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[发明专利]半导体晶粒的制造方法-CN201910537982.0在审
发明人：王韻婷;林奕安;张庆全;郭铂漳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：形成下钝化层于半导体基板之上的介电层上。然后，形成第一开口于下钝化层内以露出介电层的一部分。接着，形成金属垫于第一开口内。之后，形成第一氧化物系钝化层于金属垫之上。然后，形成第二氧化物系钝化层于第一氧化物系钝化层之上。第二氧化物系钝化层具有硬度小于第一氧化物系钝化层的硬度。
钝化层氧化物系介电层金属垫开口半导体基板半导体晶粒制造

[发明专利]一种载流子选择性钝化接触太阳电池及其制备方法-CN202111180819.7在审
发明人：王光红;王文静;赵雷;莫丽玢;刁宏伟 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及了一种载流子选择性钝化接触太阳电池，包括依次设置的第一梯度金属氧化物层、第一非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二非晶硅钝化层、第二梯度金属氧化物层；第一梯度金属氧化物层和所述第二梯度金属氧化物层均包括采用纯氩气沉积得到的第一层金属氧化物层和采用氩气和氧气混合气体沉积得到的第二层金属氧化物层本发明采用梯度金属氧化物层，减少与非晶硅钝化层接触的金属氧化物中氧，避免了非晶硅中的氢与金属氧化物中的氧的反应，提升了载流子选择性钝化接触太阳电池的钝化性能，进而提升太阳电池的热稳定性。
一种载流子选择性钝化接触太阳电池及其制备方法

[发明专利]用特定不饱和钝化剂钝化的(稳定化)过氧化物组合物-CN03814329.1无效
发明人： K·A·K·范杜费尔;M·C·塔默;P·P·万德斯;A·P·范斯威腾 -专利权人：阿克佐诺贝尔股份有限公司
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： C07C409/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用特定不饱和钝化剂钝化的过氧化物组合物。钝化的过氧化物组合物任选被稳定化。另外，本发明涉及安全处理这些过氧化物组合物的方法和这些过氧化物组合物在聚合方法中的用途。
特定不饱和钝化剂钝化稳定过氧化物组合

[实用新型]太阳电池及电池组件-CN202021954403.7有效
发明人：李华;刘继宇 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳电池包括N型硅基底、发射极层、金属氧化物钝化层、氧化铝界面层、铝电极以及第一电极；金属氧化物钝化层中的金属的氧亲和力小于铝的氧亲和力；第一电极位于发射极层上；金属氧化物钝化层、铝电极层叠设置，金属氧化物钝化层与铝电极发生氧化还原化学反应后，生成位于两者之间的氧化铝界面层。铝电极中的铝抢夺金属氧化物钝化层中的氧，发生氧化还原化学反应，形成氧化铝界面层，无需使用自燃、爆炸性的硅烷和有毒的气体，且金属氧化物钝化层的导电性好，N型硅基底与金属氧化物钝化层形成的异质结的接触电阻率低，钝化质量好，提高了电池的电流密度。
太阳电池电池组件

[发明专利]深沟槽隔离结构及其形成方法-CN201610626795.6在审
发明人：赖志育;周正贤;蔡正原;江彦廷;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：实例性隔离结构包括位于半导体衬底中的沟槽的底面上方并且沿着半导体衬底中的沟槽的侧壁延伸的第一钝化层，其中，第一钝化层包括第一介电材料。半导体器件还包括沟槽中的位于第一钝化层上的钝化氧化物层，其中，钝化氧化物层包括第一介电材料的氧化物并且具有比第一钝化层高的氧原子百分比。半导体器件还包括沟槽中的位于钝化氧化物层上的第二钝化层，其中，第二钝化层也包括第一介电材料并且具有比钝化氧化物层低的氧原子百分比。本发明实施例涉及深沟槽隔离结构及其形成方法。
深沟隔离结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180003508.5有效
发明人：刘阳;杜卫星;王攀;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、经掺杂氮化物基半导体层、栅极电极、第一氮氧化物介电层、第一钝化层、第二氮氧化物介电层、第二钝化层和S/D电极。所述第一氮氧化物介电层安置在所述第二氮化物基半导体层之上，并共形地覆盖所述经掺杂氮化物基半导体层和所述栅极电极。所述第一钝化层安置在所述第一氮氧化物介电层上并与所述第一氮氧化物介电层接触。所述第二氮氧化物介电层安置在所述第一钝化层上并与所述第一钝化层接触。所述第二钝化层安置在所述第二氮氧化物介电层上并与所述第二氮氧化物介电层接触。所述S/D电极穿过，与所述第二氮化物基半导体层接触。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]发光性能稳定的硫化物荧光体及制备发光性能稳定的硫化物荧光体的原子层沉积法-CN202110714743.5在审
发明人：陈焰;胡广齐;叶炜浩;梁敏婷 -专利权人：佛山安亿纳米材料有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C09K11/84 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种发光性能稳定的硫化物荧光体：包括基底和在基底的表面形成的氧化物钝化层，基底为碱土硫化物发光材料，氧化物钝化层中含有的氧化物以MxOy的形式表示，氧化物钝化层由M原子单原子层和O原子单原子层复合而成。本发明提供的硫化物荧光体的氧化物钝化层由若干单原子层组成，相邻的单原子层间通过化学键键合，从而使氧化物钝化层具有规律排布、紧密复合的层间结构，具有致密的薄膜特性，由此能够对碱土硫化物发光材料起到有力而长效的保护，使碱土硫化物发光材料长期维持其应有的发光性能，延长应用碱土硫化物发光材料的产品的使用寿命。
发光性能稳定硫化物荧光制备原子沉积

[发明专利]互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法-CN200410087716.6无效
发明人：金恩志 -专利权人：美格纳半导体株式会社
申请日： 2004-10-25 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法，能够保护低温氧化物层，避免钝化层发生剥落。该方法包含下列步骤：在垫金属上形成钝化层；通过使用第一垫掩模，将钝化层图案化，暴露出垫金属的预定部分；在暴露的垫金属上和形成在垫开口区周围的钝化层上，形成氧化物层；依序形成彩色滤光片，平坦化层和微透镜；在上述的结构上形成低温氧化物层，以保护微透镜；及通过第二垫掩模，选择性蚀刻形成在垫开口区周围的低温氧化物层和氧化物层，打开垫金属。
互补金属氧化物半导体影像传感器制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202211341586.9在审
发明人：陈涛;钱坤;尹记红;朱梦媚 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有顶层金属层；在所述顶层金属层上形成钝化层，所述钝化层包含依次层叠的第一氧化物层、氮化物层与第二氧化物层。本发明通过将钝化层设置为氧化物、氮化物与氧化物三层层叠的结构来减小所述钝化层的应力，从而提高所述钝化层抵抗外界应力的能力，以避免所述顶层金属层变厚时在所述钝化层中产生裂纹，从而提高产品的可靠性。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]复合材料、薄膜、电致发光器件和显示装置-CN202111658491.5在审
发明人：马兴远 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合材料，包括金属氧化物纳米颗粒及连接在所述金属氧化物纳米颗粒表面的第一配体和第二配体，所述第一配体为主链碳原子数大于等于2的有机配体，所述第二配体为无机配体。所述第一配体可以钝化金属氧化物纳米颗粒的表面缺陷、调节金属氧化物纳米颗粒的溶解性，确保金属氧化物纳米颗粒溶液的稳定性；所述第二配体可以钝化金属氧化物纳米颗粒表面的未被所述第一配体钝化的缺陷，从而进一步减少金属氧化物纳米颗粒表面的悬挂键，进一步钝化金属氧化物纳米颗粒的表面缺陷，进而提高金属氧化物纳米颗粒的电学性能稳定性。
复合材料薄膜电致发光器件显示装置

[发明专利]用于半导体器件的钝化层及其制造方法-CN202110376709.1在审
发明人：刘力群;王俊棠;王志弘;李庆峰;叶玉隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体器件包括钝化层，钝化层包括第一钝化氧化物。第一钝化氧化物包括非偏置膜和第一偏置膜，其中非偏置膜在超厚金属结构的部分的上方且在超厚金属结构形成于其上的层的部分的上方，且第一偏置膜在非偏置膜上。钝化层包括由第二偏置膜组成的第二钝化氧化物，第二偏置膜在第一偏置膜上。钝化层包括由第三偏置膜组成的第三钝化氧化物，第三偏置膜在第二偏置膜上。
用于半导体器件钝化及其制造方法

[发明专利]复合纳米颗粒、量子点发光二极管及制备方法-CN202011423461.1在审
发明人：李龙基 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合纳米颗粒、量子点发光二极管及制备方法，其中，所述复合纳米颗粒包括表面含有羟基的氧化物纳米颗粒以及含有磷氧双键的钝化剂，所述氧化物纳米颗粒表面的羟基与所述钝化剂中的磷氧双键形成氢键。在本发明中，所述钝化剂中的磷氧双键很容易与氧化物纳米颗粒表面的羟基相互作用形成氢键，从而对氧化物纳米颗粒起到钝化作用，减少其表面缺陷。
复合纳米颗粒量子发光二极管制备方法

[发明专利]薄膜晶体管以及制备方法-CN201811519352.2有效
发明人：徐苗;徐华;李美灵;王磊;李民;庞佳威;陈子楷;彭俊彪;邹建华;陶洪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管以及制备方法，该薄膜晶体管包括：基板；形成在基板上的栅极层、第一绝缘层和有源层；形成在有源层上的图案化的源极和漏极，分别与有源层电连接；形成在图案化的源极和漏极上的有机钝化层，有机钝化层与有源层直接接触；有源层包括金属氧化物，金属氧化物包括铟的氧化物In2O3和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物，有机钝化层为聚合物有机物材料。本发明的技术方案，有机钝化层与铟的氧化物In2O3和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物组成的有源层直接接触，一方面，有机钝化层和有源层直接接触不会对有源层造成施主掺杂的效果，器件正常稳定工作；另一方面，制备工艺简单且成本较低。
薄膜晶体管以及制备方法

[发明专利]一种背接触晶体硅异质结太阳能电池及制备方法-CN201810011692.8在审
发明人：沈辉;林文杰;梁宗存;吴伟梁;包杰;刘宗涛;赵影文 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触晶体硅异质结太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基体、第一钝化层、第二钝化层、减反射薄膜、金属氧化物反射极、金属电极、LiFx薄膜；第一钝化层沉积在所述硅基体上表面；减反射薄膜沉积在第一钝化层的上表面；第二钝化层沉积在所述硅基体下表面；金属氧化物反射极沉积在第二钝化层的下表面的一端，LiFx薄膜沉积在第二钝化层的下表面的另一端；金属电极蒸镀在所述金属氧化物反射极和LiFx薄膜的下表面；金属氧化物反射极和LiFx薄膜之间设置有空隙；金属氧化物反射极为太阳能电池的正极，金属电极为所述太阳能电池的负极。本发明通过设置金属氧化物反射极，避免了由发射极引起的寄生性吸收、俄歇复合和“死层”问题。
钝化层金属氧化物反射极下表面沉积太阳能电池硅基体薄膜异质结太阳能电池减反射薄膜金属电极背接触晶体硅上表面正极负极薄膜沉积俄歇复合发射极寄生性金属电反射死层蒸镀制备吸收

[发明专利]金属氧化物在金属表面上的选择性沉积-CN202010267196.6在审
发明人： A·伊利贝里;M·吉文斯;S·邓;G·A·维尼 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了相对于氧化物表面在金属或金属性表面上选择性沉积金属氧化物膜的方法。衬底的氧化物表面可相对于金属或金属性表面被选择性地钝化，例如通过将衬底暴露于硅烷化剂。自气相反应物相对于经钝化的氧化物表面在金属或金属性表面上选择性地沉积金属氧化物。
金属氧化物表面上选择性沉积

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