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[发明专利]通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法-CN200710126049.1有效
发明人：瑞维克·巴哈迪亚;夏立群;查德·彼得森;海彻姆·马萨德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法。所述氮化硅硬掩膜包括掺杂碳的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。本发明提供了由包含碳源化合物、硅源化合物和氮源的化合物在RF功率的存在下沉积的掺杂碳的氮化硅层。本发明还提供了对氮化硅层进行UV后处理以提供氮化硅硬掩膜的方法。所述掺杂碳的氮化硅层和经UV后处理的氮化硅层具有硬掩膜层所期望的湿法蚀刻速率和干法蚀刻速率。
通过添加降低氮化蚀刻速率方法

[实用新型]氮化硅电路基板-CN202220743291.3有效
发明人：杨金雷 -专利权人：江苏鑫洋盛自动化科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及氮化硅的技术领域，尤其涉及一种氮化硅电路基板。这种氮化硅电路基板包括氮化硅基板，氮化硅基板的上表面设有凸块，在氮化硅基板的上表面以及凸块的表面设有一层钛膜，氮化硅基板的上端套设金属片，所述金属片的上端连接金属电路。这种氮化硅电路基板设置凸块，并且复合一层钛膜，金属电路板与金属板连接时设置结合层，保证氮化硅基板与金属电路板、金属板之间紧密接合。
氮化路基

[发明专利]具有降低的界面应变的氮化硅膜-CN202180065423.X在审
发明人：梁勇;安·梅里尼丘克 -专利权人：普赛昆腾公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种方法包括在半导体晶片的顶面上沉积第一氮化硅层，并在第一氮化硅层中形成一个或更多个第一间隙。一个或更多个第一间隙可以减轻在第一氮化硅层中形成的应力。在第一氮化硅层上沉积第一填充材料，并将第一氮化硅层平坦化。在第一氮化硅层上沉积第二氮化硅层，并且在第二氮化硅层中形成一个或更多个第二间隙。一个或更多个第二间隙可以减轻在第二氮化硅层中形成的应力。在第二氮化硅层上沉积第二填充材料，并将第二氮化硅层平坦化。
具有降低界面应变氮化

[发明专利]一种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法-CN202010438326.8有效
发明人：林智杰;孙旭东;曾一明;赵睿宁;杨宏伟;陈家林;戴品强;田君;常发;洪春福;陈洪祥;邹林池;张牧 -专利权人：贵研铂业股份有限公司;福建工程学院;东北大学
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明公开了无机陶瓷材料技术领域的一种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该种仿生氮化硅陶瓷材料的原料包括：β氮化硅晶须晶种；α氮化硅颗粒粉末；分散剂；粘结剂；塑化剂；溶剂，所述β氮化硅晶须直径为10～1000nm，长径比为4：1～100：1，所述α氮化硅颗粒粒径为0.01～10微米，氮化硅原料中β氮化硅晶须晶种占比5～50wt％，该种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该方法以晶须定向增强薄膜为基元，提高基元的强度，薄层层叠形成陶瓷的氮化硅陶瓷材料，通过仿生人骨结构，溅射助剂形成梯度助剂，保证错排层叠结构的形成，形成错排层叠结构后，提高氮化硅陶瓷的强度和韧性。
一种仿生氮化陶瓷材料及其制备方法

[实用新型]一种新型用于降低多晶铸锭氧含量的装置-CN201621074992.3有效
发明人：孟涛;路景刚;王海庆 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型用于降低多晶铸锭氧含量的装置，包括石英坩埚和氮化硅板，石英坩埚侧壁上设有第一氮化硅粉涂层，石英坩埚底部设有第二氮化硅粉涂层，第二氮化硅粉涂层上设有凹槽组，氮化硅板底部设有凸起组，凸起组包括第一凸起和若干第二凸起，第一凸起包括水平凸起和竖直凸起，氮化硅板顶部设有第三氮化硅粉涂层，氮化硅板和第三氮化硅粉涂层侧壁与第一氮化硅粉涂层内壁之间设有第四氮化硅粉涂层；本实用新型利于降低硅锭下部和有效部位的氧含量，隔绝石英坩埚中的铁向硅锭扩散
一种新型用于降低多晶铸锭含量装置

[实用新型]一种氮化硅生产加工用混料装置-CN202122521712.6有效
发明人：刘长峰 -专利权人：山东祥峰新材料科技有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： B01F35/21 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅生产加工用混料装置，包括高纯氮化硅储存箱和氮化硅稀释剂储存箱，所述高纯氮化硅储存箱一侧设有PLC控制器，所述PLC控制器与外部电源电性连接，所述高纯氮化硅储存箱和氮化硅稀释剂储存箱下对称设有自动称重下料机构通过设置高纯氮化硅储存箱和氮化硅稀释剂储存箱，从而达到便于放置高纯氮化硅与氮化硅的目的，令PLC控制器达到中心控制的目的，本实用新型对现有技术做出了改进，能够自动进行质量分配，所需质量分配时间较短，而且质量分配的效果很好，最后大大提高了氮化硅的质量。
一种氮化生产工用装置

[发明专利]一种陶瓷氮化硅发热体-CN202310907664.5在审
发明人：曾小锋;肖立;谢山穗;谭皓文;李杨 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本发明公开一种陶瓷氮化硅发热体，包括氮化硅基体、发热源和发热真空腔，氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二烧结为一体后形成氮化硅基体，采用已经烧制好的氮化硅陶瓷片在进行再次烧结的时候，其结构应力很小；氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二上均开设有发热真空腔，发热真空腔为烧结时的预制腔，在初始的氮化硅发热体正常工作时，发热真空腔的开口处密封件进行密封；当初始发热源故障后，通过将密封件打开在发热真空腔内放置备用发热源，使得该氮化硅基体仍能使用，降低了维修成本
一种陶瓷氮化发热

[发明专利]一种调整氮化硅折射率的方法-CN201210208995.1无效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种调整氮化硅折射率的方法，包括：执行步骤S1：提供衬底，所述衬底用于支撑所述基准氮化硅薄膜；执行步骤S2：基准氮化硅薄膜的制备，在所述衬底上沉积所述基准氮化硅薄膜，且所述基准氮化硅薄膜具有统一的折射率；执行步骤S3：通过紫外光照射所述基准氮化硅薄膜以进行折射率调整。通过本发明所述调整氮化硅折射率的方法所制备的基准氮化硅薄膜性质单一、折射率可控。利用本发明所述调整氮化硅折射率的方法调整所述基准氮化硅薄膜的折射率不仅减少了设备制程之间的频繁转换，维护方便，而且提高了设备的利用率和使用寿命。
一种调整氮化折射率方法

[发明专利]低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法及设备-CN02158760.4无效
发明人：孙加林;洪彦若;祝少军 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2002-12-26 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法及设备。本发明涉及无机非金属材料的制备方法。本发明以硅粉或硅铁粉为原料，加入稀释剂氮化硅或氮化硅铁细粉制成配合料，在立式燃烧合成反应炉中，控制加入配合料的料量，控制氮气压力为0.01～3MPa，并在900℃～1850℃之间进行连续或间断燃烧合成，燃烧合成后的氮化硅或氮化硅铁经自然冷却或强制冷却后，呈块状的成品，再经球磨机、振动磨机或其它磨碎设备制成粉末。解决了现有燃烧合成氮化硅或氮化硅铁方法不能连续、规模生产的问题，实现了既可以间断又可以连续大规模生产氮化硅或氮化硅铁。
低压燃烧合成氮化方法设备

[发明专利]碳氮化硅点火器及其制作方法-CN200910048182.9有效
发明人：陈长明 -专利权人：上海汉源特种陶瓷有限公司
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： F23Q7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳氮化硅点火器及其制作方法。碳氮化硅点火器包括载体、带电极的发热钨丝和导线，载体为实体层状结构件，包括氮化硅内芯、碳化硅表层以及夹在氮化硅内芯和碳化硅表层之间的碳氮化硅过渡层，发热钨丝嵌装在氮化硅内芯中，发热钨丝电极设置在载体的一端制作方法包括制作氮化硅素坯、制作碳片、制作碳氮化硅点火器基体和焊接导线等步骤。采用本发明的制作方法制作的碳氮化硅点火器由于表层是碳化硅层，可在＞1400℃的温度工况下工作不会氧化，由于内芯是氮化硅，又保持了点火器的高温抗冲击、抗热震性能。
氮化点火器及其制作方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法-CN201010573417.9无效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成垫氧化层；采用炉管氮化工艺在所述垫氧化层表面形成第一垫氮化硅层；采用化学气相沉积工艺在所述第一垫氮化硅层表面形成补偿氮化硅层；刻蚀所述补偿氮化硅层、第一垫氮化硅层、垫氧化层以及半导体衬底形成沟槽；填充所述沟槽，在上述半导体结构表面形成绝缘介质层；研磨所述绝缘介质层，直至露出所述补偿氮化硅层；去除所述补偿氮化硅层以及第一垫氮化硅层本发明通过采用炉管氮化以及化学气相沉积两步工艺形成垫氮化硅层，改善了垫氮化硅层厚度的均匀性。
沟槽隔离结构制作方法

[发明专利]一种高分子材料表面增亮耐磨镀膜工艺及其制得的光学镀膜-CN202111499911.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市恒鼎新材料有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分子材料表面增亮耐磨镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：镀氮化硅打底层步骤：在待镀膜工件表面通过溅射镀膜，镀氮化硅打底层；镀光学膜层步骤：在氮化硅打底层上镀氮化硅和碳化硅合金膜层，然后在氮化硅和碳化硅合金膜层上镀氮化硅过渡层，作为一个光学周期，镀光学膜层步骤包括若干光学周期；镀耐磨层步骤：在光学镀膜层上镀氮化硅和碳化硅合金膜层，通过上述设置，氮化硅和碳化硅合金膜层放在两层氮化硅之间，可以消除氮化硅膜层本身的应力；用氮化硅和碳化硅合金膜层作为外观膜层
一种高分子材料表面耐磨镀膜工艺及其光学

[发明专利]一种波导型锗探测器集成工艺方法及波导型锗探测器-CN202310339887.6在审
发明人：范智斌 -专利权人：苏州希卓科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种波导型锗探测器集成工艺方法，硅片热氧化后，利用LPCVD沉积氮化硅，并制作氮化硅波导，再通过选择性锗外延工艺直接在硅片上外延锗，完成氮化硅波导和锗探测器集成。本发明通过在LPCVD氮化硅层中开窗暴露硅衬底和实现锗外延，解决了先锗外延、后LPCVD氮化硅制程产生的锗外延不耐受LPCVD氮化硅高温的问题。采用LPCVD工艺制备的氮化硅具有更低的光损耗，结合氮化硅开窗后的选择性外延锗方法，能够制备高性能的集成氮化硅波导的有源器件。
一种波导探测器集成工艺方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及其制备方法和应用-CN201810569814.5有效
发明人：伍尚华;黄容基;蒋强国;伍海东;刘文勇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料的技术领域，尤其涉及一种氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种氮化硅陶瓷浆料的制备方法包括以下步骤：步骤一、将氮化硅粉体加热处理，得到热氧化氮化硅粉体；步骤二、将所述热氧化氮化硅粉体与烧结助剂混合和干燥，得到干燥粉体；步骤三、将所述干燥粉体与树脂、分散剂、消泡剂和光引发剂混合，得到氮化硅陶瓷浆料。本发明具有以下优点：氮化硅粉体表面氧化处理成本低；显著提高氮化硅陶瓷浆料的固含量；减少氮化硅陶瓷浆料在光固化成型过程中的散射现象；减少氮化硅陶瓷浆料在光固化成型过程中所需的曝光时间，提高了成型效率；热氧化氮化硅粉体能促进烧结致密化及提高陶瓷性能
一种氮化陶瓷浆料及其制备方法应用

[发明专利]大尺寸氮化硅轴承球的烧结方法和大尺寸氮化硅轴承球的制备方法-CN201910980074.9有效
发明人：张永乾;万磊;于琦;孔永刚;马越;李夏;孙永安;徐梅 -专利权人：洛阳轴承研究所有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸氮化硅轴承球的烧结方法和大尺寸氮化硅轴承球的制备方法，属于大尺寸氮化硅轴承球技术领域。本发明的大尺寸氮化硅轴承球的烧结方法，包括以下步骤：将待烧结的氮化硅球形生坯放置在托持装置上，托持装置具有对氮化硅球形生坯的下部球面进行托持的托持面，氮化硅球形生坯在下部球面被托持的条件下进行烧结，得到氮化硅轴承球烧结坯该方法通过支撑烧结的方式对大尺寸氮化硅轴承球进行烧结，这种托持下烧结可缓解大尺寸氮化硅轴承球变形，得到的氮化硅轴承球烧结坯的尺寸精度高，表面质量好，大大提高了加工精度，为后续大尺寸高精度轴承球的加工建立基础，适应于风电轴承等需要大尺寸氮化硅轴承球的应用领域。
尺寸氮化轴承烧结方法制备