离-CN201080045288.4有效
发明人：李影;S·纳拉辛哈;W·A·劳施 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种体硅层上的SOI器件，其具有FET区、主体接触区和STI区。该FET区由SOI层和上覆栅极组成。该STI区包括第一STI层，该STI层将该SOI器件与相邻SOI器件分开。该主体接触区包括该SOI层的延伸部分、该延伸部分上的第二STI层以及与该延伸部分接触的主体接触。该第一STI层和该第二STI层邻接并且具有不同厚度以便形成分层STI。
用于 soi mosfet 中的面积高效主体接触分层沟槽隔离

[发明专利]ESD器件-CN202310139720.5在审
发明人：范炜盛 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种ESD器件，包括：衬底，衬底中形成有第一STI结构和第二STI结构，从俯视角度观察，第一STI结构和第二STI结构为环形，第一STI结构位于第二STI结构的外侧且第一STI结构和第二STI结构之间不重叠；第一STI结构和第二STI结构之间的衬底中形成有二极管结构；第一STI结构外侧的衬底中形成有第一重掺杂区，第二STI结构环绕的区域内形成有多个MOS器件。
esd 器件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201410250707.8有效
发明人：布兰丁·迪里耶;马克·范·达尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：鳍包括具有第一有源区顶面的鳍的第一有源区和具有第二有源区顶面的鳍的第二有源区，其中，第一有源区顶面与浅沟槽隔离(STI)的第一STI部分的第一STI顶面共平面，并且第二有源区顶面与STI的第二STI部分的第二STI顶面共平面。在器件形成过程中，本发明的方法不需使鳍、第一STI部分或第二STI部分中的至少一个凹进。与需要使鳍、第一STI部分或第二STI部分中的至少一个凹进的半导体器件形成方法相比，不需使鳍、第一STI部分或第二STI部分中的至少一个凹进改进了半导体器件的形成方法并使该形成方法更有效率。
源区半导体器件顶面共平面凹进浅沟槽隔离器件形成凹进的沟道改进

[发明专利]一种检测STI沟槽深度的方法-CN202111413873.1在审
发明人：董俊;张顾斌;王雷 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了检测STI沟槽深度的方法，包括：在划片槽区域放置光刻对准标记；进行STI刻蚀；收集光刻对位信号；通过分析所述光刻对位信号检测STI深度。在检测STI沟槽深度的方法中，通过收集以及分析对准信号来判断STI深度，对准标记不仅可以用来进行对准，还可以通过光程差分析获得STI的深度，进一步分析不同晶圆间STI深度的稳定性。
一种检测 sti 沟槽深度方法

[发明专利]一种制作浅槽隔离结构的方法-CN201210537228.5在审
发明人：张玉;何海杰;单伟中;赵洪波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作浅槽隔离结构的方法，采用重复执行先沉积二氧化硅层后干法刻蚀的步骤填充STI沟槽得到STI结构，在干法刻蚀时采用氟和氢离子进行，其中，氟离子与沉积的二氧化硅进行化学反应，可以打开STI沟槽侧壁的瓶颈结构，氢离子对沉积的二氧化硅进行物理轰击，消除STI沟槽两侧的帽状结构及平整STI沟槽底部。这样，每一次执行沉积二氧化硅层后干法刻蚀的步骤时，得到的STI沟槽填充结构都不会在STI结构两侧形成帽状结构，且消除了STI沟槽侧壁的瓶颈结构，重复执行多次，填充STI沟槽形成高宽比比较大的STI结构。
一种制作隔离结构方法

[实用新型]多功能三网融合的数字家庭智能终端实现装置-CN201020158255.8有效
发明人：顾士平 -专利权人：杭州初灵信息技术股份有限公司
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H04N21/238 文献下载
摘要：包括FlashROM，EOC从端的CPU，SDRAM，PC机，无线路由器，无线路由器天线，VoIP电话，音视频解码芯片，音视频接口，同轴电缆接口；图象解码芯片采用STi7109连接解码芯片，STi7109连接RJ45接口，STi7109连接Cable接口，STi7109连接CA卡接口，STi7109连接高清接口，STi7109连接普清接口，STi7109连接HDMI接口，STi7109连接ATA接口，STi7109连接PCM接口，STi7109连接USB接口。
多功能融合数字家庭智能终端实现装置

[发明专利]一种高压LDMOS及其制造方法-CN202211465928.8在审
发明人：令海阳 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高压LDMOS及其制造方法，基底浅区域设有相互间隔分布的第一、第二STI区；第一STI区包括多个相互间隔分布的分段结构；基底深区域设有将第一STI区包裹的漂移区；多个相互间隔分布的分段结构的底部设有浅层反型区；浅层反型区由硼离子注入形成；第一、第二STI区之间设有第一N+区，第二STI区远离第一STI区的一侧设有第二N+区；第二STI区远离第一STI区的一侧设有深阱；深阱将第二STI区的一部分包裹；深阱中设有将第二N+区包裹的N阱；第一STI区远离第二STI区的一侧设有P阱；基底上表面设有场板；P阱内还设有P+区和第三N+区。本发明的LDMOS采用场板STI分段和STI后的硼离子注入；高压NLDMOS结构可以同时提高低导通电阻和高耐压的性能，改善了器件性能。
一种高压 ldmos 及其制造方法

[发明专利]一种提高浅沟槽填充能力的STI结构及其填充方法-CN202111497542.0在审
发明人：王妍;宋欢欢 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高STI浅沟槽填充能力的方法，包括：STI浅沟槽完成第一次填充物沉积后，去除部分所述第一次填充物，使所述第一次填充物内部的空洞外露；完成STI浅沟槽第二次填充物的沉积。在提高STI浅沟槽填充能力的方法中，通过两次进行STI的沟槽填充，在两次STI沟槽填充的步骤间，通过化学机械研磨使第一次STI沟槽填充完之后填充物内部出现的空洞外露，以使第二次STI沟槽填充后，确保STI
一种提高沟槽填充能力 sti 结构及其方法

[发明专利]STI氧化物陷阱电荷提取方法、装置、介质和计算机设备-CN201711288054.2在审
发明人：彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;恩云飞;黄云 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种STI氧化物陷阱电荷提取方法、装置、介质和计算机设备，对MOS器件进行结构仿真，得到器件结构模型。根据器件结构模型进行电学仿真，得到MOS器件在ON偏置状态下STI侧壁边缘的表面势。根据STI侧壁边缘的表面势计算STI寄生晶体管的等效栅氧厚度，根据STI寄生晶体管的等效栅氧厚度得到STI氧化层等效陷阱电荷密度。通过建立模型确定MOS器件在ON偏置状态下STI侧壁边缘的表面势，根据STI侧壁边缘的表面势计算STI寄生晶体管的等效栅氧厚度进而得到STI氧化层等效陷阱电荷密度，不需要借助总剂量辐照实验，通过仿真计算就能较精确地预测MOS器件的总剂量辐射效应退化，得到STI中辐射感应陷阱电荷的真实分布，从而更准确地评估MOS器件的总剂量辐射效应。
侧壁边缘表面势寄生晶体管陷阱电荷栅氧氧化物陷阱电荷计算机设备总剂量辐射偏置状态器件结构氧化层总剂量辐照仿真计算建立模型结构仿真真实分布电学退化辐射评估预测

[发明专利]纳米工艺下非对称MOS结构及其设计方法-CN201110395462.4无效
发明人：宋雯;蒋乐乐;刘丹青;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2011-12-03 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：其中该结构包括：对于NMOS，栅到源端STI的距离小于栅到漏端STI的距离；对于PMOS，栅到漏端STI的距离小于栅到源端STI的距离。其中该方法包括：对于NMOS，将器件的栅到源端STI的距离缩小而将其栅到漏端STI的距离增大，这样可以在不增加器件面积的情况下提高器件性能；对于PMOS，将器件的栅到漏端STI的距离缩小而保持栅到源端STI
纳米工艺对称 mos 结构及其设计方法

[发明专利]改善STI平坦度的方法-CN202210097309.1在审
发明人：靳丹丹;沈耀庭;周春 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本发明提供一种改善STI平坦度的方法，提供衬底，衬底上形成有阱，还形成有STI用以定义出的有源区；在衬底上形成覆盖STI和有源区的光刻胶层，光刻使得有源区和部分STI裸露；对裸露的有源区和部分STI进行离子注入，用以形成轻掺杂漏；利用非激活离子对裸露的有源区和部分STI进行离子注入，其中STI被离子注入的深度为第一深度，未被离子注入的深度为第二深度，第一深度与第二深度的差值小于10埃。本发明改善了离子注入的STI区域与未进行离子注入的STI区域间高度的差异，便于去除伪栅，避免金属栅成型后的性能受到影响。
改善 sti 平坦方法

[发明专利]LDMOS STI结构及工艺方法-CN201610470539.2在审
发明人：邢军军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS STI结构，该STI结构作为LDMOS漂移区场板介质，所述的STI结构是复合沟槽，沟槽内由热氧化层包裹HDP氧化层。本发明所述的LDMOS STI结构，即解决了常规STI深度深，导通电阻无法优化的问题，以及底部拐角比较尖而电场集中的问题；又可以很好的解决STI浅的时候，化学淀积氧化层介质可靠性的问题。本发明还公开了所述LDMOS STI结构的工艺方法。
ldmos sti 结构工艺方法

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