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[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN202111409309.2在审
发明人：韩广涛 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：在硅衬底表面依次形成第一氧化层、第一氮化硅层、第二氧化层和第二氮化硅层；形成贯穿第一氧化层、第一氮化硅层、第二氧化层和第二氮化硅层的窗口；在窗口侧面形成氮化硅侧墙；于所述窗口内刻蚀部分硅衬底，形成具有预定深度的沟槽；在第二氮化硅层表面、沟槽和窗口内沉积氧化物，并使用化学机械研磨去除多余的沉积的氧化物；去除第一氧化层、第一氮化硅层、第二氧化层和第二氮化硅层的剩余部分及氮化硅侧墙本发明优化了浅沟槽隔离结构的制备工艺，能够在不改变氮化硅单位体积内缺陷密度的情况下，极大程度的降低浅沟槽隔离结构中的硅残留，提高了产品良率。
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]一种氮化硅导热基板及其制备方法-CN202211451729.1在审
发明人：叶超超;赵紫娟 -专利权人：潍坊学院
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅导热基板及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，针对解决氮化硅导热基板高导热性能问题，通过新的原料和新制备方法实现氮化硅的高强高导热性能。具体步骤如下：将氮化硅镁、氢化钇、β‑Si3N4晶种和α‑Si3N4粉体按目标配比加入到球磨罐中，将无水乙醇作为介质，完成球磨混料、烘干、造粒，通过流延气压和热压烧结两种方式制备氮化硅导热基板。本发明的氮化硅导热基板，不仅导热性能达到≥80 W·(m·K)‑1，抗弯强度达到850MPa，且工艺简单，适用于高导热氮化硅、高致密度氮化硅和高硬度氮化硅等相关氮化硅材料制备和产品生产
一种氮化导热及其制备方法

[发明专利]多晶电阻的制造方法和多晶电阻-CN201410023295.4有效
发明人：由云鹏;潘光燃;石金成;王焜;文燕 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶电阻的制造方法和一种多晶电阻，其中，多晶电阻的制造方法包括在形成有氧化层和底层氮化硅层的衬底表面生长多晶硅层；对多晶硅层注入掺杂元素；刻蚀掉多晶硅层上的第一预设区域之外的多晶硅，保留第一预设区域的多晶硅，以形成电阻条区域；在形成有电阻条区域的衬底上方，生长顶层氮化硅层，顶层氮化硅层呈台阶状，顶层氮化硅层包括上台面氮化硅层和下台面氮化硅层；刻蚀掉下台面氮化硅层，以及下台面氮化硅层下面的底层氮化硅层；对上台面氮化硅层上的第二预设区域进行刻蚀
多晶电阻制造方法

[发明专利]锗基光波导及其制备方法-CN201910185469.X有效
发明人：熊文娟;李俊峰;王桂磊;赵雪薇;赵超;亨利·H·阿达姆松 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：该制备方法包括以下步骤：S1，在第一衬底上顺序形成第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层，第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层沿远离衬底的方向顺序层叠；S2，在第二氮化硅层中形成与锗籽晶层连通的第一凹槽，并在第一凹槽中填充锗材料以形成脊形波导芯层；S3，形成覆盖第二氮化硅层和脊形波导芯层的第三氮化硅层，第二氮化硅层与第三氮化硅层构成锗基光波导的上包层，第一氮化硅层为锗基光波导的下包层，脊形波导芯层位于上包层和下包层之间
锗基光波导及其制备方法

[发明专利]一种纳米氮化硅增强水泥基材料及其制备方法-CN201910176694.7有效
发明人：朱建平;朱丽飞;冯春花;郭本凯;高飞;陈钰;管学茂 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C04B28/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米氮化硅增强水泥基材料及其制备方法，主要包括三个步骤：首先是纳米氮化硅材料的热处理，将纳米氮化硅材料进行热处理；然后将热处理后的纳米氮化硅材料加入高效分散剂制备成纳米氮化硅悬浮液；最后将纳米氮化硅悬浮液加入至水泥净浆搅拌机进行一定方式的搅拌，制备成纳米增强氮化硅水泥基材料。本发明制备的纳米增强氮化硅水泥基材料，制备工艺简单，易操作，纳米氮化硅加入后，改善了水泥浆体的微观结构，降低了孔隙率，减少了水泥浆体中存在的孔隙和裂纹等缺陷，提高了微观结构致密性，大大改善了水泥浆体的力学性能，在纳米氮化硅0.16％掺入量时28d抗压强度提高了24.6％，28天的抗折强度提高了19.8％。
一种纳米氮化增强水泥基材料及制备方法

[实用新型]一种氮化硅生产切割固定装置-CN202122116654.9有效
发明人：杨军 -专利权人：天津市瓦克新能源科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅生产切割固定装置，包括工作台，工作台上设有竖直向下的升降板，以及滑动设有用于放置氮化硅陶瓷基板且与升降板正面相接触的放置板，放置板的顶端设有竖直向上且与升降板相平行的固定板，固定板上设有多个用于顶紧氮化硅陶瓷基板的顶紧件，顶紧件包括螺纹连接在固定板上的螺纹杆，螺纹杆的一端经轴承设有用于将氮化硅陶瓷基板顶紧到升降板上的顶紧板；本实用新型便于对氮化硅陶瓷基板进行固定，只需要使得氮化硅陶瓷基板放置在放置板上并使氮化硅陶瓷基板的端部靠在定位挡板上，可以快速对氮化硅陶瓷基板进行定位，提高了氮化硅陶瓷基板的定位固定效率，也就提高了氮化硅陶瓷基板的切割效率。
一种氮化生产切割固定装置

[发明专利]层叠型半导体元件的制造方法、层叠型半导体元件及其制造装置-CN201410109233.5有效
发明人：长谷部一秀;大部智行;黑川昌毅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：具备下述步骤层叠膜形成步骤，其具有下述工序氧化硅膜形成工序，使用三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一种在半导体基板上形成氧化硅膜；和氮化硅膜形成工序，在通过氧化硅膜形成工序形成的氧化硅膜上形成氮化硅膜，重复多次氧化硅膜形成工序和氮化硅膜形成工序，在半导体基板上形成交替配置多个氧化硅膜与多个氮化硅膜的层叠膜；氮化硅膜蚀刻步骤，将构成层叠膜的氮化硅膜进行蚀刻；降低碳浓度的步骤，将氮化硅膜蚀刻步骤中没有被蚀刻的氧化硅膜中的碳去除而降低碳浓度；以及电极形成步骤，在氮化硅膜蚀刻步骤中被蚀刻的区域形成电极。
层叠半导体元件制造方法及其装置

[发明专利]基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法-CN202110459989.2在审
发明人：佘小娟;廖涵;赵瑛璇;仇超;甘甫烷 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法，该光分路器包括：自下而上依次设置的硅层、氧化硅层及氮化硅波导层；氮化硅波导层的中间部分形成有二维氮化硅光子晶体波导，两端分别形成有光栅发射器；二维氮化硅光子晶体波导包括一列沿氮化硅波导层长度方向呈周期性排布的圆形凹槽及中间部分氮化硅波导层采用氮化硅材料可应用的带宽大，且两个半圆环形镂空孔设计的氮化硅光栅光学损耗小，光出射效率高；另外，光分束器可实现对片外光波的收集同时对光波传输、分光形成片外出射光；最后，制备方法与CMOS工艺良好兼容，
基于氮化光子晶体分路及其制备方法

[发明专利]一种高韧性高硬度氮化硅陶瓷刀具及其制备方法-CN202210444357.3在审
发明人：叶鑫;项忠楠;李友军;徐金海 -专利权人：滁州用朴新材料科技有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种高韧性高硬度氮化硅陶瓷刀具及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。本发明在制备高韧性高硬度氮化硅陶瓷刀具时，先将一氧化硅通氮气生长制得氮化硅纳米线，将1,11‑十二二烯依次和甲基二氯硅烷、甲醇反应制得两端甲基二甲氧基硅基十二烷，将氮化硅纳米线和两端甲基二甲氧基硅基十二烷反应制得改性氮化硅纳米线，将全氢聚硅氮烷、改性氮化硅纳米线、氧化铝、氧化钇、氮化硅混合置于模具中进行固化定形，再进行烧结，得到刀具胚体，最后进行多次浸渍煅烧处理后抛光制得高韧性高硬度氮化硅陶瓷刀具。本发明制备的高韧性高硬度氮化硅陶瓷刀具具有优良的断裂韧性和耐磨损性。
一种韧性硬度氮化陶瓷刀具及其制备方法

[发明专利]一种氮化硅镁粉体及其制备方法-CN202310657373.5在审
发明人：朱福林;肖亮;汤娜;刘明;李能 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅镁粉体及其制备方法，属于无机非金属粉体材料领域。本发明利用溶剂热法将叠氮盐与四氯化硅在较低温度下与镁粉表面合成致密氮化硅层，实现了镁粉与氮化硅高机械强度和化学惰性的完美结合，形成的氮化硅是一种超硬物质，还具有良好的化学惰性，经氮化硅改性后的镁粉能够有效抑制粉体间的相互作用，保证颗粒的均匀分散，不会造成镁元素损失，且反应温度能够可控降低，从而也能降低镁的蒸发，进一步提高镁元素的利用率；氮化硅镁作为稀释剂，能够控制反应速率，减少放热量，降低燃烧温度，且能够形成小粒径的纯相氮化硅镁，避免了常规工艺中由于镁粉损失而形成杂相氮化硅等的弊端，提高了氮化硅镁粉体的纯度。
一种氮化镁粉及其制备方法

[发明专利]一种制备高导热氮化硅陶瓷的方法-CN202310023868.2在审
发明人：祁海;李峰;沈十林;田云龙;张培志;郭方全 -专利权人：上海维安电子股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明提出一种制备高导热氮化硅陶瓷的方法，对主要为α相的氮化硅原料粉体进行氧化和细化处理，使氮化硅粉料颗粒表面氧化形成二氧化硅，增加氮化硅烧结时的液相含量，提高了粉体的烧结活性，同时,经细化处理的氮化硅颗粒更容易使后续添加的β相籽晶长大，从而降低烧结温度、减少烧结助剂添加量，达到低成本制备高导热氮化硅的目的，过程包括首先对氮化硅原料粉体进行细化和氧化处理，再向粉料中添加一定含量的β相籽晶和烧结助剂，混料成型成陶瓷素坯后进行气压烧结，得到高导热氮化硅陶瓷材料。采用该方法制备的高导热氮化硅陶瓷材料热导率可达80W•m‑1•K‑1以上，抗弯强度可达800MPa以上。
一种制备导热氮化陶瓷方法

[发明专利]坩埚脱模剂材料-CN201710426007.3在审
发明人：魏汝超 -专利权人：超能高新材料股份有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种坩埚脱模剂材料，主要是由氮化硅所组成，所述氮化硅成分中具有重量百分比介于0.5‑30％，粒径小于100nm的纳米氮化硅。本发明中纳米级的氮化硅粉末可以包覆于一般较大粒径的氮化硅及填入一般较大粒径的氮化硅堆栈排列的空隙之间的特性，使在长晶过程中，纳米氮化硅可以产生微烧结而提升了坩埚脱模剂的氮化硅间的结合力，以解决现有技术中坩埚脱模剂在使用时产生剥落或掉粉的问题
坩埚脱模氮化硅纳米氮化硅大粒径氮化硅堆栈氮化硅粉末重量百分比烧结结合力纳米级粘着剂包覆掉粉粒径填入剥落污染

[发明专利]光固化3D打印用氮化硅陶瓷浆料、制备方法及氮化硅陶瓷-CN201910674244.0在审
发明人：董衡;韩耀;肖振兴;李淑琴;张剑;吕毅;张天翔;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明提供一种光固化3D打印用氮化硅陶瓷浆料、制备方法及氮化硅陶瓷，以解决目前光固化3D打印用氮化硅陶瓷浆料及其制备过程所存在的问题，其中，制备方法包括：将氮化硅粉体分散在适量溶剂得到悬浮液，在所述悬浮液中加入适量含烷基基团的硅烷偶联剂并经处理后得到预处理的氮化硅粉体，其中，所述预处理的氮化硅粉体表面包覆一层具有氧化物特性的含有烷基基团的SiO₂膜；将所述预处理的氮化硅粉体与烧结助剂、树脂单体、分散剂和光引发剂混合处理即得氮化硅陶瓷浆料。
氮化硅陶瓷浆料预处理氮化硅粉体光固化制备打印氮化硅陶瓷烷基基团悬浮液硅烷偶联剂氧化物特性氮化硅粉光引发剂混合处理烧结助剂树脂单体体表面包制备过程分散剂溶剂

[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷表面NaA分子筛膜及其制备方法-CN202111600702.X在审
发明人：曾宇平;胡译丹;左开慧;夏咏锋;尹金伟;姚冬旭;梁汉琴 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔氮化硅陶瓷表面NaA分子筛膜及其制备方法。所述多孔氮化硅陶瓷表面NaA分子筛膜的制备方法包括：（1）对多孔氮化硅陶瓷进行预烧结处理，得到多孔氮化硅陶瓷支撑体；（2）将多孔氮化硅陶瓷支撑体进行热处理，然后浸渍到分散均匀的NaA分子筛晶种悬浮液中，再经烘干，得到表面涂有NaA分子筛晶种的多孔氮化硅陶瓷支撑体；（3）将表面涂有NaA分子筛晶种的多孔氮化硅陶瓷支撑体竖直放置于含有铝源、硅源、碱源和水的NaA分子筛膜合成液中，进行水热处理，再经清洗和干燥，在多孔氮化硅表面制备得到NaA分子筛膜。
一种多孔氮化陶瓷表面 naa 分子筛及其制备方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷金属化材料及其制备方法与应用-CN201210303971.4有效
发明人：胡铁武 -专利权人：冷水江市明玉陶瓷工具有限责任公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：一种氮化硅陶瓷金属化材料及其制备方法与应用，该材料包括以下重量百分配比的组分：Cr:12～21％；Fe:8～15%；Ti:10～26％；Mo:3～10%；Co:13～20％；Al:0～3%；Ni:0.5～3%；Si:0.1～3%；B:0.1～2%；C:0.1～5%；氮化硅陶瓷粉:13～21％；所述各组分配比之和为100%。本发明还包括所述氮化硅陶瓷金属化材料的制备方法与应用。利用本发明之氮化硅陶瓷金属化材料制成的氮化硅陶瓷金属化层与氮化硅陶瓷润湿好，形成牢固的界面结合，能在700～750℃的环境下长期使用，有效解决了氮化硅陶瓷之间、氮化硅陶瓷与金属之间的封接问题。
一种氮化陶瓷金属化材料及其制备方法应用