专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种绿色玻璃盖板-CN201821449896.1有效
  • 尹凡华;周伟杰 - 信利光电股份有限公司
  • 2018-09-05 - 2020-10-02 - C03C17/34
  • 本实用新型公开了一种绿色玻璃盖板,包括:具有相对设置的第一表面和第二表面的玻璃基板;颜色膜层,设置在所述玻璃基板的第一表面,所述颜色膜层为绿色,所述颜色膜层为交叉层叠的多层第一氮化膜层和多层第二氮化膜层;所述第一氮化膜层与第二氮化膜层的折射率不同;黑色油墨层,设置在所述玻璃基板的第二表面。本实用新型中,通过多层折射率不同的第一氮化膜层和第二氮化膜层的反复叠加,合理调控第一氮化膜层和第二氮化膜层的层数和厚度,使得颜色膜层既能提高玻璃基板表面的硬度又能显示绿色,达到美观效果,由于只需使用氮化一种材料
  • 一种绿色玻璃盖板
  • [发明专利]一种氮化基复合材料及其制备方法-CN201810478171.3有效
  • 刘强;叶枫;张海礁;张标;高晔 - 哈尔滨工业大学
  • 2018-05-18 - 2021-04-02 - C04B35/584
  • 本发明提供了一种氮化基复合材料及其制备方法,具体的,氮化粉体和氮化硼先驱体的混合粉体在通入氨气的高温炉中得到纳米级氮化硼改性的氮化粉体;将纳米级氮化硼改性的氮化粉体与烧结助剂在无水乙醇中球磨混合,干燥过筛后烧结,得到致密的氮化基复合材料;将所获得致密氮化基复合材料在氮气保护气氛炉中进行高温长时间热处理,得到高热导率、高抗弯强度及高韧性的氮化基复合材料,满足大功率电子器件的封装材料及高超音速飞行器透波窗口材料的性能要求
  • 一种氮化复合材料及其制备方法
  • [发明专利]具有对氮化(SI3N4)的亲和性的肽及其用途-CN201380009283.X有效
  • 熊田杨一;岸本通雅;大塚武 - 国立大学法人京都工艺纤维大学
  • 2013-02-12 - 2017-06-13 - C12N15/09
  • 本发明的目的是提供具有对氮化的亲和性的肽;编码所述肽的多核苷酸;用于表达具有对氮化的亲和性的肽的表达载体;用于表达包含具有对氮化的亲和性的肽和靶蛋白的肽融合蛋白的表达载体;通过将表达载体引入至宿主细胞中获得的转化体;由所述转化体获得的肽融合蛋白;已经结合有具有对氮化的亲和性的肽的氮化基材;用于将靶蛋白固定化至氮化基材的方法;用于将靶蛋白固定化至氮化基材的组合物,所述组合物包含具有对氮化的亲和性的肽;和用于将靶蛋白固定化至氮化基材的接头,所述接头包含具有对氮化的亲和性的肽。本发明涉及具有对氮化的亲和性的肽,所述肽包含(1‑1)具有SEQ ID NO1,2和23‑27中之一的氨基酸序列的肽,(1‑2)具有对氮化的亲和性并且包含通过在(1‑1)中指示的氨基酸序列之一中缺失
  • 具有氮化sisub亲和性及其用途
  • [发明专利]一种氮化导电陶瓷及其制备方法-CN202010817985.2在审
  • 于利学;李正闯;李平齐 - 威海圆环先进陶瓷股份有限公司
  • 2020-08-14 - 2020-11-17 - C04B35/584
  • 本发明公开了一种氮化导电陶瓷及其制备方法,该氮化导电陶瓷由以下质量百分比的原料制备而成,包括氮化陶瓷粉体65‑90%、氧化镁2‑6%、氧化钇1‑5%、碳化钛0.5‑3%、氮化钛5‑10%、高纯碳1该氮化导电陶瓷以氮化陶瓷粉体为基体原料,再与其它助剂进行复配,通过脱脂脱胶、烧结的步骤制备成具有良好导电性能的氮化陶瓷材料,该材料在保持了陶瓷固有的优良性能的基础上,便于对其采用放电方法进行加工,本发明所述制备方法简单,原料易得,赋予氮化陶瓷优良的导电性能,扩大了氮化陶瓷的使用范围,因此,本发明所述制备方法具有重要的意义。
  • 一种氮化导电陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]一种氮化陶瓷粉体及其制备工艺-CN202110043495.6在审
  • 林伟毅 - 福建臻璟新材料科技有限公司
  • 2021-01-13 - 2021-03-30 - C04B35/584
  • 本发明涉及一种氮化陶瓷粉体及其制备工艺,通过水煤气和催化剂作用下制备氮化粉体、高导热陶瓷的制备工艺,氮化陶瓷粉体由以下重量配比的原料制成:纳米气相二氧化硅6%~11%,白炭黑80%~89%,分散剂1%~3%,氧化物4%~6%,氮化陶瓷粉体的制备工艺。本发明的氮化陶瓷粉体以金属氧氮化物作为烧结助剂,可实现低温快速氮化,同时提前加入可以免除后期酸洗过程,简化操作工艺;旋转炉的使用可以实现快速散热;水煤气便宜易得,还原性好;将氮气和氩气混合气体代替氮气制取氮化粉,可大大加快反应速度,解决了现有技术中制备周期长、工艺复杂且制备的氮化陶瓷粉体纯度不高,进而导致的氮化陶瓷致密性不高,导热系数低的技术问题。
  • 一种氮化陶瓷及其制备工艺
  • [发明专利]在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法-CN200910055509.5无效
  • 徐爱斌;李荣林;李栋;董耀旗;宗登刚 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2009-07-28 - 2010-01-13 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法,包括如下步骤:在多晶硅膜层上淀积第一层氮化膜层;在第一层氮化膜层上涂布光刻胶,光刻定义沟槽区域;刻蚀曝光露出的第一层氮化膜层,去除剩余光刻胶;在刻蚀后的第一层氮化膜层上淀积第二层氮化膜层;干法刻蚀第二层氮化膜层,并在第一层氮化膜层中形成侧墙和隔离区;用刻蚀后剩余的氮化膜层作为硬掩膜层,刻蚀多晶硅膜层,在多晶硅膜层内形成窄沟槽结构;去除剩余的氮化膜层。本发明不需要改进光刻设备即可在多晶硅膜层中制备宽度<=0.10um的窄沟槽结构,且窄沟槽的宽度可以通过改变第二层氮化膜层的厚度控制。
  • 多晶硅膜层中形成沟槽结构制备方法

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